【課題】半導体集積回路に含まれる終端抵抗の抵抗値を４端子法によって測定をするためには、必要となる端子が増加し、半導体集積回路のチップサイズが増加するという問題がある。そのため、半導体集積回路のチップサイズ増加を抑制しつつ、終端抵抗の抵抗値を高精度で測定可能な半導体集積回路が、望まれる。
【解決手段】半導体集積回路は、第１乃至第４のパッドと、第２のパッドと第４のパッドの間に接続される第１の抵抗と、第３のパッドと第４のパッドの間に接続される第２の抵抗と、第１のパッドと第２のパッドの間に接続される第１のスイッチと、第１のパッド及び第３のパッドを４端子法における電圧測定端子として、第２のパッド及び第４のパッドを４端子法における電流供給端子として、それぞれ使用し第１の抵抗の抵抗値を測定するテストモードへの遷移指示を含む制御信号に基づき、第１のスイッチをオンする制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを介して測定対象体に対する測定用電圧の出力をオン・オフする構成において、スパイク電圧を大幅に低減する。
【解決手段】規定電圧値Ｖ１の測定用電圧Ｖｍを測定対象体２１に出力する電圧出力装置１であって、測定用電圧Ｖｍを出力すると共に測定用電圧Ｖｍの電圧値を制御可能な電源部２と、電源部２から出力される測定用電圧Ｖｍの測定対象体２１に対する出力をオン・オフする半導体スイッチ３ａと、電源部２および半導体スイッチ３ａを制御する処理部５とを備え、処理部５は、半導体スイッチ３ａをオフ状態に制御した状態において電源部２に対する制御を実行して測定用電圧Ｖｍの電圧値を段階的に複数回に亘って変化させて規定電圧値Ｖ１に設定する電圧設定処理、および半導体スイッチ３ａをオン状態に制御して規定電圧値Ｖ１に設定された測定用電圧Ｖｍを測定対象体２１に出力する電圧出力処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】検査効率を向上させる。
【解決手段】導体パターンを有する基板に電子部品が搭載された回路基板１００における複数の接触点に対してプロービングされたプローブ２１を介して入出力する電気信号Ｓに基づいて電子部品の良否を判定する検査処理を実行すると共に、検査処理において電子部品が不良と判定したときにはプロービングの再実行後に検査処理を再実行する制御部１８を備え、制御部１８は、検査処理を再実行する際に、直前の検査処理において不良と判定したときの不良の内容が予め決められた特定の内容に該当する電子部品だけを対象として電子部品の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、無基板チップ積層体の導通検査を従来の検査装置で実施可能なＴＳＶ実装プロセスを用いて製造するマルチチップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ウエハを分割して形成したチップ１１０の表面に複数のテスト電極１３０と複数の外部電極１３１とを形成する。チップ１１０には外部電極１３１とテスト電極１３０とを導通する複数のシリコン貫通孔１１１が設けられる。次に、無基板チップ積層体１００を接着テープ２５２の上に固定し、充填封止体１５０を接着テープ２５２上に形成する。次に、ウエハテストトレー２６０内に接着テープ２５２を支持するテープキャリア２５０を固定する。導通検査では、無基板チップ積層体１００は接着テープ２５２に接着されたままウエハ検査装置２７０内に搭載され、ウエハ検査装置２７０の複数のプローブ２７１によって無基板チップ積層体１００の導通の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】仲介部材を介して被測定装置と測定装置を接続した状態で実行される所定の試験の精度を高める。
