【課題】光スイッチに供給される駆動電流をすばやく供給し、かつ、光スイッチに供給される駆動電流にオーバーシュートが発生することを抑制できる光スイッチ駆動回路、光スイッチ及び光切替スイッチを提供すること。
【解決手段】所定の電圧から一定電圧に立ち上がるパルス波を発生させる発生部と、定常電圧よりも高い電圧を印加した後、前記定常電圧よりも低い電圧まで低下し、さらに前記定常電圧を印加する電圧印加部とを有する。 （もっと読む）

【課題】より小型の光操作装置を提供すること。
【解決手段】外部から光が入力される、または外部に光を出力する光入出力ポートと、光入出力ポートから入射した光を光入出力ポートに向けて出射する、偏波依存特性を有する空間光変調器と、光入出力ポートと空間光変調器との間に配置され、光入出力ポートと空間光変調器と光学的に結合させる集光素子と、集光素子と空間光変調器との間に配置され、入力された光の偏波状態を、単一の偏波方向のみからなるように操作して出力する偏波操作素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能であり、駆動電圧のより一層の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、薄板１に形成された光導波路５２、５３と、光導波路５２、５３を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、光制御部の少なくとも一部には、光導波路５２、５３に電界を印加するための制御電極が、第１電極と第２電極とから構成される。第１電極は信号電極３３、３４と接地電極６１、６２とを有すると共に、第２電極は少なくとも接地電極６３を有し、第１電極の信号電極３３、３４と協働して光導波路５２、５３に電界を印加するように構成される。複数の光制御部の間は、コプレーナ型線路、コプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続し、光と電気信号の到達時間がほぼ同じになるように設定する。 （もっと読む）

【課題】小型化・集積化が可能で、その非線形屈折率変化が制御光に対して高速に応答する半導体素子を用いて光強度に応じて光の位相変調を起こし、そのときの干渉を利用する光ゲートスイッチ回路を提供する。
【解決手段】光ゲートスイッチ回路は、非対称マッハツェンダー干渉計１０の出力側に光バンドパスフィルタ３を接続した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】信号強度を得るために特別な素子構造や加工が不要で、励起子の緩和時間に制限されない超高速応答が得られる超高速光スイッチを提供する。
【解決手段】本超高速光スイッチ１は、離散的エネルギー準位を形成し得る所定膜厚ｄの直接遷移型半導体素子２と、半導体素子２に信号光４ａおよび制御光５ａを照射する手段（４，５）と、半導体素子２から出射される所定の高次励起子エネルギー準位の応答のみを取り出す波長フィルタ３とを備える。所定の励起子エネルギー準位の応答を、波長フィルタ３を用いて最後に取り出すことから、出力光の強度が強く、また応答速度は所定の励起子の生成時間と緩和時間の比率で決定される。また光スイッチ１自体に導波路構造が不要となる。更に面内の光学異方性のない光スイッチ１のデバイスを簡単に作製できる。 （もっと読む）

【課題】より高速な応答特性を備えて、多波長処理ができる広帯域動作が可能なより小型な光スイッチ素子が得られるようにする。
【解決手段】この光スイッチは、半導体からなる複数の微結晶１０２ａ〜１０２ｄが分散している母体１０１から構成された光素子１００と、光素子１００に制御光１１１を照射する制御光照射部１０３とを少なくとも備える。また、母体１０１は、微結晶１０２ａ〜１０２ｄを構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する材料から構成されている。また、複数の微結晶１０２ａ〜１０２ｄは、制御光１１１の導入方向（ｙ軸方向）に沿って制御光１１１の導入側ほど粒子径が小さくされ、制御光１１１の導入方向に垂直な面内では粒子径が均一な状態とされている。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】偏光面の回転角が大きく、小型化ができる光変調素子を提供する。
【解決手段】 グリッド部材３０４は、入射光の波長の半分以下のピッチでＸ軸方向に沿って配置されている５本のＡｌ製の線状部材を有し、電界ベクトルの振動方向がＸ軸方向に平行な直線偏光が入射される。Ｘ方向ライン状電極及びＹ方向ライン状電極に電流を供給するとグリッド部材に磁場が印加され、入射光は偏光方向が＋θ_Ｆのファラデー回転あるいは−θ_Ｆのファラデー回転してグリッド部材から射出される。検光子３０９は、＋θ_Ｆのファラデー回転した光を透過させ、−θ_Ｆのファラデー回転した光を遮光する。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】消光比の高いアイソレータを得る。
【解決手段】透光性基板４、５上に形成された複屈折性材料層を加工して、断面形状が凹凸状の周期構造を有する回折格子１、２をそれぞれ作製し、回折格子１、２の凹部に複屈折性材料層の常光屈折率に等しい屈折率を有する等方性透明材料３を充填して偏光性の回折格子を構成して、それぞれの偏光性の回折格子と透光性基板６とを積層して複層回折型偏光子１００を得て、アイソレータとして用いる。 （もっと読む）

