【課題】広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）を順次積層し、さらに有機導電層２０７を形成して、下部電極２０２と有機導電層２０７との間に電場を印加し、当該電場印加領域における導波路２０４に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える、所謂ポーリング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 酸化物層上のシリコン層を含む熱スイッチ型シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）光電子デバイスを提供する。
【解決手段】 熱スイッチ型シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）光電子デバイスは、光導波路と該光導波路に水平方向に接近したシリサイド発熱体とを含むシリコン層を含む。導波路は、導波路に与えられる熱によって変化する屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、駆動回路が大幅に簡略化できる光変調器および前記光変調器を用いた光変調モジュールの提供。
【解決手段】光が入射される入力側単一モード導波路１と、入力側単一モード導波路１に入射された光を２つの光に分割する光分割部５と、光分割部５で２つに分割された光が透過する一対の導波路アーム部２ａ、２ｂと、導波路アーム部２ａ、２ｂに重ねて設けられた変調電極３ａ、３ｂとを有する位相変調部と、導波路アーム部２ａ、２ｂを透過した光を再結合する再結合部６と、再結合部６で再結合した光が導出される出力側単一モード導波路４とを備え、位相変調部においては、２つの導波路アーム部２ａ、２ｂの間にπ／２シフトが引き起こされるように導波路アーム部２あ、２ｂは夫々異なる屈折率を有する光変調器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負荷の内部遅延の影響を低減して負荷を高速に駆動することができる非反転増幅回路及び光スイッチ駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】演算増幅器を用いて構成した非反転増幅回路において、信号源と前記演算増幅器との間に信号の高周波成分を強調して前記演算増幅器の出力端子に接続される負荷の内部遅延を補償するプリエンファシス回路を有する。 （もっと読む）

【課題】光カプラ部を備え、半絶縁性半導体埋込層による埋込構造を持つ光集積素子において、埋込層の平坦性を確保しながら、光カプラ部で生じる放射光が出力側で信号光に混入する現象を抑えることができるようにする。
【解決手段】光集積素子を、半導体基板５上に形成され、複数の第１チャネル光導波路部１と、光カプラ部２と、一の第２チャネル光導波路部３とを備える光導波路構造４と、半絶縁性半導体材料からなり、上部が平坦面になり、側部が半導体基板に対して所定の角度を有する傾斜面になるように光導波路構造４を埋め込む埋込層９と、光カプラ部２からの放射光が第２チャネル光導波路部３を伝播する信号光から空間的に分離されるように、光カプラ部２の少なくとも出射側近傍に所望の領域にわたって設けられた複数のダミー構造体１０とを備えるものとし、複数のダミー構造体１０を、埋込層９によって平坦に埋め込まれるように離散的に設ける。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーを用いない波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】入力ポートに対応し当該入力ポートへ入射した光信号を異なる波長を有する複数の光信号に分光し波長に応じた出射角度で出射するアレイ導波路回折格子を含む入力側基板（１０）、および出力ポートに各々対応するアレイ導波路回折格子を含む出力側基板（１０’）と、アレイ導波路回折格子により波長毎に分光された光信号を各々に集光するレンズ（４０）と、集光された光信号の各々を、入力側基板の基板面に垂直な方向にスイッチするための１入力２出力の液晶スイッチ（７００，８００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高速で消光比が大きく、波長の可変範囲が広く、しかも低電圧で駆動できる、可視域の光シャッタ又は光スイッチとして好適な光機能素子を提供すること。
【解決手段】 誘電体層２、４、６・・・と透明電極層１、３、５・・・とが交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の少なくとも一部において前記誘電体層が、この両面側に設けられた前記電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子１０。互いに異なる屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体層が交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の両面に設けられた電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子４０。 （もっと読む）

【課題】スピンクロスオーバー特性を有する鉄錯体をフィルム状とすることである。
【解決手段】機能フィルムデバイス１０は、ベースフィルム１２の上に鉄錯体を含む機能フィルム２０が形成されている。鉄錯体を含む機能フィルム２０は、直径が数十ｎｍから数百ｎｍの略半球体の高分子ミクロスフェア部２２と、隣接する高分子ミクロスフェア部２２を相互に接続する接続ポリマー部２８を含んで構成される。高分子ミクロスフェア部２２は、接続ポリマー部２８と一体として接続される外殻部のポリマーシェル２４と、中核部であるポリマーコア２６を含んで構成される。このポリマーコア２６に、スピンクロスオーバー特性を有する鉄錯体が含有される。 （もっと読む）

