荷電ビーム描画方法
【課題】電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】描画時に行うビーム寸法校正を、描画装置によって決まる描画フィールド内の各点で行い（ステップＳ１）、描画フィールド内の各点でのビーム寸法校正関数を求め（ステップＳ２）、これを用いて試料に描画する（ステップＳ４）。この際、描画フィールド内の各点での歪によるビーム寸法変換差に加えて、描画後のレジスト寸法への変換差も見込んで寸法校正関数を求め（ステップＳ３）、これを用いて描画を行う。
【解決手段】描画時に行うビーム寸法校正を、描画装置によって決まる描画フィールド内の各点で行い（ステップＳ１）、描画フィールド内の各点でのビーム寸法校正関数を求め（ステップＳ２）、これを用いて試料に描画する（ステップＳ４）。この際、描画フィールド内の各点での歪によるビーム寸法変換差に加えて、描画後のレジスト寸法への変換差も見込んで寸法校正関数を求め（ステップＳ３）、これを用いて描画を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電ビーム描画方法に係り、特に直接描画式の荷電ビーム描画方法に関するもので、例えば半導体製造工程、フォトマスク製造工程、フラットパネルディスプレイ製造工程の電子ビーム描画工程に使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
現在のＬＳＩの製造に際して、配線・デバイスの高集積化のため、パターン転写・加工寸法は高精度化の要求が強まる一方である。このような要求に応えるべく、近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料に微細パターンを描画するものとして、電子ビーム描画装置が用いられてきた。
【０００３】
電子ビーム描画装置によるパターン描画は、電子源より発生した電子を加速した電子ビームを、描画データを参照して複数の可動アパーチャを通して成形し、これを１段以上の偏向器により偏向させて、可動ステージ上の試料に電磁レンズにより結像させて描画することによってなされる。この際、電子ビームは装置内部で種々の歪を受けて、電子ビームの寸法は入力値通りに形成されないことがある。
【０００４】
この問題を解決するために、従来は、試料への実際の描画前に、校正プログラムにより、予めビーム寸法入力値に対するウェハステージ上のビーム寸法を計測し、ビーム寸法入力値対ビーム寸法測定値の関係（寸法歪関数）を求めた後、この逆関数を算出している。そして、このビーム寸法補正関数に基づいてビーム寸法補正を行いながら試料上への実描画を実行している。
【０００５】
従来、上記ビーム寸法校正プログラムは、描画装置のフィールド中心でのみ実行される。描画フィールドの中心は、対応する偏向器による偏向角度が０である場合であり、フィールド内中心から逸れるにしたがって電子ビームの偏向角度が大きくなる。電子ビームの偏向角度が大きいと、電磁レンズの収差などによるビームのボケが比較的大きくなるなどの理由で、ビーム寸法はフィールド中心部の歪関数と異なった変動をする場合がある。この場合、フィールド中心で校正されたビーム寸法校正関数に基づいてビーム寸法校正を行っても、ビーム寸法測定値と所望値との差は大きくなる。
【０００６】
さらに、描画装置の特性は、図５中に示すように、フィールド中心部と端部で、ビーム寸法の測定値の差は小さいとしても、ビームプロファイルが異なることがある。この場合、使用するレジストの種類、現像方法などのレジストプロセス、および照射するドーズ量などにより、図５中に示すレジストＡのようにレジスト寸法の測定値の差が大きくなる場合がある。このような場合、フィールド中心部近傍では所望値通りのレジスト寸法に仕上がっても、ビームボケの異なるフィールド端部では所望値通りのレジスト寸法を得ることは難しい。
【０００７】
なお、特許文献１には、荷電ビーム露光を用いたパターン形成に際して、描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差を補正するための補正テーブルを作成し、その補正テーブルを用いて補正をかけながら露光を行い、パターン寸法精度を高める点が開示されている。
【特許文献１】特開平０５−５５１２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記した従来の問題点を解決すべくなされたもので、電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、前記第２の工程で得られたレジストパターン寸法値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第６の工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に荷電ビームが照射された試料上のビームプロファイルを描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程および第２の工程で得られた偏向領域内の各点でのレジストパターン寸法値から、少なくとも描画装置、前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスにより決定されるビーム・レジスト寸法変換差を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られたビーム・レジスト寸法変換差から寸法補正量を求める第４の工程と、前記第４の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第５の工程とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第４の工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の荷電ビーム描画方法の第１の実施形態における工程全体を示すフローチャートである。
