【課題】フォトレジストによるリソグラフィー技術は、非常に高い経時安定性を得る必要がある。また、基板に依存しない良好なパターンプロファイルや高解像度が得られるものでなければならない。本発明はこれらの課題を同時に解決し得る化学増幅型ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法、さらにフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト化合物であって、下記一般式（１）等で表されるモノマー単位を１種あるいは２種以上含有し、ポリマーの水酸基の一部がアセタール基により保護されたアルカリ不溶性ポリマーであって、酸触媒によって脱保護された時にアルカリ可溶性となるベースポリマー、スルホネートアニオンを含有するトリアリールスルホニウム塩、塩基性成分、有機溶剤を主要成分として含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
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【課題】新規な含フッ素化合物、および該化合物をモノマー単位とし、液浸露光用レジスト組成物の成分として好適な高分子化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（ａ−ｉ）で表される化合物、及び当該化合物を重合して得られる高分子化合物。［式（ａ−ｉ）中、Ｒは水素原子、低級アルキル基、又はハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘはアルキレン基または脂環を有する二価の有機基であり；Ｒ^１はフッ素原子を有する有機基である。］
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつレジスト被膜中での拡散長が適度に短く、またマスクパターンの疎密度への依存性が小さい新規な酸発生剤、当該酸発生剤を構成する新規なスルホン酸塩、当該酸発生剤から発生するスルホン酸、当該酸発生剤を合成する原料ないし中間体として有用なスルホン酸誘導体、並びに当該スルホン酸塩を製造するための方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造を有する酸発生剤によって、前記課題は解決する。


〔一般式（１）において、Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の直鎖状もしくは分岐状の１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数３〜３０の環状もしくは環状の部分構造を有する１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０の１価のヘテロ環状有機基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】反射防止能に優れたレジスト下層膜を形成することができる多層レジストプロセス用下層膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）ノボラック樹脂と、（Ｂ）有機溶剤と、を含有し、（Ａ）ノボラック樹脂が、（ａ１）分子中にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物を１〜９９質量％、（ａ２）ナフトールを１〜１０質量％、（ａ３）フェノール性水酸基を有する化合物（但し、前記（ａ１）化合物及び前記（ａ２）ナフトールを除く）を０〜９８質量％（但し、（ａ１）＋（ａ２）＋（ａ３）＝１００質量％とする）、及び（ａ４）アルデヒド、を縮合して得られる樹脂である多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用溶媒への溶解性に優れた重合体；ディフェクトが少なく、ラインエッジラフネスが小さいレジストパターンを形成できるレジスト組成物；および、欠陥の少ない高精度の微細なパターンが形成された基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】極性基を有する構成単位および酸脱離性基を有する構成単位を含むｎ種（ｎ＝２以上）の構成単位からなる重合体（Ｐ）であって、重合体（Ｐ）における各構成単位（Ｕｉ）（ｉ＝１〜ｎ）の割合Ｘ_Ｕｉと、サイズ排除クロマトグラフィー法によって重合体（Ｐ）に含まれる質量平均分子量以上の分子量の重合体（ＰＨ）をｍ個（ｍ＝４以上）に分画した各フラクションに含まれる重合体（ＰＨｊ）（ｊ＝１〜ｍ）における各構成単位（Ｕｉ）の割合Ｘ_Ｕｉｊとが０．９５≦Ｘ_Ｕｉｊ／Ｘ_Ｕｉ≦１．０５を満足する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線によるレジストパターン形成において、ＰＥＤ、ＰＣＤ等によって影響を受けることなく、微細で、かつ、正確なレジストパターンを形成するための方法を開発すること。
【解決手段】 基板に塗布されたレジスト上にスルホン酸基またはカルボキシル基を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）および２５℃における解離定数ｐＫａが１０以下である塩基性化合物（Ｂ）を含む導電性組成物を塗布して導電体を形成する導電性組成物塗布工程と、導電体を７０〜１４０℃で加熱する加熱工程と、次いで導電体が形成された基板に荷電粒子線によりレジストパターンを形成する荷電粒子線照射工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】支持体上に、ポジ型の第一の化学増幅型レジスト組成物を用いて１回目のパターニングを行い、第一のレジストパターンを形成した後、その上にさらに第二の化学増幅型レジスト組成物を用いて２回目のパターニングを行うダブルパターニングプロセスにおいて、第一のレジストパターンを損なうことなく２回目のパターニングを実施でき、微細なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第一のパターニング工程で第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、露光後ベーク処理を施し、現像してレジストパターンを形成する第二のパターニング工程における露光後ベーク処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行う。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｙ^１１は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり、Ｙ^１２は炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基であり、Ｙ^１３は単結合又は二価の連結基であり、Ｘ^１０は炭素数３〜３０の環状の炭化水素基であり；Ａ^＋は有機カチオンである。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】メッキ造形物の製造に好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）および／または（２）で表される構造単位（ａ）と、酸解離性官能基（ｂ）とを含有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）有機溶媒を含有し、かつ重合体（Ａ）１００重量部に対して、特定構造の感放射線性酸発生剤が１〜２０重量部含有することを特徴とするメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
