【課題】本発明は、導波路の狭メサ化及び側壁円滑化が図れる導波路の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】スラブ導波路層を有する第１の基板を用意する工程と、該第１の基板の上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、その上に所定のパターン開口を有するマスク層を形成する工程と、該マスク層をマスクとして開口部のシリコン酸化膜及びこれに隣接するマスク層下のシリコン酸化膜の一部を除去する工程と、マスク層及びスラブ導波路層上に第１の金属及びスラブ導波路層よりエッチング選択性の小さい第２の金属との積層構造を形成する工程と、該マスク層及びシリコン酸化膜を除去する工程と、第２の金属をマスクにスラブ導波路層をパターニングしてメサ導波路とする工程と、第１の金属とともに第２の金属をリフトオフする工程とを含む導波路の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型光回路の２つの電極間に発生するリーク電流を防止する手段を提供する。
【解決手段】光導波路を２方向に分岐する２つの分岐部と、分岐された光導波路の間を接続する第１および第２のアーム部とで形成された光回路を備え、光導波路を、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたウェル層と、ウェル層上に形成された、第１導電型とは逆型の第２導電型半導体からなる第２のクラッド層とを積層して形成し、第１および第２のアーム部の第２のクラッド層に電気的に接続する第１および第２の電極を形成した半導体マッハツェンダ型光回路において、第１および第２の電極の両側の領域の、第１および第２のアーム部と、それらの両端をそれぞれ接続する分岐部とで形成される、第１の電極から第２の電極に至るそれぞれの第２のクラッド層の電極直下を除く少なくとも一部に、第１導電型半導体からなる第３のクラッド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、且つ、安価に作製することができる光導波路型ＲＦ光変換器および光変調素子を提供する。
【解決手段】光導波路型ＲＦ光変換器１は、リング共振器１０および強誘電体層１３を備える。リング共振器１０は、前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路１１を含む。強誘電体層１３は、リング状光導波路１１のクラッドの一部をなすように設けられる。強誘電体層１３に外部から電界を印加すると、電界の強度に応じて強誘電体層１３の屈折率が変化するのに伴って、リング状光導波路１１の有効屈折率も変化する。有効屈折率の変化によって、リング共振器１０のフィルタ特性が短波長側または長波長側にシフトするので、光導波路型ＲＦ光変換器１を伝播する光の波長がフィルタ特性の遷移域にあれば、光の強度が変化する。このようにして、ＲＦ信号を光強度信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能で、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、進行波電極４と、凹部により構成される中心導体用リッジ部８ａと接地導体用リッジ部８ｂを具備し、中心導体用リッジ部と接地導体用リッジ部に光導波路が各々形成される光変調器において、凹部は第１〜３の凹部９ａ〜９ｃでなり、第１の凹部に対して対称に第２、３の凹部が形成され、第１、２の凹部間に中心導体用リッジ部が形成され、第１、３の凹部の間に接地導体用リッジ部が形成され、第１、２の凹部の上方には接地導体が形成されておらず、第３の凹部の上方と、第２の凹部に隣接する中心導体用リッジ部でない側に形成された接地導体の中心導体に対して第３の凹部と対称となる位置とにて、一方に接地導体が形成された部分と形成されていない部分が交互に形成され、他方に中心導体よりも薄く形成された部分と中心導体と同じ厚みを持つ部分とが形成される。 （もっと読む）

【課題】効率よく二光子を吸収する有機材料を提供し、これを用いた光記録材料と三次元記録媒、光造形材料とその方法、光制限材料と光制限装置、二光子励起蛍光材料と蛍光検出方法を提供する。
【解決手段】電子供与性（ドナー性）の強い置換基をメソ位に１〜２カ所導入して分極化させて大きな二光子吸収能を得ている。とりわけ、末端部にトリフェニルアミン基が導入されていると電子供与性が強く、しかも嵩高い置換基となっており、種々の有機溶剤への可溶化が図れる。 （もっと読む）