【解決手段】コンピュータが、仲介部材を介して測定装置に接続された被測定装置の合否を判定する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記仲介部材の抵抗値を算出する抵抗算出工程Ｓ１０と、前記被測定装置に試験信号を入力し、その後、前記被測定装置から出力された応答信号を取得する測定工程Ｓ２０と、抵抗算出工程Ｓ１０で算出された抵抗値を利用して、測定工程Ｓ２０で取得された応答信号を補正後、補正後の応答信号と、予め定められた規格値との比較結果に基づいて、当該被測定装置の合否を判定する判定工程Ｓ３０と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】不良電流パスの選別に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体装置は、それぞれ少なくとも１つの貫通電極を含み、インターフェイスチップ内に第１のノードｎ１を有する複数の電流パス１０１_Ｘと、互いに異なる複数の電圧値からなる比較電圧ＤＡＣＯＵＴを生成する比較電圧生成部１０２と、複数の電流パス１０１_Ｘそれぞれの第１のノードｎ１の電圧ＴＳＶＣ_Ｘと、比較電圧ＤＡＣＯＵＴの上記複数の電圧値それぞれとを比較し、比較の結果を示す比較結果信号ＣＭＰ_Ｘを電流パス１０１_Ｘごとに出力する比較部１０３と、比較結果信号ＣＭＰ_Ｘに応じて、複数の電流パス１０１_Ｘのそれぞれが高抵抗化しているか否かを示す結果信号ＲＥＳＬＴ_Ｘを生成する結果信号生成部１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの実装・非実装の判別と共に、非実装のときには非実装のコンデンサが実装されるべき位置を判別する。
【解決手段】導体パターン１１，１２上の測定点Ｐ１，Ｐ２間のインピーダンスの周波数特性を測定する測定部２と、コンデンサ２１〜２３が正常に実装された状態での周波数特性に現れる各共振周波数ｆ１〜ｆ３毎に、共振周波数ｆ１〜ｆ３を含む判定範囲ｆｒ１〜ｆｒ３と共振周波数ｆ１〜ｆ３に対応するコンデンサ２１，２２，２３とを対応付ける基準データＤ２が記憶された記憶部３と、コンデンサ２１〜２３の実装状態が未知の導体パターン１１，１２についての周波数特性を測定部２に測定させ、この周波数特性に現れている共振周波数と基準データＤ２の各判定範囲ｆｒ１〜ｆｒ３とを比較して、共振周波数を含まない判定範囲ｆｒ１〜ｆｒ３に対応付けられたコンデンサが非実装状態であると判別する処理部４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】部品実装基板に対して行う電気的検査において用いる検査用データを作成する際の入力作業を効率よくかつ正確に行う。
【解決手段】回路基板に電気部品（抵抗器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ６，Ｒ７）が実装された部品実装基板に対して行う電気的検査において電気信号の入出力を行うための部品実装基板における検査ポイントを示すポイント情報を含む検査用データを作成する処理部と、ポイント情報を入力する操作が可能な操作部と、ポイント情報の入力時に参照させる図であって回路基板の配線（Ｗ１〜Ｗ３，Ｗ６，Ｗ７）および電気部品の配置を示す配置図Ｆを表示部１２に表示させる表示制御部とを備え、操作部は、配置図Ｆ内に図示されている配線を選択する選択操作が可能に構成され、処理部は、選択操作によって選択された配線を示す情報をポイント情報として検査用データを作成する。 （もっと読む）

【課題】検査ポイントや判定用の基準値を正確かつ効率的に設定する。
【解決手段】回路基板に電気部品が実装された部品実装基板に対して行う電気的検査において電気信号の入出力を行うための部品実装基板における検査ポイントを示すポイント情報を含む検査用データを作成可能に構成され、検査用データの作成時に参照させる図であって回路基板の配線および電気部品の配置を示す配置図Ｆ２を表示部１２に表示させる表示制御部を備え、表示制御部は、配置図Ｆ２を表示させる際に、予め設定された条件を満たす電気部品の図示を省略して表示させる第１表示処理を実行可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】部品実装基板に対して行う電気的検査において用いる検査用データを作成する際の入力作業の効率を向上させる。