【００１５】
まず、ビーム寸法校正プログラムにより、描画対象であるウェハステージ上で観測される荷電ビームの寸法（ビーム寸法）を描画フィールド内の各点に対して測定し、ビーム寸法入力値との関係式（歪関数）をフィールド内の各点に対して求める（ステップＳ１）。
【００１６】
次に、ビーム寸法歪関数からビーム寸法補正関数を算出する（ステップＳ２）。その後、ビームの１照射毎に補正関数によりビーム寸法補正を行いながら、予めレジストを塗布・ベークした試料上にビーム照射して実描画を行う（ステップＳ３）。その後、酸拡散などのベーク処理（PEB ）（ステップＳ４）、レジスト現像処理（ステップＳ５）を行うことにより実際のレジスト寸法が確定する。
【００１７】
図２は、前記ステップＳ２におけるビーム寸法校正プログラムによる処理およびステップＳ３における描画処理の内容を具体的に示したものである。図２に示すように、描画フィールド内のある点（ｘ，ｙ）でビーム寸法の入力値（幅：Ｗｄ、高さ：Ｈｄ）を振ってウェハステージ上に設けられた基準マークをスキャンし、その反射電子像を固体検出器(SSD;Solid State Detector)で検出する。これにより得られた寸法測定値（Ｗ，Ｈ，ｘ，ｙ）と寸法入力値（Ｗｄ，Ｈｄ，ｘ，ｙ）との関係が歪関数であり、この歪関数の逆関数を補正関数とする。これをフィールド内の各点に対して行うが、本実施形態では、描画装置の副偏向領域(SSF) 内の50μｍ内のx,y 両方向に10μｍ刻みで36点に対して補正関数を算出した。その後、試料に実際の描画を行う。本実施形態では、パターン描画を行うSSF 内の座標を調べ、この座標に対応する補正関数を用いてビーム寸法補正描画を行った。上記したように試料上への描画が終了した後、試料をベーク（PEB ）し、現像した。以上の処理によって、試料上に塗布したレジストに、所望のパターンを形成することができた。
【００１８】
第１乃至第４式は、第１の実施形態におけるビーム寸法補正関数の一般式を、従来例におけるビーム寸法補正関数の一般式と共に示したものである。
【００１９】
従来例のビーム寸法校正関数Wc 、Hc は以下の１、２式で与えられる。
【００２０】
Wc = (1+a)W + bH + cWH + d ‥‥ （１）
Hc = eW + (1+f)H + gWH + h ‥‥ （２）
また、第１の実施形態のビーム寸法校正関数Wc 、Hc は以下の３、４式で与えられる。
【００２１】
Wc = a(x,y)W +b(x,y)H + c(x,y)WH + d(x,y) ‥‥ （３）
Hc = e(x,y)W + f(x,y)H + g(x,y)WH + h(x,y) ‥‥ （４）
ただし、Wcはビーム寸法幅補正値、Hcはビーム寸法高さ補正値、Wはビーム寸法幅入力値、Hはビーム寸法高さ入力値、xは偏向領域内座標、yは偏向領域内座標、である。
【００２２】
上記１乃至４式に示すように、従来例の寸法補正式は、ビーム寸法の幅および高さに対してそれぞれ１つの式で表現されていたが、第１の実施形態では、ビーム寸法の幅、高さの各項の係数がフィールド内の各点の座標の関数となっている。
【００２３】
上記した第１の実施形態の荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する際、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた荷電ビーム寸法の入力値に対する偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を決定し、試料上への描画を行う第４の工程とを具備するものである。
【００２４】
第１の実施形態の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【００２５】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の荷電ビーム描画方法の第２の実施形態における工程全体を示すフローチャートである。実際のレジスト塗布済み試料に対する描画に先立ち、まず、ビーム寸法校正プログラムにより、ウェハステージ上で観測されるビームプロファイルをフィールド内の各点に対して測定する（ステップＳ１）。ここで、フィールド内は、ウェハステージ端部のテスト領域ではない。
【００２６】
その後、得られたビームプロファイルに対応するレジスト寸法を見積もる。このレジスト寸法見積もりの方法については、ビームプロファイルとレジスト種類、PEB や現像などのレジストプロセス、ビーム照射量など(Dose,etc.) の情報を取り入れたシミュレーション(Simu.) を用いる（ステップＳ２）。
【００２７】
