【課題】フォトレジスト基材の材料を提供する。
【解決手段】純度が９０％以上の下記式（１）又は式（２）のいずれか一方のみで表される化合物。
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【課題】 熱膨張係数が小さく、このために、基材との密着性の低下や基材の反り等が低減され、電気特性、解像度などが劣化することがない樹脂膜を与えることができるポジ型感光性ポリイミド前躯体組成物を提供する。
【解決手段】 ベンゾオキサゾール骨格とフェノール性水酸基を有するポリイミド前躯体、ビニルエーテル化合物、光酸発生剤とを主成分とするアルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有する感光性樹脂。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^５は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の有機基であり、Ｑ^５は単結合又は２価の連結基である。］で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】露光ラチチュード、ラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線または感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により式（Ｘ）で表される酸を発生する化合物、及び、（Ｂ）式（３）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。式中、各記号は所定の原子または置換基を表す。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される１〜４種類の環状化合物が９０％以上含まれる組成物。


［式中、８個のＲ^１は、ｍ個（ｍは０〜７から選択される１〜４種類の整数）の水酸基と、ｎ個（ｎは８−ｍの１〜４種類の整数）の水酸基以外の同一の置換基である。］ （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】組成と物性の安定したレジスト用共重合体を供給する。
【解決手段】本発明は、アセタール基を有する（メタ）アクリル系単量体と、該単量体と共重合可能な他の（メタ）アクリル系単量体とを、上記単量体の合計量１００質量部に対して０．０１６質量部以上の塩基性化合物共存下で重合するレジスト用共重合体の製造方法を提供する。さらに、本発明は、上記レジスト用共重合体を含むレジスト用組成物を提供する。さらに、本発明は、上記レジスト組成物と光酸発生剤とを含む組成物を、被加工基板上に塗布しレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に４５０ｎｍ以下の波長の光を照射して潜像を形成する工程と、上記潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理する工程とを有する、パターンが形成された基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基、及び、ジアゾ基を少なくとも１つずつ有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。
【化１０２】


（式中、ｎは１〜１０の整数を示す。Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基、又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。
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【課題】ＬＷＲとＭＥＥＦとが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（０）で表される酸を発生する少なくとも１種の化合物、および（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。
【化１】


一般式（０）において、Ｒ₁は、有機基を表す。Ｒ₂は、水素原子又は有機基を表す。Ｒ₁とＲ₂とが結合して単環若しくは多環構造を形成してもよい。Ａは、酸あるいは塩基の作用により分解する基を表す。ｎは１又は２を表す。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒れ、ラインエッジラフネス、並びにスカムの発生が改良され、プロファイルの劣化も少なく、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジストパターンを形成することが可能な感光性レジスト組成物、及び該感光性レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）主鎖にエーテル結合及びフッ素原子を有する樹脂、を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物［式中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、水素原子の一部または全部が下記一般式（ｂ１−０１）で表される基で置換された置換アリール基であり；Ｘ⁻はアニオンであり；Ｒ^２０は塩基解離性部位を有する二価の基であり；Ｒ^３０は２価の連結基であり；Ｒ^４０は酸解離性基を有する基である。］。
［化１］
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【課題】高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ジアゾ基及び酸基を有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜できる感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、樹脂と、式（ｂ１）の酸発生剤と、低分子化合物とを含有しており、該低分子化合物は、式（ｃ１）の化合物、窒素原子を２個有する化合物、窒素原子を３個以上有する化合物等のうちの１種である。
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【課題】高い解像性で、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１０）、側鎖に３級炭素を有する脂肪族単環式基を有する構成単位（ａ１１）および側鎖に酸解離性基含有エステル構造含有基を有する構成単位（ａ１３）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高い解像性で、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１０）および下記一般式（ａ１１−１）で表される構成単位（ａ１１）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【解決手段】一般式（１）で示されるアセタール化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ²は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ²とＲ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｘ¹は単結合又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状の二価の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明のレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、欠陥性にも優れる。
【解決手段】樹脂（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）とを含有し、樹脂（Ａ）が、側鎖にノルボルナンカルボン酸に由来するラクトン骨格を有する繰り返し単位（ａ−１）と、側鎖に１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ構造を有する繰り返し単位（ａ−２）と、酸解離性基を有する繰り返し単位（ａ−３）とを含む重合体である感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）