【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特定の部分の寸法を高精度かつ高速に測定する。
【解決手段】
繰り返し構造からなる第１のパターンと、第１のパターンの上に繰り返し構造を跨いで形成された線状の第２のパターンと、を有する半導体装置の寸法測定に用いられる寸法測定装置である。寸法測定装置は、第１のパターンの形状に関する情報を取得する形状情報取得手段と、第２のパターンの顕微鏡による観察結果から、第２のパターンを構成する各部分の幅値を取得する幅値取得手段と、形状情報取得手段で取得した前記第１のパターンの形状に対応するように、第２のパターン上に複数の解析領域を設定する解析領域設定手段と、設定された解析領域ごとに、幅値取得手段で取得した幅値の中から、解析領域に含まれる部分の幅値を抽出し、抽出した幅値を用いて、第２のパターンの第１のパターンと重なる部分における寸法を決定する寸法決定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ベルトエッジオーバーラップの有無を正確に判定することができ、しかも検査に要する時間の短縮を図ることのできるタイヤの検査方法及びその装置を提供する。
【解決手段】撮像された画像から各ベルトコードＢＣが撮像されたベルトコード領域のうちベルト部材幅方向の両端部側の領域を抽出するとともに、その抽出画像中において第２ベルト部材ＢＥ２の各ベルトコードＢＣ延設方向と等しい方向に延在する成分が集合している特定成分領域を確定することから、特定成分領域は第２ベルト部材ＢＥ２のみが存在する領域となる。また、特定成分領域がタイヤ周方向に不連続である場合に、その透過Ｘ線像を撮像したタイヤＴにベルトエッジオーバーラップが生じていると判定される。 （もっと読む）

【課題】ベルトスプライス段差の有無を正確に判定することができ、しかも検査に要する時間の短縮を図ることのできるタイヤの検査方法及びその装置を提供する。
【解決手段】撮像された画像中のベルトコードＢＣが撮像されたベルトコード領域を確定するとともに、ベルトコード領域の幅寸法を互いにタイヤ周方向に間隔をおいて配置された複数の検出位置で検出し、互いにタイヤ周方向に隣り合う２つの検出位置の幅寸法検出結果の差をそれぞれ演算し、各演算結果のうち少なくとも１つ以上の演算結果が所定の基準値以上になると、ベルトスプライス段差が生じていると判定することから、例えば第２ベルト部材ＢＥ２のタイヤ周方向の両端部が互いにタイヤ幅方向にずれてスプライスされるベルトスプライス段差が生じている場合に、ベルトスプライス段差が生じていると判定される。 （もっと読む）

【課題】パターンの寸法測定に際して寸法測定範囲（ＲＯＩ）を自動的に設定する。
【解決手段】実パターンの輪郭ＥＲ１〜ＥＤＲの像と、実パターンの設計図形とのマッチングを実パターンの画像上で行い、設計図形の輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４に内接または外接する円ＣＬ１〜ＣＬ１０を設計図形に当てはめ、円ＣＬ１〜ＣＬ１０と輪郭線ＥＤ１〜ＥＤ４との接点を基準に寸法測定範囲（ＲＯＩ）ＲＡ〜ＲＨ，ＲＪ〜ＲＱ，ＲＳ，ＲＴを決定する。 （もっと読む）

