【目的】斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果の位置依存性誤差について補正可能な描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶装置１４２と、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部１２と、図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部１４と、荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源１と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第１の矩形開口を有する第１成形スリット４と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第２成形スリット７と、該第１成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第２成形スリット上に結像させる成形レンズ６と、該第１成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第２成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器５とを備え、第２成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料１３上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第２成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃６から放出された電子ビーム５４を所定形状にする第１のアパーチャ１７と、第１のアパーチャ１７を透過した電子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第２のアパーチャ１８とを有する。実描画が行われていないときに、第２のアパーチャ１８の開口部の周囲であって第２のアパーチャ１８によって遮蔽される複数の位置に電子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の電子ビームが照射されるようにする偏向制御部３０を備える。偏向制御部３０は、ステージ駆動回路４から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、位置回路５からの情報を基に電子ビーム５４の偏向位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】迅速に偏向アンプの故障の有無を判断できる偏向アンプの評価方法と、この機能を備えた荷電粒子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】描画装置１００は、第ｎ番目にショットする電子ビーム２００のオン状態を生成する信号が発せられてから、第（ｎ−１）番目にショットする電子ビーム２００のオン状態の電圧からオフ状態の電圧に切り替わるまでの遅延時間を設定する設定部１１４と、ブランキング偏向器２１２によりショット回数が所定値になるまで電子ビーム２００のオン状態とオフ状態とを交互に繰り返す間、成形偏向器２０５または副偏向器２０９により２種類の動作パターンが交互に繰り返されて偏向された電子ビーム２００のビーム電流を測定するファラデーカップ２１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】放射ビーム描画ツールによる基板上への分割レイアウト設計等のパターンの描画に必要なショット数を低減する。
【解決手段】放射ビーム描画ツールは、１または複数の絞りを用いることにより、Ｌ字形状の画像、Ｔ字形状の画像、またはそれらの組み合わせを用いて基板上に所望のパターンを描画する。たとえば、本発明の一部の実施態様においては、パターン中の極小形状を解析して、Ｌ字形状またはＴ字形状に組み合わせ可能な隣接する矩形の極小形状を識別するようにしてもよい。その後、放射ビーム描画ツールは、Ｌ字形状またはＴ字形状に対応する画像を基板上に形成することによって、単一のショットで基板上にこれら極小形状を描画することができる。 （もっと読む）

本発明は、表面に所望のパターンを形成するための、可変整形ビーム（ＶＳＢ）ショットを用いるための方法を説明し、複数のＶＳＢショットの集合体は、所望のパターンから逸脱する。さらに、ＶＳＢショットは、互いに重なり合うことが可能にされ、ショットのドーズを変化することが可能である。同様の方法が、光近接効果補正（ＯＰＣ）、フラクチャリング、マスクデータ準備、および近接効果補正について開示される。グリフ生成のための方法も開示され、それにおいては、１つのＶＳＢショットまたはＶＳＢショットのグループから表面上にもたらされるパターンが事前計算される。いくつかの実施形態においては、最適化技術が、ショット数を最小化するために用いられ得る。本開示の方法は、たとえば、レチクルを用いる光リソグラフィによって集積回路を製造するプロセスや、直接描画を用いて集積回路を製造するプロセスにおいて用いられ得る。
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【目的】第１と第２のアパーチャで成形される図形の振り戻し偏向量を取得する。
【構成】成形ビームのオフセット偏向量取得方法は、マークの参照画像と第１の図形の参照画像との第１のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第２の図形の参照画像との第２のコンボリューション参照画像とを作成し、電子ビームでマーク上を走査して、第１と第２の図形の光学画像を取得し、第１のコンボリューション参照画像と第１の図形の光学画像との第１のコンボリューション合成画像と、第２のコンボリューション参照画像と第２の図形の光学画像との第２のコンボリューション合成画像とを作成し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を演算し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第１と第２の図形の基準位置が一致するように第２の図形に成形された電子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ線形性を補正できる可変成形ビームを利用した露光方法を提供する。
【解決手段】回路パターンの設計ＣＤに対するＣＤ線形性を補正し、工程上で発生するＣＤ散布及びＭＴＴ差を最小化できる可変成形ビームを利用した露光方法であって、該可変成形ビームを利用した露光方法は、回路パターンを露光するビームショットの設計サイズが所定値以下であるか所定値以上であるかを判別する。判別の結果、設計サイズが所定値以上である場合、ビームショットのサイズを線形的に補正する。判別の結果、設計ＣＤが所定値以下である場合、ビームショットのサイズを非線形的に補正する。 （もっと読む）