なお、ステップＳ２の他の例として、図３中に示すように、予め描画フィールド内の各点でのレジスト寸法を測定したテーブル(Table) を作成し、描画時のビームプロファイルを対応付けしたデータベースを作成しておき（ステップＳ２ａ）、このデータベースからビームプロファイルに対するレジスト寸法を見つける（ステップＳ２ｂ）方法もある。このようなステップＳ２により、描画フィールド内の各点でのビーム寸法入力値に対するレジスト寸法予測値の関係式が求まる。
【００２８】
次に、この関係式の逆関数を導出する（ステップＳ３）。その後、ビームの１照射毎に補正関数によりビーム寸法の補正を行いながら、予めレジストを塗布・ベークした試料上にビーム照射し、実描画を行う（ステップＳ４）。その後、酸拡散などのベーク処理（PEB ）（ステップＳ５）、レジスト現像処理（ステップＳ６）を行うことにより実際のレジスト寸法が確定する。
【００２９】
図４は、前記ステップＳ２〜Ｓ３におけるビーム寸法変換関数導出プログラムによる処理、ステップＳ４における描画処理およびレジストプロセスの内容を具体的に示したものである。図４中に示すフローにしたがい、寸法変換関数を得て、これを逆変換することにより算出された寸法補正関数に所望レジスト寸法を入力し、描画を行う。
【００３０】
第３の実施形態におけるビーム寸法補正関数Wc の一般式を下記の５式に示す。
【００３１】
Wc = aRe,Rp(x,y,D)W +bRe,Rp(x,y,D)H + cRe,Rp(x,y,D)WH + dRe,Rp(x,y,D) ‥（５）
ただし、Wcはレジスト寸法幅補正値、Hcはレジスト寸法高さ補正値、Wはレジスト寸法幅入力値、Hはレジスト寸法高さ入力値、xは偏向領域内座標、yは偏向領域内座標、Reはレジスト種類、Rpはレジストプロセス、Dは照射量、である。
【００３２】
本実施形態では、ビームプロファイルからレジスト寸法への寸法変換関数を求める工程として、シミュレーションによるレジスト寸法予測を用いた。上記シミュレーションは、実際には、（ａ）得られたビームプロファイルのビームを、レジスト塗布した試料に照射した際の蓄積エネルギー分布を求める計算、および、（ｂ）の計算で得られた蓄積エネルギー分布からレジスト現像後のレジストプロファイルを求めて寸法を求める計算、の２工程であった。ここで、本実施形態では、上記（ａ）を富士総研（株）製の装置（“VSM/EB”）を用いて実行し、上記（ｂ）を本出願人が製作したベクトルシミュレータを用いて実行した。この結果を、日立ハイテクノロジーズ（株）製の電子ビーム描画装置（型名HL-900D ）のメモリに転送、保存した。上記したように試料上への描画が終了した後、試料をベークし、現像した。以上の処理によって、試料上に塗布したレジストに所望のパターンを形成することができた。
【００３３】
上記した第２の実施形態の荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する際、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくともレジスト種類、照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程で得られた荷電ビーム寸法入力値に対する偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法測定値に対するレジストパターン寸法測定値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を決定し、試料上への描画を行う第６の工程とを具備するものである。
【００３４】
本実施形態の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。さらに、描画、現像後のレジスト寸法を見積もり、この結果から寸法補正関数を導出し、これを用いてビーム寸法を補正しながら評価することにより、描画フィールドの全ての領域でレジストパターン寸法精度を向上することが可能になる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施形態の荷電ビーム描画方法の処理フローの全体を説明するために示すフローチャート。
【図２】図１中の処理フローにおけるビーム寸法校正プログラムを説明するために示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態の荷電ビーム描画方法の処理フローの全体を説明するために示すフローチャート。
【図４】図３中の処理フローにおけるビーム寸法変換関数導出プログラムを説明するために示す図。
【図５】描画装置の偏向領域内の各点における電子ビームプロファイルとレジスト寸法の関係を説明するために示す図。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電ビーム描画方法に係り、特に直接描画式の荷電ビーム描画方法に関するもので、例えば半導体製造工程、フォトマスク製造工程、フラットパネルディスプレイ製造工程の電子ビーム描画工程に使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
現在のＬＳＩの製造に際して、配線・デバイスの高集積化のため、パターン転写・加工寸法は高精度化の要求が強まる一方である。このような要求に応えるべく、近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料に微細パターンを描画するものとして、電子ビーム描画装置が用いられてきた。
