【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）シラノール基を有するポリシロキサンと、（Ｂ）２つ以上のオキセタニル基を有するオキセタニル基含有化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）テトラアルコキシシラン由来の構造単位（ａ１）、及びヘキサアルコキシジシラン由来の構造単位（ａ２）を含有しており、前記構造単位（ａ１）の含有割合を１００モル％とした場合に、前記構造単位（ａ２）の含有割合が１０〜３０モル％であるポリシロキサンと、（Ｂ）有機溶媒と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像等に用いられる現像液に対して十分な耐性を有し、レジスト除去時の酸素アッシングに対して十分なマスク性（エッチング耐性）を有するシリコン含有膜を形成できる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】本組成物は、式（１）の化合物（ａ１）３０〜８０質量部、式（２）の化合物（ａ２）５〜６０質量部、並びに、式（３）の化合物（ａ３）及び式（４）の化合物（ａ４）のうちの少なくとも一方５〜５０質量部〔但し、化合物（ａ１）〜（ａ４）の合計を１００質量部とする。〕に由来するポリシロキサンと、溶媒と、を含有する。
（もっと読む）

【課題】組成物中において経時変化により発生する異物が増加することがなく保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して十分な耐性を有するシリコン含有膜を形成可能な多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、ポリシロキサン（Ａ）並びに有機溶媒（Ｂ）を含有しており、有機溶媒（Ｂ）として、アルコール系有機溶媒（Ｂ１）を１〜５０質量％、及び式（２）で表される有機溶媒（Ｂ２）を１〜３０質量％〔但し、有機溶媒（Ｂ）全体を１００質量％とする〕含むことを特徴とする多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物。


〔式（２）において、ｍは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト感光速度の望ましくない増加を回避することができる、新規ケイ素樹脂およびフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、一態様において、ケイ素含有有機コーティング組成物、特には、フェニル等の発色団部分がＳｉ原子から隔てられている、反復単位を含む反射防止コーティング組成物に関する。別の態様において、液体（有機溶媒）組成物として配合され、溶媒成分の少なくとも１種類の溶媒がヒドロキシ基を含む、ケイ素含有下地組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記式（１）で表される繰り返し単位、及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する樹脂と、溶剤と、を含む。
（もっと読む）

【課題】 平坦化層とパターン化層を膜厚精度よく、一括加工することが出来、液晶表示装置の高性能化、低コスト化を図ることが可能な液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の着色層を有するカラーフィルタ基板上に、非感光性、かつ現像液に対して、難溶、もしくは不溶の平坦化層を塗布、セミキュア後に、感光性樹脂を塗布、セミキュアし、フォトマスクを介した露光を行った後、現像液により、感光性樹脂層のみをエッチングすることで、平坦化層とパターン化層を一括加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３を形成した後、第１のレジスト膜１０４を用いた１回目のパターン露光、及び第２のレジスト膜１０７を用いた２回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜１０３に転写し、さらに中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２をエッチングして下層膜パターン１０２ｂを形成する。ここで、下層膜１０２は、フッ素系の界面活性剤又は無機のナノパーティクルを添加物として含み、酸素系プラズマに対する耐性が付与されている。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。
【解決手段】露光方法は、液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む。露光方法は、基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、第２露光光で露光された周縁領域の少なくとも一部に液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、第１膜を形成した後に、基板上に感光膜を形成することと、感光膜を形成した後に、液浸露光処理を実行することと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）で表される化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｅ、Ｘは水酸基、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上）
Ｍ_aＨ_bＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Ａは上記Ｘ又は非求核性対向イオン）
（Ｃ）有機酸、
（Ｄ）環状エーテルを置換基として有するアルコール、
（Ｅ）有機溶剤
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物で形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。また、フォトレジストパターンを転写可能で、基板を高い精度で加工できる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）で表される化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｅ、Ｘは水酸基、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上）
Ｍ_aＨ_bＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Ａは上記Ｘ又は非求核性対向イオン）
（Ｃ）有機酸、
（Ｄ）環状エーテルを置換基として有するアルコール、
（Ｅ）有機溶剤
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物で形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。また、フォトレジストパターンを転写可能で、基板を高い精度で加工できる。 （もっと読む）

【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第２のパターンを保護膜上に形成する工程と、第２のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記［Ａ−１］、［Ｂ］及び［Ｃ］のシラン化合物由来のポリシロキサン（例えば、［Ａ−１］、［Ｂ］及び［Ｃ］のシラン化合物の混合物の加水分解物及び／又はその縮合物等）を含有する。
［Ａ−１］；Ｒ^１_ｂＲ^２_ｃＳｉ（ＯＲ^３）_４−ａで表されるシラン化合物
［Ｂ］；Ｒ^４_ｅＲ^５_ｆＳｉ（ＯＲ^６）_４−ｄで表されるシラン化合物
［Ｃ］；Ｒ^７_ｇＳｉ（ＯＲ^８）_４−ｇで表されるシラン化合物 （もっと読む）

【課題】短波長の露光に対して優れた反射防止効果を有し、またエッチング選択比が十分に高く、上層のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にできるフォトレジスト下層膜材料。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物と、式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを添加してなるフォトレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】 ハ−ドマスクや反射防止膜として使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィ−用下層膜形成組成物を提供することである。
【解決手段】 ポリシラン樹脂、ポリシロキサン樹脂、又はその混合物からなる樹脂（Ａ）、ポリカルボシラン樹脂（Ｂ）、架橋触媒（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含む半導体装置の製造のリソグラフィ−工程において使用されるレジスト下層膜形成組成物。樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）の質量比が、１００質量部の樹脂（Ｂ）に対して１〜１００００質量部の樹脂（Ａ）の割合で含有している。基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）