【課題】生産性が良く、機械的強度が強い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１２と、基板に形成された光を導波するための光導波路３と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体４ａ及び接地導体４ｂからなる電極４とを有し、電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調する相互作用部３ａ、３ｂと、基板を固定する固定部２０と、少なくとも外部回路から相互作用部に高周波電気信号を印加するための入力用フィードスルー部とを具備する光変調器において、基板は少なくとも一つの別体の基板１３とともに固定部に並置されて固定されており、基板の厚みと別体の基板の厚みとから決定される誘電体共振の共振周波数が高周波電気信号の周波数よりも高くなるように、基板の厚みと別体の基板の厚みとを設定する。 （もっと読む）

【課題】リタイミング回路の遅延時間（クロック入力からデータ書き換えまでの時間）は温度、電源電圧及び経時劣化によって変動する。初期の遅延時間でオフセット電圧を調整しても、その後の変動要因によって遅延時間の変動で位相最適点からのずれを自動で補償できないため、出力パルスの波形品質が劣化するという課題があった。高速のタイミング抽出回路や位相比較器を不要とし、二つの変調器間の相対位相を自動で最適化できる光送信回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光送信回路は、差動符号化回路からの出力で位相変調する位相変調器と、位相変調器からの位相変調光にクロック信号で強度変調する強度変調器を備え、強度変調器からの出力光の平均強度が最大となるように位相変調器と強度変調器との相対位相を最適化することとした。 （もっと読む）

【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁放射変調素子、変調装置および変調媒体を提供する。
【解決手段】本発明は電磁放射変調素子、および変調装置およびこれらの装置を含むシステム、例えば、テレビスクリーンおよびコンピュータモニターなど、ならびにマイクロメートル波部品に関する。本発明による変調素子は誘電異方性を有する変調媒体を含み、電界が印加されると変調媒体が２つ以上の区別できる転移を示す。また、電磁放射変調素子において使用されるメソゲン変調媒体も本発明の主題である。 （もっと読む）

【課題】光ＤＱＰＳＫ受信器において、光位相誤差検出値が異常となる場合を検出できるようにする。
【解決手段】第１のブランチ及び第２のブランチを有する光ＤＱＰＳＫ受信器において、第１のブランチは、第１のミキサと、第１の平均化回路と、第１の位相調整制御部を備える第１の位相制御装置を有し、第２のブランチは、第２のミキサと、第２の平均化回路と、第１の位相調整制御部を備える第２の位相制御装置を有し、更に、第１のブランチのデータ再生回路の前段から得られる信号と第１のブランチのデータ再生回路の後段から得られる信号とを掛け合わせる第３のミキサと、第２のブランチのデータ再生回路の前段から得られる信号と第２のブランチのデータ再生回路の後段から得られる信号とを掛け合わせる第４のミキサを有し、第３及び第４のミキサによる同期検波の出力状態から光入力条件の異常を検知する異常検知回路を、有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路中を導波する信号光を変調可能な極めて単純な構成の光導波路装置を提供すること。
【解決手段】ＳＯＩ膜１２の上にフォトレジスト１３を塗布し、フォトレジストマスク１４を形成して、フォトレジストマスク１４で被覆されてない領域のＳＯＩ膜をエッチング除去して、単結晶シリコンコアを有する光導波路１５を得る。そして、１．１μｍ以下の波長の光を上述の単結晶シリコンコアに照射可能な発光素子を石英基板２０の裏面側に設けて光導波路装置とする。発光素子３０からの光照射がない場合には、光導波路１５中を導波する光はそのまま導波するが、発光素子３０から光照射されて当該照射領域１６に電子−正孔対が形成されると、光導波路１５中を導波中の光はこの電子−正孔対によって吸収されるため、発光素子３０からの光照射の有無（ＯＮまたはＯＦＦ）により、光信号のＯＮ／ＯＦＦを行うスイッチング（変調）が可能となる。 （もっと読む）

