【課題】スタブ等のインピーダンス整合回路を使用することなく、小型化が可能で、大きな変調度を得ることができる光周波数コム信号発生器を提供する。
【解決手段】強誘電体基板１上にマッハツェンダー型光導波路２が形成され、分岐導波路を伝搬する光波を変調する変調電極３１，３２を各分岐導波路に対応して設け、マッハツェンダー型光導波路から出力される光波が、所定の周波数差を有する複数の光周波数成分を同時に生成している光波となる光周波数コム信号発生器において、各変調電極は、電極長の異なる共振電極３１，３２を備え、１種類の変調信号を各変調電極に印加する給電線路は、１つの給電線路４０を２つに分岐し、分岐点４１から各共振電極への接続点４４，４５までの距離が等しく、さらに、接続点は、各共振電極に形成される定在波Ｗ１，Ｗ２の位相が同相であり、かつ給電線路と共振電極とは接続点４４，４５においてインピーダンス整合している。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル識別のための送信側での変調や合成のための構成や受信側での復調や分離のための構成を無くして、より確実なチャネル多重通信を行なうこと。
【解決手段】光送信器が、波長を変更可能な連続光を発光する第１光源と、割り当てられた送信チャネルに特有の第１変更周波数で、第１光源が発光する光の波長を変更する第１波長変更部と、を備え、光送信器からの光信号を受信する光受信器が、受信した光信号に基づいて、第１光源が発光した光の波長を基準とした波長の変更から第２変更周波数を検出する周波数検出部と、検出した第２変更周波数が、割り当てられた送信チャネルに特有の前記第１変更周波数に合致する場合、所望の受信チャネルから光信号を受信したと確認するチャネル識別部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用中心導体と並んで形成された電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、抵抗膜の幅は電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光信号の歪の発生を低減しつつ、機器の小型化及び低コスト化を実現すること。
【解決手段】この光送信器１は、発光素子３からの出力光を、データ変調信号を基にＢＰＳＫ変調させるＭＺ型光変調器５と、ＭＺ型光変調器５に対してデータ変調信号を印加する増幅器７と、ＭＺ型光変調器５に印加されるデータ変調信号に直流バイアス電圧を重畳するオートバイアスコントロール回路１１と、増幅器７によって印加される変調信号のクロスポイント変動を検出し、クロスポイント変動を基に直流バイアス電圧を制御するクロスポイント変動検出回路１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の波長プロファイルを有する偏波モード分散を発生させる。
【解決手段】本発明は、入力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、入力光信号の有する波長に依存するように、入力光信号に付与する（遅延差Ｔ_１（λ））第１遅延差付与装置１Ａと、第１遅延差付与装置１Ａからの出力光信号の有する偏波面を回転させる（回転角Ψ）偏波面回転装置２と、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する波長に依存するように、偏波面回転装置２からの出力光信号に付与する（遅延差Ｔ_２（λ））第２遅延差付与装置１Ｂと、を備えることを特徴とする偏波モード分散発生装置である。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化およびサイズ削減を実現する。
【解決手段】基板上に形成されて、入力光信号をＮ個（Ｎは２以上の整数）の光信号に分岐して出力する光スプリッタと、光スプリッタから出力された光信号ごとに基板上に形成されて、光の波長により位相変化量が異なる位相変調特性に基づいて、当該光信号の位相を調整して出力するＮ個の光位相変調器とを備える。 （もっと読む）

【課題】
データ伝送における伝送帯域を拡大するという課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】
本発明の光回路は、光信号を分岐する光分岐部と、光分岐部で分岐された光信号の少なくとも１つに第１の遅延及び位相変化を与える第１の光遅延部と、光分岐部で分岐された光信号と第１の光遅延部を通過した光信号とを結合させる第１の光結合部と、を備え、位相変化は、第１の光結合部において結合される少なくとも２つの分岐された光信号の間にφ＋２ｎπ（π／２＜φ＜３π／２、ｎは０以上の整数）の位相差を与える。 （もっと読む）