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【課題】微細パターン（特に線幅１００ｎｍ以下）の形成に於いても、ラインエッジラフネス、プロファイルの劣化が少なく、現像欠陥が改良された、液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のシクロアルキル基を有する繰り返し単位を有し、且つ分子鎖の少なくとも一方の末端に特定構造の基を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ラクトン環とフェノール性水酸基を同一分子内に有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】解像性及び感度に優れたレジストパターンを形成する。
【解決手段】本発明は、波長１〜３００ｎｍ帯の高エネルギー線が照射される感光性組成物である。この感光性組成物は、バインダー樹脂と、高エネルギー線がバインダー樹脂に照射されたとき、高エネルギー線を吸収したバインダー樹脂から放出される光電子と反応する光電子吸収剤と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布した際に、撥水ポリマーが表層に効率的に集積し、表層の撥水性が特に高くなる樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】樹脂組成物は、基材ポリマーと、撥水ポリマーとを含み(1)基材ポリマーは、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化するポリマーであり、(2)撥水ポリマーは、(i)少なくとも２種類のモノマーが結合して成る、ブロック共重合体であり、 (ii)この少なくとも２種類のモノマーのうちの少なくとも１種のモノマーに由来する側鎖がフッ素多含基を有しており、 (iii)この少なくとも２種類のモノマーのうち、前記フッ素多含基を有するモノマー以外のモノマーに由来する少なくとも１種の側鎖の構造が、前記基材ポリマーの前記側鎖の少なくとも１種と同一又は類似の構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等において、現像欠陥（ディフェクト）が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 酸と反応しアルカリ可溶性となるポリマーを含むレジスト組成物であって、
酸と反応しアルカリ可溶性となるポリマーを含むレジスト組成物を露光・現像処理した後のアルカリ現像液中に含まれる不溶物の体積平均粒径よりも、該現像液を水で１０質量％に希釈した水溶液中に含まれる不溶物の体積平均粒径が小さいレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示し、超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、式（１）の基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は水素原子、又はＲ¹とＲ²は互いに結合してメチレン基、エチレン基又は−Ｏ−を形成する。Ｒ³は単結合又はメチレン基、Ｒ⁴は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、又は酸不安定基、ｍは１〜４の整数） （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、および当該レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素高分子化合物の提供。
【解決手段】塩基解離性基を有する構成単位（ｆ１）および特定構造で表される構成単位（ｆ２）を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ）、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有する液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。
【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位、アダマンタンに結合する１級のヒドロキシ基を有する繰り返し単位、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体を含有する第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第１のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンに波長２００ｎｍ以下の高エネルギー線の照射処理、及び加熱処理の少なくとも一方を施すことによって架橋硬化させる工程と、前記第１のレジストパターン上に第２のポジ型レジスト材料を塗布して、第２のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第２のレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶで露光を行う際のレジスト膜からのアウトガスを抑制する。
【解決手段】ＥＵＶの露光によりパターニングされるレジスト材料が、ベース樹脂と、光酸発生剤と、フッ素多環式化合物とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を必要限度で与え、かつアルカリ性エッチング液への溶解性を確保することによって、最終的にネガ像を得る工程をアルカリ性エッチング液によるウエットエッチングで行うポジネガ反転によるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光および現像してポジ型パターンを得る工程と、該得られたポジ型レジストパターンに架橋を形成する工程と、反転用膜を形成する工程と、アルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去することでポジ型パターンをネガ型パターンに反転する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、および当該レジスト組成物に用いる添加剤として有用な含フッ素高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｃ０−０）［式中、Ｒ^６は水素原子又は１価の炭化水素基であり、ｑは０〜２の整数であり、ｇは１〜４の整数である。］で表される基を側鎖に含み、アルカリ現像液に対して分解性を示す含フッ素高分子化合物（Ｃ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）（ただし、前記含フッ素高分子化合物（Ｃ）に該当するものを除く。）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。
［化１］
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