【課題】偏波無依存でかつ高速動作可能な高速光スイッチを実現可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１０では、ポートA，Bから入射した光は、偏波スプリッタ４０，４１によってTE成分とTM成分に偏波分離される。続いて、偏波分離されたTE成分はそのまま半導体導波路３１へ入射されるが、一方、TM成分は1/2波長板２３によって一度TE成分に変換されて、半導体導波路３１へ入射される。ここでは、半導体導波路に形成されたMZIの位相を変えることによって、高速スイッチング(nsオーダーのスイッチング)が行われる。その後、偏波コンバイナ５０，５１に入射されるが、TM成分から変換されたTE成分は、1/2波長板２３によりもう一度TM成分に変換され、偏波コンバイナ５０，５１によってTE成分とTM成分が合波され、ポートC,Dからそれぞれ出射される。 （もっと読む）

【課題】消費電力および回路規模を増大させることなく、また、高速性を阻害することなくリンギングを抑制する。
【解決手段】半導体光増幅器１ａは、入力される光信号を駆動回路２から出力される駆動電流に応じて出力する。ダイオード１ｂは、半導体光増幅器１ａに並列に接続される。これにより、リンギングを抑制するための大きな抵抗を回路に接続することなく、リンギングを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光の偏波方向に依存しない光スイッチを提供する。
【解決手段】第１の導波路２０には、動作時には水平偏波モード成分の位相を第１の方向にπずらし、非動作時には動作時には光の位相をずらさない位相シフト手段２２，２４と、偏波モードコンバータ２６が設けられている。第２の導波路３０には、動作時には水平偏波モード成分の位相を第１の方向にπずらし、非動作時には動作時には光の位相をずらさない位相シフト手段３２，３４と、偏波モードコンバータ３６が設けられている。偏波モードコンバータ２６は、第１の方向性結合器１０と位相シフト手段２２，２４の間に位置しており、偏波モードコンバータ３６は、第２の方向性結合器４０と位相シフト手段３２，３４の間に位置している。 （もっと読む）

【課題】
温度変化などの環境変化に対する耐性が高く、半導体レーザーを用いて、超短パルスであり高出力な光パルスを提供可能な光パルスレーザー装置を提供すること。
【解決手段】
パルス光を発生する半導体レーザー１と、該半導体レーザーからのパルス光の一部を電気信号に変換する電気信号変換手段４と、該電気信号変換手段からの該電気信号に基づき、該半導体レーザーからのパルス光を一定間隔で間引く光ゲート６と、該光ゲートを通過したパルス光を増幅する光増幅手段７を有することを特徴とする光パルスレーザー装置である。 （もっと読む）

【課題】全長を短く保ったまま、許容できる幅誤差を大きくすることができるマルチモード干渉光カプラ。
【解決手段】第１入出力光導波路１１０、１２０と、相隣接する少なくとも２つの第２入出力光導波路１４０、１５０と、第１入出力光導波路１１０、１２０と第２入出力光導波路１４０、１５０との間に設けられマルチモード導波光を伝搬するマルチモード光導波路１３０と、を有するマルチモード干渉光カプラ１００を提供する。このマルチモード干渉光カプラ１００が有するマルチモード光導波路１３０は、第１入出力光導波路１１０、１２０が接続される第１マルチモード光導波路部１３１と、第２入出力光導波路１４０、１５０が接続され、マルチモード導波光の伝搬方向に垂直な方向の幅が第１マルチモード光導波路部１３１より狭い第２マルチモード光導波路部１３２と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】電極端子が絶縁膜の中に窪んだ平面型光回路で、異方性導電膜を介して配線基板の電極を低抵抗で接続でき、かつ配線不良を抑制できる平面型光回路における電極端子の接続構造を提供する。
【解決手段】平面型光回路の電極端子１９１の開口部１８１に、基板３０１上に形成された配線３３１と、配線３３１につながる電極３２１とから成る配線基板３１１であって、基板３０１の上面から電極３２１の上面までの高さがｔである配線基板３１１の電極３２１が、粒子径φの導電粒子２１１を有する導電膜２１０を介して電気的に接続され、電極端子１９１の開口幅が配線基板３１１の電極３２１の幅よりも広く、かつ、絶縁膜１６８の上面から電極端子１９１の開口部１８１の上面までの深さｄが、０≦ｄ≦ｔ−φとなるよう電極端子１９１を形成する。 （もっと読む）