【課題】相互位相変調を低減する。
【解決手段】システムは、チャネルの位相を変調するチャネルの画素のセットを有する位相変調アレイに命令を送出することを含む。チャネルの画素のセットは、第一のチャネルの第一の位相を変調する第一のチャネルの画素のセットと、位相変調フォーマットを使用する第二のチャネルの第二の位相を変調する第二のチャネルの画素のセットとを有する。第一のチャネルの画素のセットは、第一の一定の位相で第一の位相を変調するように指示される。第二のチャネルの画素のセットは、第一のチャネルと第二のチャネルとの間で群遅延を形成するため、第一の一定の位相とは異なる第二の一定の位相で第二の位相を変調するように指示される。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧を一層低減でき、進行波型電極を比較的自由に設計でき、従って高速動作が可能となる方向性結合器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１１と、該基板上に形成された少なくとも１対の光導波路１２と、該光導波路の実効屈折率を制御する制御電極（１３，１４）とを有する方向性結合器において、該制御電極の電界が作用する該光導波路の作用部ｓでは、前記１対の光導波路の中心線Ｃを境界として、該中心線の左右では、該基板の分極方向が異なり、かつ、該光導波路に沿った長手方向には作用部を複数の領域に分割するように該中心線を横切る1本もしくは複数の横断線Ｌを境界として、該横断線の前後では、該基板の分極方向が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易、低コスト、小サイズかつ高精度に、光スイッチの動的動作の調整を行う。
【解決手段】光スイッチ調整回路２は、入力信号光ＩＮＬを分岐させて参照信号光ＲＬとして出力する分配器３と、光スイッチ１からの出力信号光ＯＵＴＬを分岐させてモニター信号光ＭＬとして出力する分配器４と、参照信号光ＲＬとモニター信号光ＭＬとの位相関係をシフトさせる光位相シフタ５と、光位相シフタ５によって位相シフトされた参照信号光ＲＬとモニター信号光ＭＬとを重ね合せて干渉させる干渉信号光生成部６と、干渉信号光ＩＬのパワーを検出する光検出器７と、光検出器７によって検出された光パワーの時間平均値に応じて、出力信号光ＯＵＴＬのアイ開口が最大となる位相バイアス条件を光スイッチ１へフィードバックする位相バイアス調整部８とから構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。
【解決手段】結合量子井戸に形成される第１〜第４準位のサブバンド間遷移エネルギー及びバンド間遷移の第１バンド準位エネルギーが通信波長帯のエネルギー（0.8eV:1550nm帯）に制御された結合量子井戸構造であって、上記結合量子井戸構造の量子井戸層及び結合層はそれぞれIn_xGa_1-xAs及びAl_ｙGa_1-ｙAsからなり、量子井戸層・結合層の組成x、yの範囲は0.205≦x≦0.85、0≦y≦0.6であり、量子井戸層の膜厚は2nm以上4nm以下、結合層の膜厚は２原子層以上５原子層以下であることを特徴とする結合量子井戸構造。 （もっと読む）

