【課題】微細な測定物の大きさの測定に適用することができて、作業者による測定値のばらつきが発生せず、測定精度が高い測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】試料搭載部１６の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料２０を搭載し、ＳＴＥＭ検出器１７及び画像解析部１８により結晶格子像を取得する。画像解析部１８は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。そして、補正後の回折スポット像を逆フーリエ変換して実空間の画像とするとともに、スケールを逆数に変換して実空間のスケールとする。 （もっと読む）

【課題】表面から散乱したＸ線の検出に基づいて、試料の表面上における周期構造の寸法を測定するための、改善された方法および装置を提供する。
【解決手段】試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。回折スペクトルは、構造の寸法を決定するために解析される。
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【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の膜を積層して成膜する。この基板１上に形成され上記基板１上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、Ｘ線をマイクロ化されたスポット径で照射して、Ｘ線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】層寸法を正確に測定する方法を提供する。
【解決手段】平坦な試料の領域上に作用させるべく励起光線をあてるステップを有し、該試料は、その試料の面に垂直な側壁を持った特徴部を含んでおり、該側壁は、その上に薄膜を有している。励起光線に応じて試料から放出された蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）の強度が測定され、強度に基づいて側壁上の薄膜の厚さが評価される。別の方法では、研磨後の試料の表層にある凹部の幅と、凹部内に堆積した材料の厚さとが、ＸＲＦを用いて評価される。 （もっと読む）

【課題】 被測定物に対して斜めから測定波を照射し被測定物から反射される反射波の回折角から被測定物のひずみを測定するひずみ測定方法において測定精度を向上する。
【解決手段】 本発明のひずみ測定装置は、被測定物２４に所定の光束の測定波を照射する照射手段１０と、被測定物２４によって反射された反射波を検出する検出手段２０と、検出手段２０で検出される反射波を、被測定物２４中及び／又はその近傍に設定される測定領域から反射される反射波に制限する制限手段１６，１８と、検出手段２０で得られた検出結果を、前記測定領域とその測定領域内に存在する被測定物との幾何学的関係から補正する第１補正手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】一台の装置で、小角散乱、Ｘ線回折、反射率測定等を容易に行える装置を提供する。
【解決手段】試料分析装置は、第１のＸ線収束ビームを試料表面に向け、第２のＸ線平行ビームを試料表面に向けるように構成された照射源を含む。動作アセンブリは、照射源を、Ｘ線が試料表面にかすめ角で向けられる第１の光源位置と、Ｘ線が表面に試料のブラッグ角近傍で向けられる第２の光源位置との間で移動させる。検出素子アセンブリは、照射源が、第１および第２の光源構成のいずれか、および第１および第２の光源位置のいずれかにあるときに、試料から散乱したＸ線を角度の関数として感知する。信号処理部は、検出素子アセンブリからの出力信号を受けてこれを処理し、試料の特性を判定する。 （もっと読む）

【課題】 サンプルの迅速なＸＲＲ及びＸＲＤに基づいた分析用の装置及び方法を提供する。
【解決手段】 サンプルの分析用の装置は、サンプルの表面に向かってＸ線の収束ビームを案内するべく適合された放射源を含んでいる。同時に、サンプルから散乱したＸ線を、仰角の範囲にわたって、仰角の関数として検知し、この散乱したＸ線に応答して出力信号を生成するべく、少なくとも１つの検出器アレイが構成されている。この検出器アレイは、グレージング角で、サンプルの表面から反射したＸ線を検出器アレイが検知する第１の構造と、サンプルのＢｒａｇｇ角の近傍において、表面から回折したＸ線を検出器アレイが検知する第２の構造と、を具備している。そして、信号プロセッサが、サンプルの表面層の特性を判定するべく、この出力信号を処理する。 （もっと読む）

本発明は、ワークピース（９）に対して不動に位置決めされている第一座標系を固定すること、 ワークピース（９）の第一座標を、第一座標測定装置（３）を使用することにより測定すること、 ワークピース（９）の第二座標を、第二座標測定装置（５）を使用することにより測定すること、そして 第一座標と第二座標から、共通の座標組を、ワークピース（９）に不動に位置決めされた座標系に対する第一座標系においてあるいは第二座標系において作ることを特徴とするワークピース（９）の座標を確定するための方法に関する。特に多数のワークピース（９）の座標はワークピース（９）の製造工程および／または加工工程の最中および／または後に確定することができる。さらに本発明はワークピース（９）が両座標測定装置（３，５）を用いた測定の間に位置および／または姿勢が変化する場合にも関する。
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