【０００３】
電子ビーム描画装置によるパターン描画は、電子源より発生した電子を加速した電子ビームを、描画データを参照して複数の可動アパーチャを通して成形し、これを１段以上の偏向器により偏向させて、可動ステージ上の試料に電磁レンズにより結像させて描画することによってなされる。この際、電子ビームは装置内部で種々の歪を受けて、電子ビームの寸法は入力値通りに形成されないことがある。
【０００４】
この問題を解決するために、従来は、試料への実際の描画前に、校正プログラムにより、予めビーム寸法入力値に対するウェハステージ上のビーム寸法を計測し、ビーム寸法入力値対ビーム寸法測定値の関係（寸法歪関数）を求めた後、この逆関数を算出している。そして、このビーム寸法補正関数に基づいてビーム寸法補正を行いながら試料上への実描画を実行している。
【０００５】
従来、上記ビーム寸法校正プログラムは、描画装置のフィールド中心でのみ実行される。描画フィールドの中心は、対応する偏向器による偏向角度が０である場合であり、フィールド内中心から逸れるにしたがって電子ビームの偏向角度が大きくなる。電子ビームの偏向角度が大きいと、電磁レンズの収差などによるビームのボケが比較的大きくなるなどの理由で、ビーム寸法はフィールド中心部の歪関数と異なった変動をする場合がある。この場合、フィールド中心で校正されたビーム寸法校正関数に基づいてビーム寸法校正を行っても、ビーム寸法測定値と所望値との差は大きくなる。
【０００６】
さらに、描画装置の特性は、図５中に示すように、フィールド中心部と端部で、ビーム寸法の測定値の差は小さいとしても、ビームプロファイルが異なることがある。この場合、使用するレジストの種類、現像方法などのレジストプロセス、および照射するドーズ量などにより、図５中に示すレジストＡのようにレジスト寸法の測定値の差が大きくなる場合がある。このような場合、フィールド中心部近傍では所望値通りのレジスト寸法に仕上がっても、ビームボケの異なるフィールド端部では所望値通りのレジスト寸法を得ることは難しい。
【０００７】
なお、特許文献１には、荷電ビーム露光を用いたパターン形成に際して、描画フィールド内の荷電ビームの偏向収差を補正するための補正テーブルを作成し、その補正テーブルを用いて補正をかけながら露光を行い、パターン寸法精度を高める点が開示されている。
【特許文献１】特開平０５−５５１２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記した従来の問題点を解決すべくなされたもので、電子ビーム描画時のビーム寸法精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させ得る荷電ビーム描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、前記第２の工程で得られたレジストパターン寸法値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第６の工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に荷電ビームが照射された試料上のビームプロファイルを描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程および第２の工程で得られた偏向領域内の各点でのレジストパターン寸法値から、少なくとも描画装置、前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスにより決定されるビーム・レジスト寸法変換差を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られたビーム・レジスト寸法変換差から寸法補正量を求める第４の工程と、前記第４の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第５の工程とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の態様に係る荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第４の工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の荷電ビーム描画方法の第１の実施形態における工程全体を示すフローチャートである。
【００１５】
まず、ビーム寸法校正プログラムにより、描画対象であるウェハステージ上で観測される荷電ビームの寸法（ビーム寸法）を描画フィールド内の各点に対して測定し、ビーム寸法入力値との関係式（歪関数）をフィールド内の各点に対して求める（ステップＳ１）。
【００１６】
次に、ビーム寸法歪関数からビーム寸法補正関数を算出する（ステップＳ２）。その後、ビームの１照射毎に補正関数によりビーム寸法補正を行いながら、予めレジストを塗布・ベークした試料上にビーム照射して実描画を行う（ステップＳ３）。その後、酸拡散などのベーク処理（PEB ）（ステップＳ４）、レジスト現像処理（ステップＳ５）を行うことにより実際のレジスト寸法が確定する。
【００１７】