【課題】意図しない挿入損失の増大を抑制することができる熱光学効果光部品を提供する。
【解決手段】光導波路コア１の上方に、ヒータ、電極パッド、及びヒータと電極パッドとを結ぶ配線領域からなる金属薄膜領域２が形成されている。
電極パッドと配線領域とが光導波路コア１の直上に配置されるのを避けるようにして金属薄膜領域２が形成されているため、従来の２入力２出力型光スイッチでは、光導波路コア１と金属薄膜領域２との重複領域を生じるのに対して、本発明においては、このような重複領域を生じない。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】スポットサイズを変換する光導波路を用い、より効率的に光結合ができるようにする。
【解決手段】この光導波路は、第２コア１０３を、スポットサイズ変換領域１１２の開始端（導波領域１１１の側）にかけて先細りに形成したところに特徴がある。このように、第２コア１０３が、スポットサイズ変換領域１１２の開始端にかけて先細りに形成されているので、導波領域１１１かとスポットサイズ変換領域１１２との界面で生じる、導波光の反射および損失をより小さくすることができるようになる。この結果、より効率的に光結合ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】偏波依存性をなくすること。
【解決手段】方向性結合器１４ａ，１４ｂ及び方向性結合器に光学的に接続された光干渉器１６を備えたマッハツェンダ干渉計１８を基板１２の第１主面１２ａ側に備えていて、方向性結合器及び光干渉器の両者は、共通のリッジ形光導波路２０を用いて形成されていて、リッジ形光導波路は、第１主面側に積層された第１及び第２クラッド２２，２４と、第１及び第２クラッド間に介在するコア２６とを備えていて、コアは、平行平板状に延在する平面導波路部２８と、コアを伝播する光の光伝播方向に直交する横断面が矩形状であり、平面導波路部から突出した凸条としてのリッジ部３０とが一体に形成されていて、コアが、所定の条件を満たすように形成されていることを特徴とする偏波無依存型光装置。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、微弱な磁気光学信号を高感度に検出できる磁気センサ、並びに磁気光学を用いた高速処理が可能な光スイッチを提供する。
【解決手段】 本発明の磁気センサは、少なくとも、光源、偏光子、貴金属薄膜層が反射面に形成された透明光学部材及び光検出器を有している。そして、本発明の磁気センサによれば、光源から出射された光が透明光学部材の入射面を介して貴金属薄膜層に入射したときに貴金属薄膜層で発生する表面プラズモン共鳴にて入射光の反射率が減少する条件で光源からの光を照射し、貴金属薄膜層からの反射光の少なくとも一部を光検出器によって検出し、発生磁界と比例関係となる光検出器の出力である磁気光学信号から磁界を換算する。よって、磁気光学信号を高感度に検出できる磁気センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】方向性結合器の分岐比が50/50でなくとも、良好な消光比と漏話特性が得られるような、光スイッチの構成を提供する。
【解決手段】本発明は、4つの方向性結合器と、これら４つの方向性結合器を結合する導波路中にそれぞれ挿入される3つの位相変化部を備える。両側に位置する第１及び第４の方向性結合器には、それぞれ、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートが結合される。中央に位置する第２の位相変化部は、クロス状態とバー状態間の切り替えに用い、これを前後に挟み込む第１及び第３の位相変化部は、前記バー状態で分配される強度と、前記クロス状態で分配される強度との比である分岐比を調整するようにそれぞれの位相Φ1、Φ3を設定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、接着層の厚さにかかわらず一定の厚さの均一度を得られ、電気光学素子の機械強度と光ビームの品質を両立させ、厚さにかかわらず素子の性能を保証する上で最適な接着剤の選択の自由度を確保可能な、電気光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学素子は電気光学材料で形成されている第１、第２の基板を接着剤で接着して構成し、接着剤には第１の基板と第２の基板のギャップを規定するギャップ部材が混合されている。 （もっと読む）

