【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）(メタ)アクリロイルオキシ有機酸とビシクロラクトン化合物から誘導される特定の構成単位（ａ０）、および該構成単位（ａ０）に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有し、かつその構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物の前駆体として有用である化合物、酸発生剤、レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物。一般式（ｂ１−１）で表される化合物。式中、Ｑ^１は二価の連結基又は単結合であり；Ｙ^１は置換基を有していてもよいアルキレン基又は置換基を有していてもよいフッ素化アルキレン基であり；Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の環式基を表し、該環構造中に−ＳＯ_２−結合を有する。Ｍ^＋はアルカリ金属イオンである。Ａ^＋は有機カチオンである。
［化１］
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【課題】レジストパターン形成において、優れたリソグラフィー特性を示し、ディフェクトを低減できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にオキシラン環を有する構成単位（ａ０）、前記構成単位（ａ０）に該当しない酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、およびラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性、ラフネス特性、パターン形状及びアウトガス特性に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する感活性光線性樹脂組成物。


式中、Ａｒは、芳香族環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。ｎは、１以上の整数を表す。Ａは、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ(＝Ｏ)―、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、及び−ＯＳ（＝Ｏ）_２−から選択されるいずれか、あるいは２以上の組み合わせ（但し、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−を除く）を表す。Ｂは、３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４以上の炭化水素基を有する基を表す。ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。Ｍ^＋は、有機オニウムイオンを表す。 （もっと読む）

【課題】露光光に極紫外線を用いるパターン形成において、現像コントラストが高い微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、酸不安定基を含まず且つラクトンを含む第１のポリマーと、酸不安定基を含む第２のポリマーと、光酸発生剤とを含むレジスト材料からなるレジスト膜１０２を形成する。その後、レジスト膜１０２に、極紫外線からなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜に対して現像を行って、レジスト膜からレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】基材成分として低分子材料を用いた新規なポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】露光によって分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が向上する酸発生剤からなる基材成分と、アルカリ可溶性化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。支持体上に、前記ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジストパターン上に１分子内に少なくとも１つのアミノ基又はアンモニウム塩を有するアミノシラン化合物を吸着させ、その上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシラン、クロロシラン、アルコキシシラン及びイソシアネートシランから選ばれるシランガスを酸化して珪素酸化膜を形成するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、レジストパターンに直接珪素酸化膜系の膜を形成し、レジストパターンのピッチを縮小するサイドウォールスペーサー法において、上記シラン化合物でレジストパターン表面を覆うことで、その後のＣＶＤ法又はＡＬＤ法による珪素酸化膜形成を促進させ、パターンの変形やＬＷＲの増大を防ぎ、精度高くサイドウォールスペーサーパターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】新規なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用の成分、特に酸発生剤として有用な新規な化合物および酸発生剤を提供する。
【解決手段】トリフェニルメタンを骨格とする特定のフェノール化合物および該フェノール化合物における−ＯＨの水素原子の一部が有機基で置換された置換フェノール化合物からなる群から選択され、一分子中に少なくとも２つの−ＯＨを有する化合物における−ＯＨのうち、少なくとも１つの−ＯＨの水素原子が式（Ｉ）で表される基で置換され、少なくとも１つの−ＯＨの水素原子が酸解離性溶解抑制基を含む特定の基で置換されている化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）第一パターン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する第一のレジストパターン群を、所定のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な不溶化レジストパターン群とする工程と、（２）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、第一パターン部の上及び第一スペース部にレジスト層を形成し、形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、（３）現像して、少なくとも一の第一パターン部の上面の一部を露出させた状態で、少なくともその一部が第一パターン部上に重畳的に配置された第二パターン部を形成し、第一パターン部と第二パターン部とが組み合わされた複数の複合パターン部を有する第二のレジストパターン群を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつレジスト被膜中での拡散長が適度に短く、またマスクパターンの疎密度への依存性が小さい新規な光酸発生剤、当該光酸発生剤を構成する新規なスルホン酸塩、当該光酸発生剤から発生するスルホン酸、当該光酸発生剤を合成する原料ないし中間体として有用なスルホン酸誘導体、並びに当該スルホン酸塩を製造するための方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表される重合性含フッ素スルホン酸オニウム塩およびこれを重合させた重合体。
【化】


（式中、ZおよびＲは前記一般式（１）におけるZおよびＲと同義である。Ｑ⁺は、スルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す。） （もっと読む）

【課題】膜表面の疎水性が高いレジスト膜を形成でき、液浸露光用として好適なレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素化合物成分（Ｆ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなる液浸露光用レジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は、沸点１５０℃以上のアルコール系有機溶剤（Ｓ１）と、沸点１５０℃未満のアルコール系有機溶剤（Ｓ２）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 特定のラクトン構造を含有する樹脂によって形成されたレジストパターンと、一分子中に二個以上の求核性官能基を有する化合物とを固相−気相反応させる表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にノルボルナンラクトン構造を有する構成単位（ａ０）、および前記構成単位（ａ０）に該当しない、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンが形成された基板にめっき処理を行うとき、クラックの発生を抑制できるポジ型感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）


で表される構造単位を有する重合体、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との良好なマッチング特性を有するレジスト下層膜を形成することが可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式（１）で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とする。
（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は１価の有機基であり、Ｒ^２は、電子吸引性基を有する１価の有機基である。繰返しにおける複数のＲ^１同士又はＲ^２同士は互いに異なっていてもよい。ａは、０又は１である。） （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスを低くし、ガス発生量を減らし、高い感度や高い熱安定性などの特性を有する化学増幅型レジスト組成物とそれに用いられる光酸発生剤を含有した新規な高分子化合物を提供する。
【解決手段】化学式１で表される化合物。


（化学式１） （もっと読む）

【課題】後退接触角が高くかつ前進接触角が低い、つまり、スキャン速度を上げることが可能な上層膜にもかかわらず、バブル欠陥が少ない上層膜を形成することが可能な上層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、（Ａ）下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体、（Ｂ）上記（Ａ）以外の重合体であって、スルホン酸基を有する重合体および（Ｃ）溶剤を含有する上層膜形成組成物。
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