【課題】遅延時間を２進法的に変えることができるプログラマブル光バッファを提供すること。
【解決手段】光遅延手段を介して光信号を遅延させるように構成された光バッファ装置において、半導体基板上に、互いに平行な複数本の光導波路よりなる第１の光導波路組と互いに平行な複数本の光導波路よりなる第２の光導波路組とが対角線に近い角度で交差するように形成されるとともに、これら第１の光導波路組と第２の光導波路組との所定の交点には選択的に電流を印加してキャリアを注入することにより光信号の経路をスイッチングするための電極が設けられている光スイッチ手段と、この光スイッチ手段に形成された光導波路の所定の端部間に接続され前記光信号に所定の遅延時間を付与する複数の光遅延手段と、前記光スイッチ手段に前記光信号を入力する入力光ファイバと、前記光スイッチ手段から出力される前記光信号が入力される光結合手段と、この光結合手段に接続される出力光ファイバ、とで構成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】平面導波技術を利用した波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】本発明による波長選択スイッチは、Ｍ個の波長チャンネルの光信号の入力を受けて各波長チャンネル別に分離して光伝送線路に出力する第１波長分割多重化器と、前記第１波長分割多重化器から前記Ｍ個の波長チャンネル別に出力された光信号の経路をＮ個の出力ポートのうち何れか一つの出力ポートに変更する前記Ｍ個の光スイッチと、前記光スイッチの前記Ｎ個の出力ポートのうち一つずつ連結され、前記Ｎ個の入力された光信号を結合して出力する（Ｍ＋Ｎ−１）個の光結合器と、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の入力ポート及び前記Ｎ個の出力ポートを有し、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の前記光結合器の出力信号が各々前記入力ポートに連結され、前記入力された信号を多重化させて前記Ｎ個の出力ポートに出力する第２波長分割多重化器とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の透明セラミックスは、製造において、安定した性能の製品を得るのが難しい上に、温度変化、湿度変化等の環境変化および／または経時変化に対して、性能が変化する問題を持っていたので、かかる欠点のない透明セラミックスが要求されていた。
【解決手段】平均粒径が０．３μｍ以下であり、変動係数が０．３以下であるＰＬＺＴのナノ粒子を主体的に含有するＰＬＺＴ粉末を焼結して得られたものであるＰＬＺT透明セラミックスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光の波長の違いがあっても、出力光の変化が小さい光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】光導波路デバイスにおいて、直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有する基板１０と、基板上に構成され、出力する偏光の光の波長に対して波長特性を有する偏光子６と、基板上で偏光子と接続され光を干渉させる光干渉路４，５を構成し、偏光子の出力する偏光の光の波長に対して波長特性を打ち消す方向の波長特性を有する干渉計と、干渉計を構成する該光導波路の位相を制御するための電極７，８とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い二次電気光学効果を安定的に示すＰＬＺＴを基板上に形成した構造体、およびそれを用いた光制御素子を提供する
【解決手段】基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

光学装置（１）が提供される。光学装置（１）は、スイッチング層（２）と、少なくとも１つの配向層（６）と、光ガイドシステム（５）と、を備え、スイッチング層（２）は、その配向が可変な、光の吸収および光の放射のための発光材料（３）を含んでおり、光ガイドシステム（５）は放射光をガイドするものであり、スイッチング層（２）は少なくとも１つの配向層（６）と接触しており、発光材料（３）は異方性を有しており、光学装置（１）は、光ガイドシステム（５）と物理的に接触している光エネルギ変換手段（７）を備えている。
（もっと読む）

光伝搬のキャビティ軸を規定するキャビティと、少なくとも２つの光学素子であって、これらそれぞれの光軸を有し、上記キャビティ軸に沿って位置合わせされ、光学素子の光軸が上記キャビティ軸と一致する、少なくとも２つの光学素子と、少なくとも２つの光学素子の少なくとも１つに関連付けられた位置決ユニットと、を備える。位置決ユニットは、キャビティ軸回りで少なくとも１つの上記光学素子の制御可能な軸回転をもたらすように構成されかつ動作可能とされ、これにより、上記キャビティ軸に関する光学素子の位置合わせされた位置を維持しながら、少なくとも１つの他の光学素子に対する少なくとも１つの上記光学素子における方向付けの制御可能な精密な調整を可能とする。
（もっと読む）