図２は、前記ステップＳ２におけるビーム寸法校正プログラムによる処理およびステップＳ３における描画処理の内容を具体的に示したものである。図２に示すように、描画フィールド内のある点（ｘ，ｙ）でビーム寸法の入力値（幅：Ｗｄ、高さ：Ｈｄ）を振ってウェハステージ上に設けられた基準マークをスキャンし、その反射電子像を固体検出器(SSD;Solid State Detector)で検出する。これにより得られた寸法測定値（Ｗ，Ｈ，ｘ，ｙ）と寸法入力値（Ｗｄ，Ｈｄ，ｘ，ｙ）との関係が歪関数であり、この歪関数の逆関数を補正関数とする。これをフィールド内の各点に対して行うが、本実施形態では、描画装置の副偏向領域(SSF) 内の50μｍ内のx,y 両方向に10μｍ刻みで36点に対して補正関数を算出した。その後、試料に実際の描画を行う。本実施形態では、パターン描画を行うSSF 内の座標を調べ、この座標に対応する補正関数を用いてビーム寸法補正描画を行った。上記したように試料上への描画が終了した後、試料をベーク（PEB ）し、現像した。以上の処理によって、試料上に塗布したレジストに、所望のパターンを形成することができた。
【００１８】
第１乃至第４式は、第１の実施形態におけるビーム寸法補正関数の一般式を、従来例におけるビーム寸法補正関数の一般式と共に示したものである。
【００１９】
従来例のビーム寸法校正関数Wc 、Hc は以下の１、２式で与えられる。
【００２０】
Wc = (1+a)W + bH + cWH + d ‥‥ （１）
Hc = eW + (1+f)H + gWH + h ‥‥ （２）
また、第１の実施形態のビーム寸法校正関数Wc 、Hc は以下の３、４式で与えられる。
【００２１】
Wc = a(x,y)W +b(x,y)H + c(x,y)WH + d(x,y) ‥‥ （３）
Hc = e(x,y)W + f(x,y)H + g(x,y)WH + h(x,y) ‥‥ （４）
ただし、Wcはビーム寸法幅補正値、Hcはビーム寸法高さ補正値、Wはビーム寸法幅入力値、Hはビーム寸法高さ入力値、xは偏向領域内座標、yは偏向領域内座標、である。
【００２２】
上記１乃至４式に示すように、従来例の寸法補正式は、ビーム寸法の幅および高さに対してそれぞれ１つの式で表現されていたが、第１の実施形態では、ビーム寸法の幅、高さの各項の係数がフィールド内の各点の座標の関数となっている。
【００２３】
上記した第１の実施形態の荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する際、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られた荷電ビーム寸法の入力値に対する偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を決定し、試料上への描画を行う第４の工程とを具備するものである。
【００２４】
第１の実施形態の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【００２５】
＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の荷電ビーム描画方法の第２の実施形態における工程全体を示すフローチャートである。実際のレジスト塗布済み試料に対する描画に先立ち、まず、ビーム寸法校正プログラムにより、ウェハステージ上で観測されるビームプロファイルをフィールド内の各点に対して測定する（ステップＳ１）。ここで、フィールド内は、ウェハステージ端部のテスト領域ではない。
【００２６】
その後、得られたビームプロファイルに対応するレジスト寸法を見積もる。このレジスト寸法見積もりの方法については、ビームプロファイルとレジスト種類、PEB や現像などのレジストプロセス、ビーム照射量など(Dose,etc.) の情報を取り入れたシミュレーション(Simu.) を用いる（ステップＳ２）。
【００２７】
なお、ステップＳ２の他の例として、図３中に示すように、予め描画フィールド内の各点でのレジスト寸法を測定したテーブル(Table) を作成し、描画時のビームプロファイルを対応付けしたデータベースを作成しておき（ステップＳ２ａ）、このデータベースからビームプロファイルに対するレジスト寸法を見つける（ステップＳ２ｂ）方法もある。このようなステップＳ２により、描画フィールド内の各点でのビーム寸法入力値に対するレジスト寸法予測値の関係式が求まる。
【００２８】
次に、この関係式の逆関数を導出する（ステップＳ３）。その後、ビームの１照射毎に補正関数によりビーム寸法の補正を行いながら、予めレジストを塗布・ベークした試料上にビーム照射し、実描画を行う（ステップＳ４）。その後、酸拡散などのベーク処理（PEB ）（ステップＳ５）、レジスト現像処理（ステップＳ６）を行うことにより実際のレジスト寸法が確定する。
【００２９】
図４は、前記ステップＳ２〜Ｓ３におけるビーム寸法変換関数導出プログラムによる処理、ステップＳ４における描画処理およびレジストプロセスの内容を具体的に示したものである。図４中に示すフローにしたがい、寸法変換関数を得て、これを逆変換することにより算出された寸法補正関数に所望レジスト寸法を入力し、描画を行う。
【００３０】
第３の実施形態におけるビーム寸法補正関数Wc の一般式を下記の５式に示す。
【００３１】
Wc = aRe,Rp(x,y,D)W +bRe,Rp(x,y,D)H + cRe,Rp(x,y,D)WH + dRe,Rp(x,y,D) ‥（５）