【解決手段】回路基板に電気部品（抵抗器Ｒ１〜Ｒ８）が実装された部品実装基板における基板の配線（Ｗ１〜Ｗ７）上に規定されている規定ポイント（Ｐ１ａ〜Ｐ７ｂ）の中から選択されて部品実装基板に対して行う電気的検査において電気信号の入出力を行うための検査ポイントを示すポイント情報を含む検査用データを作成する処理部と、配線および電気部品の配置を示す第１配置図を表示部１２に表示させる表示制御部とを備え、表示制御部は、第１配置図内に図示されている配線を選択する第１選択操作が行われたときに規定ポイントの配置を示す第２配置図Ｆｂを表示部１２に表示させ、その際に、第１選択操作によって選択された配線上に規定されている規定ポイントを他の規定ポイントと識別可能に図示させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ−Ｙ型回路基板検査装置で４端子対法による測定を行うにあたって、各可動アームを自由に動き得るようにする。
【解決手段】４端子対法による計測を行うため、電流プローブＰ１，Ｐ２および電圧プローブＰ３，Ｐ４の測定部に至る電気配線に同軸ケーブルＣ１〜Ｃ４を用いるとともに、所定の導体１００に接触して互いに導通する第５，第６のプローブＰ５，Ｐ６をさらに備え、第１可動アーム３２側に第１電流プローブＰ１，第１電圧プローブＰ３および第５プローブＰ５を設けて、これらの各プローブＰ１，Ｐ３，Ｐ５をリード線５を介して接続し、第２可動アーム３１側に第２電流プローブＰ２，第２電圧プローブＰ４および第６プローブＰ６を設けて、これらの各プローブＰ２，Ｐ４，Ｐ６をリード線５を介して接続する。 （もっと読む）

【課題】プローブピンと測定対象物との導通状態を確保しつつ、測定対象物の過度の損傷を抑制することを課題とする。
【解決手段】プローバ装置は、プローブピンと、このプローブピンの先端部を接触させる電極パッドが設けられた半導体ウェハ等の測定対象物が設置される台座部を備える。さらに、プローバ装置は、プローブピンと測定対象物の少なくとも一方を往復振動させる振動発生部を備える。そして、プローブピンの先端部が台座部に設置された測定対象物に接触したときのプローブピンと電極パッドとの間の電気抵抗値Ｒを取得する検出回路部を備える。制御部は、検出回路部により取得された電気抵抗値Ｒに基づいて、この電気抵抗値Ｒが予め設定されたしきい値を越え、導通状態となったか否かを判断する。そして、導通が確保されたら、振動発生部による往復振動を停止させ、測定機器による測定を行う。 （もっと読む）

【課題】内部信号線の寄生抵抗値を測定できるようにする。
【解決手段】インターフェースチップとコアチップとを電気的に接続する１又は複数の内部信号線１０１を備え、インターフェースチップは、内部配線に電流を出力する第１の回路１１１を有し、コアチップは、第１の内部信号線１０１に電流を出力する第２の回路１２１を有し、インターフェースチップは、第１の回路１１１が出力する電流が流れる上記内部配線に接続される第１の入力端子１５１ａと、第１の内部信号線１０１のインターフェースチップ内の端部１０１ａに接続される第２の入力端子１５１ｂとを有し、第１の入力端子１５１ａの電圧と第２の入力端子１５１ｂの電圧との電位差に応じた電圧を出力する判定回路１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図りつつ、電気的パラメータを正確に測定させる。
【解決手段】電気的パラメータを測定する測定点（測定点Ｐａ１〜Ｐａ１０のいずれか）にプロービングさせたプローブ（プローブＰｂ１〜Ｐｂ１０のいずれか）に対して付与されている第１の識別番号を測定手順データＤ１に基づいて特定し、かつ特定した第１の識別番号のプローブが接続されているプローブ接続部（接続部Ｃ１〜Ｃ１０のいずれか）の第２の識別番号を、各プローブ接続部に対する各プローブの接続関係に応じて第１の識別番号および第２の識別番号を相互に対応付けた識別番号データＤ２に基づいて特定し、スキャナ４を制御して、特定した第２の識別番号のプローブ接続部に接続されているプローブを測定部５に接続させる。 （もっと読む）