【課題】２０μｍ以下の厚みを有する基板を用いた場合でも、フォトリフラクティブ現象の影響や迷光の信号光への結合を抑制し、光損失の増加や消光比の劣化のないマッハツェンダー導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】厚みが２０μｍ以下の電気光学効果を有する薄板１と、該薄板に形成した光導波路２とを含むマッハツェンダー導波路型光変調器において、入力光導波路２１と分岐光導波路２３〜２８と出力光導波路３０からなり、該分岐光導波路は該入力光導波路から複数の光導波路に分岐する入力側分岐部（領域Ｂ）と、出力光導波路に接続される複数の光導波路を合波する出力側合波部（領域Ｄ）と、入力側分岐部と出力側合波部との間に形成された平行部（領域Ｃ）とを有し、入力側分岐部又は出力側合波部のうち少なくとも一方は、分岐光導波路の対称軸に沿う長さｌと、該平行部における光導波路間隔ｄとの比率ｌ／ｄが、３３〜１００であること。 （もっと読む）

【課題】小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶導波路の所定の位置に、二光子吸収キャリアを発生させ、該キャリアに起因する自由電子吸収によりスイッチングを行う光スイッチ素子において、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板を薄板化した場合でも、光挿入損失を改善し、基板内の迷光増加を抑制可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚さｔが１２μｍ以下の基板１と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路２とを有する光導波路素子において、該光導波路の入力側端部又は出力側端部のいずれかには、該光導波路の高さＨが基板面から１３００Å以上となる光閉じ込め制御部が形成されることを特徴とする。
好ましくは、該光閉じ込め制御部の長さは、該光導波路の端部から０．８ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】立ち上り時のリンギングを抑圧し且つ光スイッチングの高速化を図った光スイッチ駆動回路を実現する。
【解決手段】制御信号(CONT)に応答して半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)を高速駆動するためのON/OFF信号を発生する高速駆動部(11)と、該ON/OFF信号の出力端子と該半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)との間に接続された高入力インピーダンスの高速バッファ部(12)と、を備える。上記の高速バッファ部(12)は、該出力端子に接続された高抵抗の分圧回路と、該分圧回路の分圧電圧をバッファリングして該半導体光増幅型ゲートスイッチに与える高速オペアンプ(OP4)とで構成でき、上記の高速駆動部(11)は、直流電圧を出力する高速オペアンプ(OP1)と、該制御信号(CONT)を受けて該高速オペアンプ(OP1)の出力をON/OFF制御して該出力端子に与えるスイッチング回路とで構成できる。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、使用波長帯域が広い光リミッタ回路および光受信回路を提供すること。
【解決手段】入力導波路１０１には分岐導波路１０２が接続され、出力導波路１０６には合波導波路１０５が接続され、それら分岐導波路１０２と合波導波路１０５との間を接続するように第１アーム導波路１０３、第２アーム導波路１０４が形成されている。このように、本光回路はマッハツェンダ型光干渉導波路を構成している。これらの光回路を半導体導波路（例えばシリコンＳｉ、リン化インジウムＩｎＰ、ヒ素化ガリウムＧａＡｓ等）で構成し、第１アーム導波路１０３に不純物ドーピング、低温成長やイオン注入等による欠陥増大を行うことによって第１アーム導波路１０３における吸収係数を高める。即ち、第１アーム導波路１０３と第２アーム導波路１０４の吸収係数に差が生じるようにそれぞれの吸収係数を設定する。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】小型で、駆動電圧が低く、光変調帯域が広く、特性インピーダンスについて改善された光変調デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、基板に形成された光導波路３０と、基板上に設けられた電極４０とを備え、光導波路は、電極に電圧を印加することにより屈折率が変化する領域である相互作用部に相互作用光導波路を含んで構成されている光変調デバイスにおいて、相互作用光導波路が、その幅方向の中心線について、基板の長手方向に関する微分係数が連続となる状態で蛇行して形成されており、電極が、蛇行して形成されている相互作用光導波路と並んで蛇行して形成されており、相互作用光導波路と電極とが並んでほぼ直線に形成されている場合と比較して相互作用部の長さが長くなっている。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、方向性結合器を使用しない消光比の高い光信号処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に作製された、少なくとも１つの入出力導波路（１０２）と接続された第１のスラブ導波路（１０４）と、第１のスラブ導波路と接続導波路アレイ（１０６）で接続されたアレイ導波路格子であって、第２のスラブ導波路（１１２）およびアレイ導波路（１１４）を含む少なくとも１つのアレイ導波路格子（１１０）と、アレイ導波路格子から出射した光を集光するレンズ（２００，３００）と、集光された光に位相シフトを与える位相変調素子を有する位相変調器（４００）とを備えた。 （もっと読む）