【課題】測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、ラインプロファイルを２次微分して２次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置とピーク値からパターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部とを備える。エッジ検出部は、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置をＸ１，Ｘ２（＞Ｘ１）としたとき、ピーク位置Ｘ１の信号量がピーク位置Ｘ２の信号量よりも大きいとき、パターンのエッジは立ち上がると判定する。 （もっと読む）

【課題】シュリンク量（あるいは測長値の真値からのずれ量）および再現性誤差量の双方を考慮して、荷電粒子線システムの最適なパターン寸法計測条件を決定する。
【解決手段】本発明者等は、シュリンク量と計測再現性誤差量とがトレードオフの関係にあることを見出した。また、同じシュリンク量であっても、一次荷電粒子線１１の照射エネルギ等を決定する測定パラメータ（加速電圧、電流量、観察倍率、フレーム数）によって計測再現性誤差量が異なることを見出した。そこで、測定パラメータである加速電圧、電流量、観察倍率、およびフレーム数の少なくとも２つを要因とする直交表を使って実験計画を立て、半導体デバイス１３のシュリンク量および計測再現性誤差量を計測する実験を行う。そして、実験結果から多元配置により各要因の水準の組み合わせにおけるシュリンク量および計測再現性誤差量を算出する。 （もっと読む）

【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、設計データ内の凹凸情報を特定するのに好適な方法，プログラム及び装置の提供に係り、一例として同じような部分が羅列するようなパターンであっても、設計データと、画像形成装置等で取得された画像との間のパターンマッチングを高精度に行い得る方法，プログラム及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、設計データ上のパターンの凹部及び／又は凸部、或いはパターン部及び／又は非パターン部に関する情報を用いて、設計データ上のパターンと、前記画像上のパターンとのパターンマッチングを行うことを特徴とするパターンマッチング方法、及びそのためのプログラムを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】再計測に際して電子線照射による影響を最小限にし、計測対象パターンの形状を正確に計測する。
【解決手段】既に電子線を照射した領域外へ計測位置を自動的に移動させる。 （もっと読む）

【課題】
いかなるタイプのパターンであっても、その断面形状を順テーパから逆テーパまで、非破壊的に、正確かつ定量的に計測し得るパターン測定技術を提供する。
【解決手段】
走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。走査型顕微鏡で得られた上空写真の画像データから、パターンエッジ近傍の領域の形状を数値化することによって断面形状のテーパ傾向を評価する。上空観察結果のみから逆テーパ、垂直、順テーパなどのエッジの傾向を評価することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、十分な光量の試料高さ検出用光を投光することができ、対物レンズと試料面との間に大きなワーキングディスタンスを必要としない光学系を利用した高さ検出装置及び高さ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料高さ検出用光学系において、１光源から投光された光束をコリメートレンズにて平行光に整えた後、同方向に集光性を持つ複数段のシリンドリカルレンズによってこの平行光を複数の光束に分配し、分配された各光束を複数の開口を持つスリットの各開口を通過させて試料面に投射するように構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジを検出するエッジ検出方法およびエッジ検出装置に関し、測長対象領域から取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分を算出してこれらを合成し、ずらした量の太さをもつ輪郭線を自動生成し、画像から迅速かつ精度良好にパターンの輪郭線を生成して自動計測することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを含む画像を取得するステップと、取得した画像について、複数方向に所定量だけずらしてその差分をそれぞれ算出するステップと、算出した複数の差分画像を合成し、パターンの輪郭線を生成するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンの画像を取得する画像取得方法および画像取得装置に関し、パターンの測長精度を大幅に向上させることを目的とする。
【構成】 細く絞った電子線ビームで測長対象のパターンを走査したときに放出あるいは反射された電子を検出器で検出するステップと、測長対象のパターンを走査したときに検出された信号と、設計データ上で当該パターンが存在する領域よりも若干広いに範囲を持つマスクパターンとを演算し、パターンおよびその近傍の領域の信号を抽出およびそれ以外の領域の信号を抑圧するステップとを有し、抽出および抑止した信号をもとにパターンのエッジを抽出し、エッジをもとに当該パターンの寸法を測長する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】層寸法を正確に測定する方法を提供する。
【解決手段】平坦な試料の領域上に作用させるべく励起光線をあてるステップを有し、該試料は、その試料の面に垂直な側壁を持った特徴部を含んでおり、該側壁は、その上に薄膜を有している。励起光線に応じて試料から放出された蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）の強度が測定され、強度に基づいて側壁上の薄膜の厚さが評価される。別の方法では、研磨後の試料の表層にある凹部の幅と、凹部内に堆積した材料の厚さとが、ＸＲＦを用いて評価される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジ位置を画像上で検出するエッジ位置検出方法およびエッジ検出装置に関し、ラインプロファイルのエッジ部分のノイズなどの影響を極力排した高精度かつ再現性良好なエッジ位置を決定してパターンの精密測長を実現することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを横切る異なる場所の複数のラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのエッジ付近の曲線からモデル曲線を生成するステップと、生成したモデル曲線と、複数のプロファイルとをそれぞれ重ねてその輝度の差をもとにフッティングポイントをそれぞれ算出するステップと、算出したフッティングポイントに、モデル曲線が所定閾値を横切る点の位置を加算した点をエッジ位置とそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】測定パターンの画像データを生成する。前記測定パターンは互いに対向する第１及び第２面を備える。前記画像データは前記第１及び前記第２面にそれぞれ対応する第１及び第２辺を備える。前記画像データを編集して前記第１及び第２辺の重畳長さを増加させる。前記編集された画像データ内の前記第１及び第２辺を横切る測定ウィンドウを設定する。前記測定ウィンドウ内の前記第１辺と前記第２辺との間の距離を測定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において，被評価パターンの断面形状，あるいは被評価パターンのプロセス条件，あるいは被評価パターンのデバイス特性を，パターンを非破壊で計測可能にする。
【解決手段】
露光プロセス，あるいはエッチングプロセスにおいて，被評価パターンのSEM像から，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を推定するのに有効な画像特徴量を算出し，前記画像特徴量を予めデータベースに保存しておいたパターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前期パターンのデバイス特性とSEM像から算出した前記画像特徴量とを関連づける学習データに照合することにより，被評価パターンの断面形状，あるいは前記パターンのプロセス条件，あるいは前記パターンのデバイス特性を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 栗の果実における虫食い等の有無を非破壊検査する方法において、渋皮のスジをＸ線が透過すると、透過画像情報において当該スジに対応する領域がモニタ等の画面に白又は灰色っぽく表示され、これを内部欠陥と誤認する問題を解消する。
【解決手段】 Ｘ線による撮像工程Ｓ１と、透過画像情報を複数の平滑化フィルタにて平滑化処理して、各々の平滑化画像情報から果実領域を特定する平滑化工程Ｓ２と、任意の１つの平滑化果実領域と他の平滑化果実領域との差分演算にて抽出された抽出領域を第１次欠陥候補領域として特定する差分工程Ｓ３と、透過画像情報を二値化処理して果実領域及び第２次欠陥候補領域を特定する二値化工程Ｓ４と、第２次欠陥候補領域の面積を求める面積算出工程Ｓ５と、第１次欠陥候補領域に対応する第２次孤立領域の面積が予め設定された設定面積の範囲外であれば、互いに対応する第１次及び第２次欠陥候補領域は果実の内部欠陥に当たると判断する第１判断工程Ｓ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）