ただし、Wcはレジスト寸法幅補正値、Hcはレジスト寸法高さ補正値、Wはレジスト寸法幅入力値、Hはレジスト寸法高さ入力値、xは偏向領域内座標、yは偏向領域内座標、Reはレジスト種類、Rpはレジストプロセス、Dは照射量、である。
【００３２】
本実施形態では、ビームプロファイルからレジスト寸法への寸法変換関数を求める工程として、シミュレーションによるレジスト寸法予測を用いた。上記シミュレーションは、実際には、（ａ）得られたビームプロファイルのビームを、レジスト塗布した試料に照射した際の蓄積エネルギー分布を求める計算、および、（ｂ）の計算で得られた蓄積エネルギー分布からレジスト現像後のレジストプロファイルを求めて寸法を求める計算、の２工程であった。ここで、本実施形態では、上記（ａ）を富士総研（株）製の装置（“VSM/EB”）を用いて実行し、上記（ｂ）を本出願人が製作したベクトルシミュレータを用いて実行した。この結果を、日立ハイテクノロジーズ（株）製の電子ビーム描画装置（型名HL-900D ）のメモリに転送、保存した。上記したように試料上への描画が終了した後、試料をベークし、現像した。以上の処理によって、試料上に塗布したレジストに所望のパターンを形成することができた。
【００３３】
上記した第２の実施形態の荷電ビーム描画方法は、試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する際、少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくともレジスト種類、照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、前記第１の工程で得られた荷電ビーム寸法入力値に対する偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、前記第２の工程で得られたビーム寸法測定値に対するレジストパターン寸法測定値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を決定し、試料上への描画を行う第６の工程とを具備するものである。
【００３４】
本実施形態の荷電ビーム描画方法によれば、電子ビーム描画時に描画フィールドの全ての領域でビーム寸法補正精度を向上させ、ひいてはレジストパターン寸法精度を向上させることができる。さらに、描画、現像後のレジスト寸法を見積もり、この結果から寸法補正関数を導出し、これを用いてビーム寸法を補正しながら評価することにより、描画フィールドの全ての領域でレジストパターン寸法精度を向上することが可能になる。この結果、半導体チップ、光露光用マスク、フラットパネルディスプレイなどの製造歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施形態の荷電ビーム描画方法の処理フローの全体を説明するために示すフローチャート。
【図２】図１中の処理フローにおけるビーム寸法校正プログラムを説明するために示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態の荷電ビーム描画方法の処理フローの全体を説明するために示すフローチャート。
【図４】図３中の処理フローにおけるビーム寸法変換関数導出プログラムを説明するために示す図。
【図５】描画装置の偏向領域内の各点における電子ビームプロファイルとレジスト寸法の関係を説明するために示す図。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、
前記第２の工程で得られたレジストパターン寸法値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、
前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、
前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第６の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に荷電ビームが照射された試料上のビームプロファイルを描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、
前記第１の工程および第２の工程で得られた偏向領域内の各点でのレジストパターン寸法値から、少なくとも描画装置、前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスにより決定されるビーム・レジスト寸法変換差を求める第３の工程と、
前記第３の工程で得られたビーム・レジスト寸法変換差から寸法補正量を求める第４の工程と、
前記第４の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第５の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項３】
前記偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対してレジストパターン寸法を求める第２の工程が、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスを反映したシミュレーションによってなされることを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項４】