【課題】試料の線幅、欠陥などを精密に測定、検査することができる、荷電粒子ビーム装置のマッチング方法の提供。
【解決手段】電子顕微鏡によるＳＥＭ画像と、試料の設計データとをパターンマッチングさせ、線幅などの測定、欠陥の検査などを行う荷電粒子ビーム装置によるマッチング方法において、校正用マーク又はそれの付された試料をステージ上に設置し、高さを変えて複数のＳＥＭ画像を取得し、当該ＳＥＭ画像の位置歪みと、設計上の位置歪みデータとをマッチングし、高さを変化させたときの校正用補正データを作成する第１ステップと、フォーカスをかけて検査用ＳＥＭ画像を取得する第２ステップと、フォーカスの高さ値より、前記第１ステップの校正用補正データを用いて、検査用ＳＥＭ画像の位置歪みを補正する第３ステップと、当該位置歪み補正を行ったＳＥＭ画像と、設計データとのマッチングを行い、試料の測長または検査を行う第４ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】オートフォーカスの失敗による影響を除去でき、試料の特徴構造の寸法を正確に測定し得る電子顕微鏡を用いた試料の寸法の測定方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は電子ビームの焦点を試料上に結ぶための対物レンズ151bと、対物レンズ151bに供給される励磁電流を供給するレンズ制御部150bと、特徴構造を測定するホストコンピュータ102を有している。ホストコンピュータ102は、対物レンズ151bに供給される励磁電流を変化させ、対物レンズ151bに供給される各励磁電流における前記試料の特徴構造の寸法データを測定し、この測定により得られる寸法データの変化を示す変動量が所定値以下となる寸法データを、試料の特徴構造の寸法として決定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】試料の構成や膜種等によって測長誤差の生じることのない走査形電子顕微鏡の測長方法を提供する。
【解決手段】本発明の走査形電子顕微鏡による測長方法は、対物レンズから試料までの距離を検出するセンサの出力を用いて走査形電子顕微鏡を測定ポイントにオートフォーカスさせ、対物レンズの励磁電流を変化させながら試料から放出された試料信号の変化をモニターしてフォーカスずれに相当する対物レンズの励磁電流ΔIobjを検出する。そして、対物レンズの励磁電流ΔIobjを試料に入射する電子ビームの加速電圧ΔＶに換算し、試料に入射する電子ビームの加速電圧をΔＶだけ変更する。その後、測定ポイントの測長を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】物理量検査領域の各区画毎に、物理量算出結果をそれに対応するＸ線画像と関連付けた把握容易な表示を行なうことができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源２と、Ｘ線検出部４と、データ処理部６と、表示部２０とを備えたＸ線検査装置において、被検査物の質量検査領域を複数の区画Ａ，Ｂ，Ｃに分割し、Ｘ線検出部４からの検出情報のうち所定検出レベル範囲の検出情報を複数の区画の各区画毎に抽出して質量測定領域のＸ線画像をＸ線画像生成部１１に生成させる領域抽出処理部８と、この領域抽出処理部８で抽出された検出情報に基づいてワークＷの質量を算出する質量算出部１３と、複数の区画における質量測定領域のＸ線画像と質量算出部１３で算出された質量を示す複数のグラフ表示要素４３，４４，４５とをそれぞれ関連付けて表示部２０に表示させる表示データ生成部１５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型電子線顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】与えられたパターンの所定の部分の寸法を測定する際の精度の向上を図り得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】与えられたパターンを構成する点群から所定の演算によって近似線を求める近似線取得手段と、前記近似線から所定の演算によって基準点を求める基準点取得手段と、前記基準点から所定の演算によって測長位置を求める測長位置取得手段と、前記測長位置で前記パターンの所定の部分の寸法を測定する寸法測定手段とよりなる構成である。 （もっと読む）

【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第１の回折格子の配列（１）よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第１の回折格子の配列（１）内の一部に、前記第１の回折格子とは異なる第２の回折格子の配列（２）を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第１の回折格子および前記第２の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク（３）が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が１００ｎｍ以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料７を載置するステージ５と、試料７と対向して配置する光電子生成電極５２と、紫外光を照射する紫外光照射手段５３と、紫外光照射手段５３に紫外光を所定の時間照射させて試料７及び光電子生成電極５２から光電子を放出させ、光電子生成電極５２に試料７が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極５２が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料７の表面電位を０［Ｖ］にする制御手段２０とを有する。前記制御手段２０は、試料７の表面の電位を一定にした後、試料７の寸法測定を行う。 （もっと読む）

【課題】微細ラインパターン上のエッジラフネスのうち、デバイスの作成上あるいは材料
やプロセスの解析上特に評価が必要となる空間周波数の成分を抽出し、指標で表す。
【解決手段】エッジラフネスのデータは十分長い領域に渡って取得し、パワースペクトル
上で操作者が設定した空間周波数領域に対応する成分を積算し、測長SEM上で表示する。
または、十分長い領域のエッジラフネスデータを分割し、統計処理と理論計算によるフィ
ッティングを行って、任意の検査領域に対応する長周期ラフネスと短周期ラフネスを算出
し測長SEM上で表示する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】加工プロセス上で線状の縁の粗さの影響が特定できるようなテストパターンを提供する。
【解決手段】転移処理の少なくとも一つのパラメータを決める方法と同様に，テストパターン１，テストパターンの集合，テストパターンの転移特性を評価する方法についても言及している。テストパターン１によって，転移パターン上の線状の縁の粗さの影響は，分析することができる。 特に，テストパターン１は線／空間パターンを基準としていて，ここで明確な周期と振幅を持った周期構造１は，線２と隣接し，接触している。 さらに，前述のテストパターン１の転移特性を評価する方法へ向けられる。加えて，テストパターン１を用いるイメージングプロセスのような転移処理の，少なくとも一つのパラメータを決定する方法について言及する。 （もっと読む）