【課題】特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を与える化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される多価フェノール誘導体。


（式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は少なくとも一つが下式（II）で示される酸不安定基であり、残りは水素原子である。


（式（II）中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴は、水素原子又はアルキル基示す。ｎは、０〜３の整数を示す。Ｚ¹はアルキル基又はシクロアルキル基を示す。環Ｙは脂環式炭化水素基を示す。）） （もっと読む）

【課題】セルロース系バインダーを含み、良好な印刷性、パターン性を有し、さらに、熱分解性が良好なアルカリ現像型感光性ペースト組成物を提供する。
【解決手段】（A）無機粉末と、（Ｂ）化１で表されるセルロース誘導体に（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネートおよび／またはグリシジル（メタ）クリレートを付加させて得られる酸価が２５〜８０ｍｇＫＯＨ／ｇの（メタ）アクリル変性セルロース系誘導体と、（Ｃ）分子内にアセタール基および／またはヘミアセタール基を含有する重合性モノマーと、（Ｄ）光重合開始剤を含有してなるアルカリ現像型感光性ペースト組成物。
【化1】
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【課題】ラインエッジラフネス、パターン倒れ、現像欠陥、ドライエッチング耐性等に優れたフォトレジスト用高分子化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）


（Ｒ^aは水素原子炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ^ｂは炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、塩を形成していてもよいカルボキシル基、又は置換オキシカルボニル基を示す。Ａは非結合又はメチレン基を示す。ｎは環に結合しているシアノ基（ＣＮ）の個数であって１〜９の整数を示す。）で表されるモノマー単位を含む共重合体。 （もっと読む）

【課題】ナノメートルサイズで、安定かつ良好な分散性を示す有機顔料微粒子を含有する顔料分散組成物、着色感光性樹脂組成物、及び感光性転写材料を提供する。また、その良好な顔料分散組成物を用いて作製した、コントラストの高いカラーフィルタ及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】顔料分散組成物に含まれる顔料粒子の６０％以上の粒子が、粒子の輪郭の最大曲率半径と最小曲率半径との比（最大曲率半径／最小曲率半径）が４０以下を示すナノ粒子である顔料分散組成物。 （もっと読む）

【課題】微細加工用の化学増幅型フォトレジスト樹脂やＬＥＤ封止剤などの高機能性ポリマー原料として有用なダイヤモンドイド類ポリオールの製造方法を提供する。
【解決手段】ジアマンタン類、トリアマンタン類等のダイヤモンドイド類をルテニウム化合物と次亜塩素酸又はその塩とにより、水／有機溶媒２相系中で水酸化させることを特徴とするダイヤモンドイド類ポリオールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジストのラインエッジラフネスの改善に寄与するための親水性基含有ナフチル基骨格を持ち、（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクリル酸エステル等の重合性モノマーと共重合させた場合に共重合性が良好で、組成が均一であり、波長１９３ｎｍの光線透過率が高い重合体を得ることができる重合性モノマー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】特定のナフタレン骨格を有する重合性モノマー及び特定のモノマーを特定の条件下で反応させる重合性モノマーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ、孤立パターンの膜減りの問題を解決し、良好なプロファイルのパターンを形成するポジ型感光性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）脂環基及びエステル基を有する特定の非ポリマー化合物を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高耐溶剤性、高耐水性、高耐酸性、高耐アルカリ性、高耐熱性、高透明性、下地との密着性等に優れ、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターニングされた樹脂膜の形成に有用なアルカリ可溶性樹脂及びそれを含有するポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】特定のビニルケトンフェノール及びその誘導体をラジカル重合性モノマーとして含むアルカリ可溶性重合体、及びこのアルカリ可溶性重合体と感光剤とを含有するポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐汚れ性および耐刷性のいずれにも優れる平版印刷版原版に用いられる平版印刷版用支持体を提供する。
【解決手段】表面に粗面化処理して得られる粗面を有するアルミニウム純度９５．００−９９．５０質量％のアルミニウム圧延板上に、
特定の親水性ポリマーと化学結合剤との反応生成物を含む親水性層を有する平版印刷版用支持体。 （もっと読む）

