【課題】広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、及び（Ｂ）２種類以上の、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】広い露光ラテテュード、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および（Ｃ）２種類以上の塩基性化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（Ｒ_１は水素原子又はメチル基。Ｒ_２はハロゲン原子等。ｎは０〜５の整数。）
（もっと読む）

【課題】広い露光ラチチュード、広いデフォーカスラチチュード、良好なパターン形状を得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される各繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなり、成分（Ｂ）の化合物として、少なくともカルボン酸を発生する非イオン性化合物を含む２種以上の化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上できる新規なラクトン骨格を含む高分子化合物を提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）


（式中、Ｒ^aは水素原子等を示し、Ａは炭素数１〜６のアルキレン基等を示し、Ｙは炭素数５以上の２価の有機基を示す）で表されるラクトン骨格を含むモノマー単位と、酸の作用により脱離してアルカリ可溶となるモノマー単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ¹はラクトン骨格を有する基を示し、Ｙは炭素数１〜６の２価の有機基を示す）
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 （もっと読む）

【課題】
レジストパターン形成時の露光におけるフォーカス深度マージンが広く、且つレジスト下層膜上に所望の形状のレジストパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
ヒドロキシ基を少なくとも表面に有するレジスト下層膜が形成された基板を用意し、前記レジスト下層膜の表面上にビニルエーテル類を含有する層を形成し、前記レジスト下層膜の表面からヒドロキシ基を消滅又は減少させる処理を行い、その後前記ビニルエーテル類を洗浄し、前記処理が行われたレジスト下層膜の表面上にレジスト膜を形成し、少なくとも前記レジスト膜に対し露光及び現像を行う、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。
【解決手段】一般式(１)で示される繰り返し単位を１種以上有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．０１〜０．４、屈折率(ｎ値)が１．４〜２．１の範囲の高分子化合物(Ａ)と、芳香環を有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物(Ｂ)とをそれぞれ１種以上含有する反射防止膜形成材料。
（もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。
【化１０２】


（式中、ｎは１〜１０の整数を示す。Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基、又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。
（もっと読む）

【課題】光学特性及びエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたｎ値が高く、ｋ値が低く透明でかつエッチング耐性が高く、更に昇華性成分が極めて少ない下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位を有するポリイミド、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。


（式（１）中、Ｒは環状構造、非環状構造、または環状構造と非環状構造を有する炭化水素から誘導される４価の芳香族基または脂肪族基である。Φは炭素数２〜３９の構成単位であり、脂肪族構成単位、脂環族構成単位、芳香族構成単位、オルガノシロキサン構成単位、またはこれらの組み合わせあるいは繰り返しからなる構成単位である。） （もっと読む）

【解決手段】側鎖に、芳香族炭化水素基および三級炭素を含有する鎖状または環状のアルキル基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明の材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。また、マスク加工における、ＥＢ描画において、微細パターンの解像性、高感度で高加速電圧ＥＢ露光に相応しく、エッチング耐性に優れたポジ型レジスト材料を提供でき、マスク加工に極めて有用でもある。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
（もっと読む）

【課題】組成物中において経時変化により発生する異物が増加することがなく保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して十分な耐性を有するシリコン含有膜を形成可能な多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、ポリシロキサン（Ａ）並びに有機溶媒（Ｂ）を含有しており、有機溶媒（Ｂ）として、アルコール系有機溶媒（Ｂ１）を１〜５０質量％、及び式（２）で表される有機溶媒（Ｂ２）を１〜３０質量％〔但し、有機溶媒（Ｂ）全体を１００質量％とする〕含むことを特徴とする多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物。


〔式（２）において、ｍは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】放射線に対する透明性が高く、感度、ドライエッチング耐性等のレジストとしての基本物性に優れ、且つ、解像度、焦点余裕度、パターン形状に優れる。
【解決手段】酸解離性基含有樹脂と、感放射線性酸発生剤と、溶剤とを含有する感放射線性樹脂組成物において、上記樹脂は、特定構造の酸解離性基を有する繰り返し単位を含む共重合体を含有し、酸解離性基を有する繰り返し単位は、共重合体を構成する全繰り返し単位に対して、５５モル％を超えて含有し、共重合体は、樹脂全体に対して、９０質量％以上含有する。 （もっと読む）

【課題】パターン露光後の現像工程を省略することができる、新規なフォトリソグラフィー法を提供すること。
【解決手段】被加工表面上に、ヒートモード感光性化合物を蒸着することにより蒸着膜を形成すること、上記蒸着膜に、上記化合物が感光性を有する波長のレーザー光をパターン露光すること、および、上記パターン露光後の蒸着膜を有する被加工表面の少なくとも一部にエッチング処理を施し、上記パターン露光において露光された部分に対応する領域における被加工表面の少なくとも一部をエッチングすること、を含む被加工表面のエッチング方法。被加工物上に複数の凹凸を形成する加工方法。被加工物上に、ヒートモード感光性化合物を蒸着することにより蒸着膜を形成すること、および、上記蒸着膜に、上記化合物が感光性を有する波長のレーザー光をパターン露光することにより、該蒸着膜に複数の凹部を形成すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にＣＯガス及びＮ２ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたＣＯガス及びＮ２ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜３３０を成膜する工程、膜３３０上に酸化シリコン膜３３５を形成する工程、膜３３５上にＡｒＦレジスト膜３４５を形成する工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をパターニングする工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をマスクとして酸化シリコン膜３３５をエッチングする工程、酸化シリコン膜３３５をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜３３０をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜３３０をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される新規なフォトレジスト用化合物、上記のフォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記のフォトレジスト液を使用して所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。
【解決手段】下記一般式(Ａ)で表される化合物。


[一般式(Ａ)中、Ｘ¹およびＸ²は、酸素原子、等を表し、ｍおよびｎは０〜３の範囲の整数を表し、Ｒ¹〜Ｒ³は水素原子または置換基を表し、Ｌ¹およびＬ²は二価の連結基を表す。] （もっと読む）

【課題】埋め込み性に優れ、昇華物量が少ないことに加え、エッチング耐性に優れ、屈折係数及び衰退係数の値が良好である下層膜を形成可能な下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）所定の構造単位を有する重合体と、（Ｂ）ブチルエーテル基を有する架橋剤と、（Ｃ）溶剤と、を含有する下層膜形成組成物。 （もっと読む）