【課題】加熱素子または冷却素子とコアとの間の熱伝導を効率させつつ、光吸収や光損失を抑制する。
【解決手段】熱光学効果によって光導波路を伝搬する光の位相を変化させる光回路素子であって、クラッド１１ａと、クラッド１１ａによって覆われたコア１１ｂとからなる光位相シフト導波路１１と、ヒーター１２と、クラッド１１ａ内に埋設され、ヒーター１２とコア１１ｂとを熱的に接続する伝熱部材としてのカーボンナノチューブ１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】カップリング損失および伝達損失が、従来の光デバイスと比較して低い光デバイスの提供。
【解決手段】残余の部分よりも高い屈折率ｎ２を有する光回路が形成されたパッシブコア層と、光回路の少なくとも一部を覆うと共に、電気光学的効果を示し、且つ、光回路の屈折率ｎ２よりも高い屈折率ｎ１を有するアクティブコア層と、パッシブコア層がその上に形成されているとともに、光回路の屈折率ｎ２よりも低い屈折率ｎ３を有する下部クラッド層と、アクティブコア層およびパッシブコア層を覆うとともに、アクティブコア層の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ５を有する上部クラッド層と、下部クラッド層の下に形成された下部電極と、上部クラッド層の上に形成された上部電極と、を備え、アクティブコア層の入口部と出口部とは夫々テーパ状とされている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】高いスイッチング効率で且つ十分に広い波長範囲に渡って高速スイッチングを実現する技術を提供する。
【解決手段】信号光の偏光方向は、偏光制御器１１により、偏光子１５の偏光主軸と直交するように制御される。制御光パルス生成部１２は、信号光と異なる波長を持った制御光で制御光パルスを生成する。非線形光ファイバ１４には、信号光および制御光パルスが入力される。非線形光ファイバ１４において、制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光は、ほぼその制御光パルスの偏光方向に光パラメトリック増幅される。制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光が偏光子１５を通過する。 （もっと読む）

周波数依存性の光スイッチングのためのデバイス、方法、および技法が提供される。一実施形態では、デバイスが、基板と、基板上に位置する第１の光場閉込め構造体および第２の光場閉込め構造体と、第１の光場閉込め構造体と第２の光場閉込め構造体の間に配置された量子構造体とを含む。第１の光場閉込め構造体は、光子を受け取る表面を含むことができる。第２の光場閉込め構造体は、第１の光場閉込め構造体から離隔させることができる。第１の光場閉込め構造体および第２の光場閉込め構造体は、間に光子の光場を実質的に閉じ込めるように構成することができる。
（もっと読む）

【課題】誘電率異方性基板を用いた場合でも、高周波信号の電気反射現象を抑制し、電気損失の少ない光制御デバイスを提供する。
【解決手段】誘電率異方性基板上に形成された信号電極１と、該信号電極を挟むように配置された接地電極２，３とを有し、該信号電極が該基板の誘電率の異なる方向に配置される少なくとも２つの信号電極部と、該２つの信号電極部を接続する曲線形状の接続部とを有し、該接続部が、該２つの信号電極部と接続する部分では特性インピーダンスが各信号電極部と一致し、かつ該２つの信号電極間の該接続部内では特性インピーダンスが連続的に変化するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電率異方性基板を用いた光制御デバイスにおいても、複数の信号電極間における光導波路を伝播する光波への変調タイミングや変調強度を正確に合致させることが可能な光制御デバイスを提供する。
【解決手段】誘電率異方性基板と基板に形成された光導波路１０〜１２と光導波路を伝播する光波と変調電極を伝播する電気信号とが相互作用する光制御デバイスにおいて、変調電極は複数の信号電極２１，２３とその周囲に配置される接地電極から構成される。複数の信号電極の各々は基板の誘電率の異なる方向（Ｙ軸，Ｚ軸）に配置される電極部を有する。複数の信号電極の各々を含む各変調電極におけるインピーダンスを一致させ、信号電極の信号入力端部２０，２２から光導波路を伝播する光波と電気信号との相互作用（作用部Ｓ）が開始する点までの電極の物理長と実効的な電極長の各々の総和を一致させる。 （もっと読む）

【課題】 スループットの高いＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＭＬＤ）プロセス，および高性能太陽電池，エレクトロルミネッセンス素子，光スイッチの実現。
【解決手段】
本発明の，反応性分子ガスを異なる分子領域に分離して配置し，基体または分子領域を移動させることにより行う分子領域分割型ＭＬＤは，課題解決の有力手段となる。また，太陽電池，エレクトロルミネッセンス素子，光スイッチに，ＭＬＤにより分子配列制御したポリマ鎖／薄膜を組み込むことは，課題解決の有力手段となる。 （もっと読む）