【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物及びその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ^１は、少なくとも１の水素原子がフッ素置換されている炭素数１〜１０のアルキル基であり；Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭化水素基であり；Ａ^＋はカチオンである。］。
［化１］
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【課題】解像性能に優れ、かつ、ナノエッジラフネスの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸基含有感放射線性酸発生剤（Ａ）と、樹脂成分全体を１００ｍｏｌ％としたとき、酸解離性基を有する繰り返し単位の合計が２５〜４０ｍｏｌ％である樹脂（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


〔前記一般式（１）において、Ｒ^１は炭化水素基等を示し、Ｍ^＋は１価のオニウムカチオンを示す。〕 （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する
【解決手段】ニトロ基及び酸基を有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法 （もっと読む）

【課題】 側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成した際のフォトレジストパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を成膜し、該フォトレジスト膜を高エネルギー線で露光し、現像液を用いて現像し、フォトレジストパターンを形成した後、該フォトレジストパターンの側壁にスペーサーとして珪素酸化膜を形成する方法により基板上にパターンを形成するパターン形成方法において、少なくとも、前記珪素酸化膜は、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法により、１分子内に少なくとも１つ以上のシラザン結合を有するシランガスを前記フォトレジストパターンに作用させ、酸化させることで得られた珪素酸化膜を用いることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光による微細パターン形成プロセスにおける現像工程で、良好なレジストパターン形状を与える液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物を５０質量％以上含む溶剤系に、フルオロアルコール基を側鎖に有する水不溶性、かつアルカリ可溶性ビニルポリマーを溶かしてなることを特徴とする液浸露光フォトレジスト膜の保護層用塗布組成物、並びにパターン形成方法。式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立に炭素数３〜５のアルキル基である。
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【課題】第一のレジストパターンを不溶化させ、その後の露光処理、並びに現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して十分に安定な不溶化レジストパターンとすることが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターンを形成する工程と、（２）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、（３）不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程と、（４）第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられる、特定の繰り返し単位を５〜６５モル％含む酸解離性基を有する樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線等によるレジスト膜のリソグラフィーにおいて、解像性を損なわずに感度を向上させることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供できる。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、およびベンゾジオキソールまたはその誘導体（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】放射線に対する透明性が高く、感度、ドライエッチング耐性等のレジストとしての基本物性に優れ、且つ、解像度、焦点余裕度、パターン形状に優れる。
【解決手段】酸解離性基含有樹脂と、感放射線性酸発生剤と、溶剤とを含有する感放射線性樹脂組成物において、上記樹脂は、特定構造の酸解離性基を有する繰り返し単位を含む共重合体を含有し、酸解離性基を有する繰り返し単位は、共重合体を構成する全繰り返し単位に対して、５５モル％を超えて含有し、共重合体は、樹脂全体に対して、９０質量％以上含有する。 （もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、酸拡散抑制剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有し、前記樹脂（Ａ）が、側鎖に環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（ａ−１）を有する重合体であり、前記酸拡散抑制剤（Ｃ）が、特定構造の窒素含有化合物である感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】不溶化処理された第一のレジストパターンの間にスカムをほとんど生じさせることなく、微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（１）第一のレジストパターンを形成する工程と、（２）第一のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、第一のレジストパターンを不溶化レジストパターンとする工程と、（３）不溶化レジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程と、（４）第二のレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法の工程（３）で用いられる、特定の光崩壊性塩基を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型ポジ型レジスト膜の成膜に好適に用いることができ、電子線又は極紫外線に有効に感応し、ナノエッジラフネスの発生を抑制することができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物である。
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【課題】電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光によるパターニングにおいて、ラインエッジラフネス低減とともに、高感度、高解像度、パターン形状が良好であるポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ラクトン構造を有するスルホニウム塩化合物を、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、２１質量％含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｙは水素原子又は水酸基を示し、少なくとも１個のＹは水酸基である。波線は結合の向きが不特定であることを示す。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物及びその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）が、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物。
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【課題】酸の拡散の選択性に優れた酸転写樹脂膜を得ることができる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミドスルホネート基を有する感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
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【課題】レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度、特に半導体レーザーを照射源とした最大発光波長が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内にある活性エネルギー線に対して高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（Ｉ）


で表される構造単位を有するビニル系重合体、（Ｂ）特定の構造で表される光酸発生剤、及び（Ｃ）特定の構造で表される増感色素を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高集積化、高速度化が進むＬＳＩを生産する際、極めて微細なパターンルールを加工する技術として、簡便で工程管理に有用なダブルパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に第１ポジ型レジスト材料を塗布し、高エネルギー線をパターン照射し、アルカリ現像して第１ポジ型パターンを得る工程、得られたポジ型パターンを第２レジスト材料の溶剤に対して不溶化並びに第２レジスト材料をパターニングする際の不溶化させる工程として高温加熱及び／又は高エネルギー線の照射工程を含み、次いで、第２レジスト材料を第１レジストパターン上に塗布し、高エネルギー線をパターン照射、現像して、第２レジストパターンを得る工程を含むダブルパターン形成方法で、該第１レジスト材料含有の樹脂が式（１）の繰り返し単位を有するダブルパターン形成方法。
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【課題】ベーク条件の変動による性能変動の小さいポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）１２０℃で１５分間保持した際の揮発量が１０％以下である、含窒素塩基性基又は４級アンモニウム基を有する化合物、および、（Ｄ）有機溶剤を含有する組成物であって、該組成物中の全固形分の濃度が、１.０〜４.５質量％であり、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の総量が、該組成物中の全固形分に対して少なくとも１０質量％であることを特徴とする電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物。及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は二級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】露光量が変動した際のレジストパターン寸法の変化が小さい（ＥＬマージンが大きく）レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の酸発生剤および当該酸発生剤として有用である化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式（ｂ１）中、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基であり、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の脂肪族環式基であり、Ｒ^１１’は置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基であり、Ｒ^３は水素原子またはアルキル基であり、ｎ１は０または１であり、Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。
［化１］
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