【課題】 超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、抜け性の向上による高解像性とアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、及びその方法に用い得るポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、アンモニウム塩化合物であって、アニオンが、下記式（ｄ１−１）〜（ｄ１−３）のいずれかで表されるアニオンであることを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記化合物（１）と、下記化合物（２）からなり、モル比率が化合物（１）：化合物（２）＝１５：８５〜７０：３０である組成物。
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【課題】感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する構造を有する繰り返し単位（Ｂ）を有する樹脂（Ｐ）、および、塩基性化合物（Ｑ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物であり、該塩基性化合物（Ｑ）の１２０℃で１５分間保持した際の揮発量が１０質量％以上であることを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】超薄膜のレジスト膜において、リソグラフィー特性が向上し、良好な形状の微細なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は少なくとも下記３成分の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）を含有し、かつ前記有機溶剤（Ｓ）中の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）の割合が、前記（Ｓ）成分を構成する全有機溶剤成分の合計に対して、それぞれ、５０〜９０質量％の範囲、５〜４０質量％の範囲、０．１〜１５質量％の範囲であることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上できる新規なラクトン骨格を含む高分子化合物を提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）


（式中、Ｒ^aは水素原子等を示し、Ａは炭素数１〜６のアルキレン基等を示し、Ｙは炭素数５以上の２価の有機基を示す）で表されるラクトン骨格を含むモノマー単位と、酸の作用により脱離してアルカリ可溶となるモノマー単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物のベース樹脂に矩形性のよいパターンが形成できる新規な酸性基を有する繰り返し単位を導入する。
【解決手段】下記一般式（２）で示される繰り返し単位（ａ）を含む重量平均分子量１，０００〜１，０００，０００の含フッ素高分子化合物。
【化】



（式中、Ｒ¹は重合性二重結合含有基、Ｒ²はフッ素原子または含フッ素アルキル基、Ｒ³及は水素原子、酸不安定性基、架橋基またはその他の一価の有機基、Ｗ¹は連結基を表す。） （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】無機物の微細パターンを安定に形成することを可能にするポジ型感光性ペーストを提供する。
【解決手段】有機成分と無機粉末を含むポジ型感光性ペーストであって、有機成分として少なくともアルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤、およびヒンダードフェノール化合物を含むことを特徴とするポジ型感光性ペーストである。また、有機成分と無機粉末を含むポジ型感光性ペーストであって、アルカリ可溶基が酸で脱離する基で保護されている樹脂および光酸発生剤、またはアルカリ可溶基がアルカリで脱離する基で保護されている樹脂および光塩基発生剤を含み、さらにヒンダードフェノール化合物を含むことを特徴とするポジ型感光性ペーストである。 （もっと読む）

【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ¹はラクトン骨格を有する基を示し、Ｙは炭素数１〜６の２価の有機基を示す）
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 （もっと読む）

【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、形成されたレジスト膜１０２に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い解像性で、ＬＷＲが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にヒドロキシ基含有ナフタレン誘導体基を有する構成単位（ａ１０）、側鎖に酸解離性基を有する構成単位（ａ１１）および側鎖に酸解離性基含有エステル基を有する構成単位（ａ１２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、前記有機溶剤（Ｓ）がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分（Ａ）が、側鎖に、ＯＨ基を有する炭素数４〜６の環状エーテルを有する構成単位（ａ０−１）、側鎖に、ＯＨ基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位（ａ０−２）、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】現像時、アルカリ現像液に対して均一に溶解するフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法により得られるフォトレジスト用高分子化合物、及びそれを含むフォトレジスト用組成物を提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する２種以上の重合性化合物を、ラジカル重合することにより半導体素子製造向けフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法において、内部に静的攪拌器を内蔵した管状反応器を用い、有機溶媒中に前記２種以上の重合性化合物を含有する混合溶液を連続的に通して重合することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法で得られるフォトレジスト用高分子化合物、並びにフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト用組成物である。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト基材の材料を提供する。
【解決手段】純度が９０％以上の下記式（１）又は式（２）のいずれか一方のみで表される化合物。
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【課題】 熱膨張係数が小さく、このために、基材との密着性の低下や基材の反り等が低減され、電気特性、解像度などが劣化することがない樹脂膜を与えることができるポジ型感光性ポリイミド前躯体組成物を提供する。
【解決手段】 ベンゾオキサゾール骨格とフェノール性水酸基を有するポリイミド前躯体、ビニルエーテル化合物、光酸発生剤とを主成分とするアルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有する感光性樹脂。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^５は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基であり、Ｑ^５は単結合又は２価の連結基である。］で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線または感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により式（Ｘ）で表される酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）式（３）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。式中、各記号は所定の原子または置換基を表す。
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