【課題】平面回路基板の種類によらず同一装置により検査を行うこと。
【解決手段】電気検査装置２は、平面回路基板１に対向可能に配置され、所定の規則により一様に配列された多数のプローブピン３と、多数のプローブピン３を支持すると共に、多数のプローブピン３を平面回路基板１に対して移動させるためのピンボード４と、各プローブピン３に接続され、各プローブピン３からの信号に基づき平面回路基板１の電気的特性を計測するための計測部１２等と、各プローブピン３を、計測部１２等に対して選択的に接続するための接続切替部１５と、電源部１３と、通信部１４と、制御部１１とを備える。平面回路基板１上に形成されたプローブピン３と接触可能な検査点３７Ａ〜３７Ｈの配置は、多数のプローブピン３の配列に整合するように予め配置される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ−Ｙ型（もしくはフライング型等）の回路基板検査装置おいて、４端子対法による測定を可能とする。
【解決手段】測定部２０の測定電流径路に含まれる電流プローブＰ１，Ｐ２および電圧検出径路に含まれる電圧プローブＰ３，Ｐ４と、各プローブを任意方向に移動させる可動アーム３１，３２と、可動アーム３１，３２の動きを制御する制御部１０とを備え、可動アーム３２側で電流プローブＰ１，電圧プローブＰ３を支持し、可動アーム３１側で電流プローブＰ２，電圧プローブＰ４を支持し、電流プローブＰ１，Ｐ２および電圧プローブＰ３，Ｐ４の電気配線に同軸ケーブルＣ１〜Ｃ４を用い、４端子対法とするため、各同軸ケーブルの外部導体Ｓのすべてをリード線５により接続し、制御部１０にて、可動アーム３１，３２の間隔を常にそれらの間に掛け渡されているリード線５ａの配線長の範囲内として、可動アーム３１，３２の移動を制御する。 （もっと読む）

【課題】同一電源に接続された複数の出力バッファのトランジスタの抵抗値を一括して測定することができる半導体集積回路のテスト回路及びテスト方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、出力バッファＢ１〜Ｂｎ及び選択回路ＳＥＬ１〜ＳＥＬｎを有する。出力バッファＢ１〜Ｂｎは、電源電圧ＶＤＤと出力端子Ｏ１〜Ｏｎとの間に接続されたＰｃｈトランジスタＭｐ１〜Ｍｐｎと、グランド電圧ＧＮＤと出力端子Ｏ１〜Ｏｎとの間に接続されたＮｃｈトランジスタＭｎ１〜Ｍｎｎと、を有する。選択回路ＳＥＬ１〜ＳＥＬｎは、それぞれ出力バッファＢ１〜Ｂｎと接続される。選択回路ＳＥＬ１〜ＳＥＬｎは、それぞれＰｃｈトランジスタＭｐ１〜Ｍｐｎを非線形領域で動作させた状態において、ＮｃｈトランジスタＭｎ１〜Ｍｎｎをオフにし、又は線形領域で動作させる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の試験方法において、電気的な試験の信頼性を高めること。
【解決手段】信号電流I3、I6の入力又は出力に供する内部回路２１と、信号電流I3、I6に応じた複製電流I5、I7を出力するカレントミラー部２２と、複製電流I5、I7を取り出す試験パッド３２とを有する半導体集積回路２０による。 （もっと読む）

【課題】測定時間の短縮、回路構成の簡素化、および動作不良発生を低減し、プロービング対象体に対して確実に接続させる。
【解決手段】プローブピン２１と、螺旋状溝４４を有してプローブピン２１に配設された柱状体２２と、柱状体２２を挿通させた状態で移動可能な筒状体２３と、筒状体２３の基端部５１側に配設されて螺旋状溝４４に絶縁状態で係合して筒状体２３の移動に伴って柱状体２２を回転させる向きに螺旋状溝４４を押圧する非導電性ボール２４ａと、基準電位に接続されると共に筒状体２３の先端部５２側に配設されて筒状体２３が柱状体２２の基端部４１側に位置しているときに螺旋状溝４４に電気的接続状態で係合し、筒状体２３が柱状体２２の先端部４２側に位置しているときに螺旋状溝４４から離反する導電性ボール２４ｂと、プローブピン２１の先端部３２側を筒状体２３からの離反方向に付勢するスプリング２６とを備えている。 （もっと読む）