【課題】高い感度、大きい残膜率を可能とし、またリソグラフィー工程後の加熱時にパターンサイズ変化が小さく、安定したパターン形成が可能であり、破断伸びが大きい膜の形成を可能とするポリベンゾオキサゾール前駆体、該前駆体を含有する感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アルキニル基を有するベンゼン環構造を末端に有するポリベンゾオキサゾール前駆体、該前駆体を含有する感光性樹脂組成物、該組成物を用いた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗布性が良好で、かつ他の有機層とのインターミキシングを防止できる非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】露光により主鎖が分解して現像液に対する溶解性が増大するベース樹脂成分（Ａ）が、乳酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネートおよびγ−ブチロラクトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤に溶解してなる非化学増幅主鎖分解型ポジ型レジスト組成物。前記ベース樹脂成分（Ａ）は、下記一般式（ａ−１）で表される構成単位および下記一般式（ａ−２）で表される構成単位からなる群から選択される１種以上を主成分とすることが好ましい。
［化１］
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【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が少なく、ラインエッジラフネス性能にも優れ、スカムの発生が抑制された、また、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂および（Ｄ）溶剤を含有するレジスト組成物であって、樹脂（Ｃ）の分子量分散度が１．３以下、かつ重量平均分子量が１.０×１０^４以下であることを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】矩形性が高いレジストパターンを形成できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および架橋剤成分（Ｃ）を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）は、一般式（ａ０）［式中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表し；Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して低級アルキル基またはアルコキシ基を表し；ｎ^１は０〜２の整数であり、ｎ^２は０〜３の整数であり、ｐは１〜３の整数である。］で表される構成単位（ａ０）を、前記アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）を構成する全構成単位の合計に対して０．１〜１０モル％有し、かつフッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂肪族環式基を含有する構成単位を有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
［化１］
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【課題】例えば５００℃以上の比較的高い温度で熱処理を行わなくても、絶縁性能に優れたパターン膜を得ることができる感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）に、単官能のアルコキシシラン化合物、単官能のシラノール化合物、単官能のエポキシ化合物及び単官能のイソシアネート化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）を反応させて得られた成分（Ｘ）と、露光されると酸又は塩基を発生する酸又は塩基発生剤（Ｙ）とを含有する感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ、ラインエッジラフネス性能が改良され、良好なプロファイルのパターンを形成するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに（Ｂ）特定の一般式で表される酸分解性繰り返し単位（ｂ１）と、シアノ基及びラクトン基を有する繰り返し単位（ｂ２）とを有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの上に保護膜を用いて保護膜と投影レンズの間に水を挿入する液浸リソグラフィー工程において、（１）保護膜層とフォトレジスト膜層とのインターミキシングを防止し、及び、（２）現像後のレジスト表面をより親水性化させることによって欠陥の発生を防止する。
【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも１個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの膜減りが低減された新規なレジストパターン形成方法、および当該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】支持体１上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する工程と、前記第一のレジスト膜２を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する工程と、前記第一のレジストパターン３が形成された前記支持体１上に、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤（Ｓ”）を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成する工程と、前記第二のレジスト膜６を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してレジストパターン３、７を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性放射線（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、電子線等）に代表される遠紫外線に感応するレジストとして好適な感放射線性樹脂組成物及びレジスト被膜付き基板並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィープロセスにおいて用いられる感放射線性樹脂組成物であって、（Ａ）下記式（１）で表される構造を含む重合体と、（Ｂ）溶剤とを含む。
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【課題】良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化し、かつ一般式（ｃ１−１）［式（ｃ１−１）中、Ｒは水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化低級アルキル基であり；Ｒ^ｆはフッ素化アルキル基であり；Ｙ^０はアルキレン基である。］で表される構成単位（ｃ１）を有さない基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、前記構成単位（ｃ１）を有する含フッ素樹脂成分（Ｃ）とを含有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。
［化１］
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【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）および（２）で示される繰り返し単位を有し、質量平均分子量が１，０００〜５００，０００であることを特徴とする高分子化合物。
【化２８】
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