【課題】レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度、特に半導体レーザーを照射源とした最大発光波長が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内にある活性エネルギー線に対して高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（Ｉ）


で表される構造単位を有するビニル系重合体、（Ｂ）特定の構造で表される光酸発生剤、及び（Ｃ）特定の構造で表される増感色素を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高集積化、高速度化が進むＬＳＩを生産する際、極めて微細なパターンルールを加工する技術として、簡便で工程管理に有用なダブルパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に第１ポジ型レジスト材料を塗布し、高エネルギー線をパターン照射し、アルカリ現像して第１ポジ型パターンを得る工程、得られたポジ型パターンを第２レジスト材料の溶剤に対して不溶化並びに第２レジスト材料をパターニングする際の不溶化させる工程として高温加熱及び／又は高エネルギー線の照射工程を含み、次いで、第２レジスト材料を第１レジストパターン上に塗布し、高エネルギー線をパターン照射、現像して、第２レジストパターンを得る工程を含むダブルパターン形成方法で、該第１レジスト材料含有の樹脂が式（１）の繰り返し単位を有するダブルパターン形成方法。
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【課題】ベーク条件の変動による性能変動の小さいポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）１２０℃で１５分間保持した際の揮発量が１０％以下である、含窒素塩基性基又は４級アンモニウム基を有する化合物、および、（Ｄ）有機溶剤を含有する組成物であって、該組成物中の全固形分の濃度が、１.０〜４.５質量％であり、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の総量が、該組成物中の全固形分に対して少なくとも１０質量％であることを特徴とする電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物。及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は二級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】露光量が変動した際のレジストパターン寸法の変化が小さい（ＥＬマージンが大きく）レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の酸発生剤および当該酸発生剤として有用である化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式（ｂ１）中、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基であり、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の脂肪族環式基であり、Ｒ^１１’は置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基であり、Ｒ^３は水素原子またはアルキル基であり、ｎ１は０または１であり、Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。
［化１］
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【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は三級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】パターン硬化可能なレジスト材料、レジスト膜を硬化させる工程を含むパターン形成方法を提供することにより、ダブルパターニングプロセス等により高度な微細加工を可能にする。
【解決手段】一般式（１）で表されるナフタレン環を有する単量体、及びその単量体に由来する繰り返し単位を含有する高分子化合物。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ²はＣ１〜１０の二価の有機基。Ｒ³、Ｒ⁴はＨ、又はＣ１〜１０の一価の有機基。Ｒ²とＲ³又はＲ²とＲ⁴は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ³とＲ⁴は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。Ｘは水酸基、ハロゲン原子、又はＣ１〜１０の一価の有機基。ｎは０〜７。） （もっと読む）

【課題】トリシクロデカン骨格を有し、光学特性などに優れた樹脂及びそれを用いる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される構成単位を含む樹脂。


（式（１）中、Ｙは、独立して炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン原子、エステル基又は水酸基を示す。ｍは０〜１５の整数を示す。Ｘは式（２）で表される基を示す。） （もっと読む）

【課題】ＬＥＲとエッチング耐性とのバランスがとれ、極微細で均一なパターン形成を可能とするリソグラフィー用重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィー用重合体の製造方法は、側鎖にＯＨ基を有する繰り返し構造単位を少なくとも一つ有する高分子化合物（Ｂ）と、特定構造の多官能ビニルエーテル化合物（Ｃ）とを触媒の存在下で反応させてリソグラフィー用重合体を製造する方法であって、前記高分子化合物（Ｂ）に対して、ＯＨ基反応性官能基を１つ有する化合物（Ｄ）による前処理を施した後、高分子化合物（Ｂ）と化合物（Ｃ）とを反応させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本感放射線性組成物は、酸解離性基含有重合体（Ａ）と、酸発生剤（Ｂ）とを含有するものであって、前記重合体（Ａ）として、下式で表される繰り返し単位を含む重合体を含有する。


〔Ｘは置換若しくは非置換のメチレン基、炭素数２〜２５の置換若しくは非置換の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数３〜２５の脂環式炭化水素基。〕 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として下記一般式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。
［化１］
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【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク又はＵＶキュア後、現像して、第一のレジストパターンを、第一ライン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する不溶化レジストパターンとする工程と、（２）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一スペース部に形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、（３）現像して、第一スペース部に第二ライン部を形成し、第一ライン部、第二ライン部、及び第一ライン部と第二ライン部との間に形成された、その幅（Ｗ_２）が、第一スペース部の幅（Ｗ_１）の０％を超えて３０％以下である一以上の第二スペース部を有する第二のレジストパターンを形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の酸発生剤および当該酸発生剤として有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式（ｂ１）中、Ｙ^１は炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基、Ｘは炭素数３〜３０の脂肪族環式基；Ｒ^１１’〜Ｒ^１３’はそれぞれアリール基又はアルキル基であり、これらのうち少なくとも１つは一般式（ｂ１−０）［Ｒ^５２は鎖状又は環状の炭化水素基、ｆ及びｇはそれぞれ０又は１を表す。］で表される置換基を有するアリール基であり、Ｒ^１１’〜Ｒ^１３’のうちの２つのアルキル基が相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。］
［化１］
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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、一般式（ｂ１−１）で表される化合物を含む酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物。
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【課題】 レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂（ｃ）を２以上含有する樹脂、及び（Ｄ）溶剤、を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】耐クラック性、パターニング性および耐熱性に優れる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】下記成分（Ａ）及び（Ｂ）を含有することを特徴とする感放射線性組成物。
（Ａ）下記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物、該加水分解性シラン化合物の加水分解物、及び該加水分解物の縮合物からなる群より選ばれる少なくとも１種


［一般式（１）中、Ｒ^１は、炭素数１〜１２のアルキル基等である。Ｒ^２は、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキレン基等である。Ｘは加水分解性基である。Ａは４価の有機基を示す。ｐは各々独立に０〜２の整数であり、ｑは各々独立に１〜３の整数であり、かつｐ＋ｑ＝３である。］
（Ｂ）光酸発生剤 （もっと読む）

【課題】分子量分布が狭い重合体の製造方法を提供することを目的とし、レジスト組成物に用いた場合に重合体の現像液への溶解性並びにレジスト組成物の解像度および焦点深度に優れた性能を発揮できるようにする。
【解決手段】反応開始前の反応容器中の、ヒドロキシ基含有エステルのみからなる重合溶媒（Ａ）に、ヒドロキシ基含有エステルの含有量が４０質量％以下の重合溶媒（Ｂ）、単量体、および重合触媒を供給し、溶液ラジカル重合を行うレジスト用重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、パターン倒れに優れるとともに、上記トレードオフの関係を解消し、露光ラチチュードが広く、かつラインエッジラフネスが軽減されたポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により、エステル構造及びフッ素原子を有するスルホン酸を発生する特定の化合物、及び、ガラス転移温度が１５０℃以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が向上し、良好な形状のレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の光塩基発生剤および当該光塩基発生剤として有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、露光により酸を発生する酸発生剤成分、および特定構造の露光により塩基を発生する光塩基発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にアセタール型酸解離性溶解抑制基を有する特定構造の構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）