【目的】第１と第２の成形アパーチャによって成形されるビームにおける空間電荷効果によるビーム解像度の劣化による弊害を克服する描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、第１と第２の成形アパーチャを通過することで第１の形状に成形された第１の荷電粒子ビームを試料に照射する第１の照射工程と、第１の形状を構成する各辺を成形する成形アパーチャを反対にして、第１と第２の成形アパーチャを通過することで第２の形状に成形された第２の荷電粒子ビームを、第１の荷電粒子ビームを照射した位置に重ねて照射する第２の照射工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い精度で電子ビームによりパターンの描画を行なう。
【解決手段】偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射し補正パターンの描画を行なう工程と、描画された補正パターンに基づき電子ビームの形状の補正を行なう工程と、形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】可変矩形方式の描画において、描画時間を短縮させる。
【解決手段】計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程Ｓ３０と、矩形近似パターンに基いて第１補正パターンを生成する工程Ｓ４０，Ｓ５０と、第１補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、照射パターンを生成する工程Ｓ６０と、を具備する。プロセスバイアスΔは、実際に被描画体に形成される形成パターンの前記照射パターンに対する縮小量である。第１補正工程は、矩形近似パターンに基いてΔ移動パターンを生成するΔ移動工程を有し、Δ移動工程においてΔ移動パターンを生成するにあたり、矩形近似パターンの側部を、プロセスバイアスΔの量だけ移動させる。 （もっと読む）

【課題】アパーチャマスクデータ作成における既存の方法には、回路パターン完成前のアパーチャマスクデータ作成が困難であること、偏向距離短縮と描画精度向上のふたつの基準を同時に満たすアパーチャマスクデータ作成が困難であること、および、アパーチャマスクの運用過程で起こりうる性能低下に対するブラッシュアップの時期提起およびブラッシュアップ実行が困難であるという問題点がある。
【解決手段】荷電ビーム描画用アパーチャマスクのアパーチャマスクデータを作成するアパーチャマスクデータ作成装置であって、各キャラクタ開口をグループ化するグループ化手段と、アパーチャマスク上に形成する各キャラクタ開口の形成位置を決定するキャラクタ開口配置手段と、前記アパーチャマスクデータを作成するアパーチャマスクデータ作成手段とを備えることを特徴とするアパーチャマスクデータ作成装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は２レンズ，３レンズ光学系走査型収差補正集束イオンビーム装置及び２レンズ，３レンズ光学投影型収差補正集束イオン・リソグラフィー装置を提供することを目的としている。
【解決手段】イオン源からイオンビームを引き出す引出電極と、引き出されたイオンビームの開き角を制御するコンデンサレンズから構成されるガンレンズ、前記イオン源から発生した比較的広い放射角をもつイオンビームからの特定の放射角を持つイオンビームを取り出す電流制限絞り、該電流制限絞りを通過したイオンビームの電流量を変えることなく開き角制御が可能な静電型開き角制御レンズ、色収差や球面収差を補正する静電型収差補正装置、ビームを試料上に集束するための静電型対物レンズの順で並べられ、更に集束したイオンビームを試料上の２次元方向に走査するデフレクタを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】高電流密度の成形ビームを生成するための方法および荷電粒子光学装置を提供すること。
【解決手段】この荷電粒子ビームリソグラフィ装置及び／又は方法は、複数のビーム成形アパーチャを要せずに高電流密度成形ビーム２２２を生成するビームパターン限定アパーチャ２１２と、ウエハ２２１上に荷電粒子ビーム２２２を収束させるレンズ２０５，２１６と、電子源２０１とウエハ２２１との間の中間でクロスオーバを要せずに荷電粒子ビーム２２２を偏向させるブランキング偏向器とを有する。 （もっと読む）

標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース（１）とマスク（８）との間の相対位置とは無関係にマスク（８）と標本ホルダ（３）との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部（１０）に少なくとも第１の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
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【課題】サブフィールド内での照明荷電粒子線の強度分布を目標値内に押さえることを可能とする荷電粒子線露光装置の照明光学系の調整方法を提供する。
【解決手段】エミッタ１から放出された主軌道６に付随したビームは第１のレンズ２で曲げられ、トリムアパーチャ３より僅かに下に集光される。トリムアパーチャ３が無い場合には、クロスオーバは７の位置にできる。トリムアパーチャ３を透過したビームは内径の小さいレンズ４により、光軸から離れたビームほど距離に比例するよりも大きな角度で曲げられる。この時、エミッタ上の非一様な温度分布と、クロスオーバ位置７とトリムアパーチャ３の位置がずれている効果はシャーピングアパーチャ５の電流分布を凸にするように働き、レンズ４の強い幾何収差は照明分布を凹にするように働く。これらの凹凸にする効果はお互いにキャンセルしあい、電流分布は最終的には図１(b)に示すように平坦な分布となる。 （もっと読む）

【目的】 ビーム分解能の劣化を抑えながら最良のスループットを実現する手法を提供することを目的とする。
【構成】 電子ビーム２００が複数ショットされることにより描画されるパターンのパターンデータを入力し、入力されたパターンデータに応じて、ショットする前記電子ビーム２００の電流密度とショットする最大ショットサイズとを選択する描画データ処理回路３１０と、選択された前記電流密度で前記電子ビーム２００を形成し、形成された電子ビーム２００を各ショット毎に前記最大ショットサイズ以下のショットサイズに成形し、成形された電子ビーム２００を試料にショットして前記パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）