【課題】安価なレンズが使用でき、複数の導波路形分光回路の分波波長のずれを補正できる導波路形波長ドメイン光スイッチを提供する。
【解決手段】導波路形分光回路１１４が３回路以上積層された集積化素子１１０と、集積化素子１１０から出射された光を集光する第１レンズ１３０と、第１レンズ１３０からの光をＸ偏光とＹ偏光に分離して異なる角度に出射する偏光分離素子１４０と、これらＸ偏光とＹ偏光を集光する第２レンズ１５０と、集光されたＸ偏光とＹ偏光を任意角度で反射する第１反射型光位相変調器１６０と、第２レンズ１５０と第１反射型光位相変調器との間で、Ｘ偏光とＹ偏光の偏光方向を同じにする１／２波長板１７０と、第１反射型光位相変調器１６０からの光をいずれかの導波路形分光回路１１４に入射させるための第２反射型光位相変調器１８０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光分岐部および光合分岐部を構成する方向性結合器もしくは多モード干渉光カプラの結合率が製造誤差等によって５０％からずれた場合でも、消光比の高いが得られる光スイッチ及び波長選択スイッチを提供すること。
【解決手段】入力された光波を４つに分岐する入力分岐部１００１、それぞれの光波を位相変調する位相シフタ部２、及び位相変調された４つの光波を合分岐して出力する出力合分岐部３から構成される。入力分岐部１００１、位相シフタ部２及び出力光合分岐部３は、全て同一の平面光波回路上に形成されている。また、入力分岐部１００１と出力光合分岐部３とは、位相シフタ部２に対して対称な回路構成となっている。本光スイッチにおいて、第２段方向性結合器１３１と第３段方向性結合器３１１を結ぶ経路、及び第２段方向性結合器１３２と第３段方向性結合器３１２とを結ぶ経路は全て光路長が等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチに関し、相変化材料部の放熱効率を高めて、相変化材料部のアモルファス化を確実に且つ短時間で行う。
【解決手段】 単結晶コア層と前記単結晶コア層を囲むクラッド層とからなる光導波路に設ける複素屈折率を変化させることによって前記光導波路を伝搬する光の透過量を変化させる相変化材料部を多層構造或いは１００ｎｍ以下の膜厚にする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】小型で高速、かつ信頼性の高い吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、光導波路は光入射端面を有し、光導波路の上方に光導波路に電気信号を印加する上部電極を形成しており、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬する過程でコア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、コア層は、生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、ジュール熱を半導体基板に逃がすように、光入射端面側の幅が広く形成されているとともに光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、光入射端面側の光導波路がマルチモード光導波路を構成し、さらに、電気的なキャパシタンスが小さくなるように、光入射端面側において上部電極の幅がコア層の幅よりも狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速かつ広帯域に波長を掃引することができ、掃引された波長を順に並べて出射することが可能となる波長掃引光源を提供する。
【解決手段】波長掃引光源であって、
波長掃引された光パルス列を発生させる光パルス発生手段と、
前記光パルス列の強度の一部を取り出すための分岐手段と、
前記分岐手段で取り出した光パルス列の波長を、シフトさせる波長シフト手段と、
前記波長シフト手段によって波長がシフトした光パルス列と、前記光パルス発生手段が発生する光パルス列とを合成し、出射光波長を広帯域化して取り出すためのスイッチ手段と、
前記光パルス発生手段からの光と波長シフト手段からの光が波長軸に沿って順に出射され、前記合成されるパルス列が順に波長掃引された光パルス列になるように、前記スイッチ手段を制御する制御手段と、を有する構成とする。 （もっと読む）