説明

レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)は、一般式(I)[式中、Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の有機基であり、Qは単結合又は2価の連結基である。]で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
[化1]


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(I)で表される基をカチオン部に有する化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
【化1】

[式(I)中、Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の有機基であり、Qは単結合又は2価の連結基である。]
【請求項2】
前記酸発生剤(B1)が、下記一般式(b1−11)で表される化合物である請求項1記載のレジスト組成物。
【化2】

[式(b1−11)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基又はアルキル基であり、R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、R”〜R”のうち、少なくとも1つは、置換基として前記一般式(I)で表される基を有する置換アリール基である。Xはアニオンである。]
【請求項3】
前記Xが、スルホネートアニオン、イミドアニオン、メチドアニオンおよびハロゲンアニオンからなる群から選ばれるアニオンである請求項2記載のレジスト組成物。
【請求項4】
前記基材成分(A)が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項1〜3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項5】
前記基材成分(A)が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含む請求項4記載のレジスト組成物。
【請求項6】
前記樹脂成分(A1)が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する請求項5記載のレジスト組成物。
【請求項7】
前記樹脂成分(A1)が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a3)を有する請求項5又は6記載のレジスト組成物。
【請求項8】
さらに、含窒素有機化合物成分(D)を含有する請求項1〜7のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項9】
支持体上に、請求項1〜8のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項10】
下記一般式(b1−11)で表される化合物。
【化3】

[式(b1−11)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基又はアルキル基であり、R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、R”〜R”のうち、少なくとも1つは、置換基として下記一般式(I)で表される基を有する置換アリール基である。Xはアニオンである。]
【化4】

[式(I)中、Rは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の有機基であり、Qは単結合又は2価の連結基である。]
【請求項11】
前記Xが、スルホネートアニオン、イミドアニオン、メチドアニオンおよびハロゲンアニオンからなる群から選ばれるアニオンである請求項10記載の化合物。
【請求項12】
請求項10又は11記載の化合物からなる酸発生剤。

【公開番号】特開2010−139662(P2010−139662A)
【公開日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−314979(P2008−314979)
【出願日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】