前記偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対してレジストパターン寸法を求める第２の工程が、予め試料上に塗布したレジスト膜に描画を行い、これを現像した後にレジストパターンを寸法測定することによってなされることを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項５】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、
前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、
前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第４の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項１】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られたビーム寸法測定値に対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第３の工程と、
前記第２の工程で得られたレジストパターン寸法値からビーム・レジストパターン寸法変換差を求める第４の工程と、
前記第３の工程で得られたビーム寸法歪量と前記第４の工程で得られたビーム・パターン寸法変換差からそれぞれの補正量を求め、これらを掛け合わせて寸法補正量とする第５の工程と、
前記第５の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第６の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に荷電ビームが照射された試料上のビームプロファイルを描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対して、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスで決定されるレジストパターン寸法を求める第２の工程と、
前記第１の工程および第２の工程で得られた偏向領域内の各点でのレジストパターン寸法値から、少なくとも描画装置、前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスにより決定されるビーム・レジスト寸法変換差を求める第３の工程と、
前記第３の工程で得られたビーム・レジスト寸法変換差から寸法補正量を求める第４の工程と、
前記第４の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第５の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項３】
前記偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対してレジストパターン寸法を求める第２の工程が、少なくとも前記レジスト膜の種類、荷電ビーム照射量およびレジストプロセスを反映したシミュレーションによってなされることを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項４】
前記偏向領域内の各点でのビームプロファイルに対してレジストパターン寸法を求める第２の工程が、予め試料上に塗布したレジスト膜に描画を行い、これを現像した後にレジストパターンを寸法測定することによってなされることを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項５】
試料上に塗布したレジスト膜に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
少なくとも、荷電ビーム寸法の入力値に対して、実際に照射された荷電ビームの寸法を描画装置の偏向領域内の各点で予め測定する第１の工程と、
前記第１の工程で得られた偏向領域内の各点でのビーム寸法測定値から描画装置固有のビーム寸法歪量を求める第２の工程と、
前記第２の工程で得られたビーム寸法歪量からその寸法補正量を求める第３の工程と、
前記第３の工程で得られた寸法補正量に基づいてビーム寸法入力値を補正し、当該ビーム寸法入力値にしたがって試料上への描画を行う第４の工程
とを具備することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−５６３４（Ｐ２００７−５６３４Ａ）
【公開日】平成１９年１月１１日（２００７．１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１８５１９３（Ｐ２００５−１８５１９３）
【出願日】平成１７年６月２４日（２００５．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１月１１日（２００７．１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月２４日（２００５．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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