【課題】生成された光の強度安定性を高める。
【解決手段】音響光学素子は、音響光学媒体と、圧電変換素子と、を具備する。音響光学媒体は６面体の形状を有する。また圧電変換素子は、音響光学媒体の面Ｃに設置される。さらに、面Ｃに対向する面Ｄの４辺のそれぞれを共有する面Ｅ、面Ｆ、面Ｇ、及び面Ｈと面Ｄとの成す４つの角度のそれぞれが非直交であり、面Ｃ、面Ｅ、面Ｆ、面Ｇ、及び面Ｈのうちの共有する辺を介して２つの面が成す８つの角度のうちの少なくとも１つが非直交であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号の光入力パワーを効率よく利用して、ミリ波・テラヘルツ波の電磁波を発生させることを可能とする。
【解決手段】１つの基板上に、３ｄＢカプラ１３、位相シフタ１６、フォトダイオード１７，１８、および高周波線路１９を形成し、３ｄＢカプラ１３により、周波数の異なる２つの入力光信号Ｓ１１，Ｓ１２を合波して得られた光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５の位相が同相となるよう、光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５のうちの一方、例えば光ビート信号Ｓ１４の位相を位相シフタ１６により調整し、得られた光ビート信号Ｓ１６と光ビート信号Ｓ１４とをそれぞれ、フォトダイオード１７，１８でＯＥ変換し、得られた電気信号Ｓ１７，Ｓ１８を高周波線路１９で電力合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】光システム内で分散補償を実現する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】調整可能チャープ・ファイバ・ブラッグ格子が接続された少なくとも１つの経路が光システム内に結合され、そのような各格子がそれぞれの調整可能な量の分散を与える。そのような各格子に対するそれぞれの経路中に少なくとも１つのそれぞれのＤＧＤ要素が接続される。所与の経路中のこのようなそれぞれのＤＧＤ要素すべてからなる組が、格子の少なくとも１つの調整値に対して、格子によって導入される微分群遅延とほぼ等しい絶対値を有するバイアス微分群遅延ＤＧＤ_{（ｂｉａｓ）}を導入する。 （もっと読む）

【課題】ＱＰＳＫ光送信装置を用いてＢＰＳＫ光を安定して生成し、単一装置で複数の伝送方式に対応することで、装置生産コスト削減を図る。
【解決手段】第１の位相変調部１２ａと第２の位相変調部１２ｂに入力されるデータ信号の出力形態を、２並列か直列かに切り替えられる機能を持つフレーマ１６を備える。フレーマ１６は複数のデータフォーマットから任意のフォーマットのデータ信号を選択して出力する機能を有する。また、受光素子１４と第１の制御回路１５ａの間に反転回路１９を設ける。第１の制御回路１５ａに入力される電気信号は当該回路１５ａの前に反転回路１９に入力されることになる。これにより、第１の位相変調部１２ａに入力されるデータ信号を遮断し、反転回路１９を反転設定として第１の位相変調部１２ａの透過率を最小点に固定させ、残る一方のデータ信号によって生成された光出力信号の振幅調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】３値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、ＭＣＵ３０を用いてＭＺ型光変調器に印加するバイアス電圧Ｖ_Ｂを制御する。ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓをバイアス電圧Ｖ_Ｂに重畳する。このとき制御入力値ｆは制御誤差ｅとなる。制御誤差ｅがゼロであった場合、ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓを入力信号に重畳する。このとき制御入力値ｆは判別量ｄとなる。ＭＣＵ３０は、判別量ｄの正負符号からバイアス電圧Ｖ_Ｂが最適なバイアス点にあるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御することができる光変調器を提供する。
【解決手段】光送信機１０のマッハツェンダ型光変調器１２は、低周波信号Ｐｓが重畳された入力信号Ｍｓと印加されたバイアス電圧Ｖｂｓに応じて光ＣＷを変調し、光信号Ｏｓとして出力する。ＭＣＵ４０は、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差に基づき、バイアス電圧Ｖｂｔを設定する。ＭＣＵ４０は、制御を開始したときに、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差がゼロであった場合、バイアス電圧Ｖｂｔにオフセット電圧Ｖｔを重畳して、バイアス電圧をオフセットする。 （もっと読む）

【課題】ドライバーから見た際の高周波電気信号の電気的反射Ｓ₁₁が小さな光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板に形成された光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを収納する筐体とを有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを備え、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜が、第１抵抗膜として電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを高周波電気信号の搬送方向と交わる向きで接続して配置されるとともに、第２抵抗膜として電気的終端用中心導体を伝搬する高周波電気信号を遮る位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第１の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第１の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第２の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第１の半導体アームに設けられた第１位相制御電極、第１変調電極、および補助電極と、前記第２の半導体アームに設けられた第２位相制御電極および第２変調電極と、を備え、前記第２変調電極の電極実効長は、前記第１変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）