【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工用等の用途に使用される高出力レーザ、例えばファイバーレーザに使用される光アイソレータ用に好適な小型化され高消光比の特性を有する光モジュールを提供すること。
【解決手段】波長１．０６μｍにおけるベルデ定数が０．２７ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上のファラディ回転子と、前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとを備え、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度Ｂ（Ｏｅ）は下記式（１）の範囲内にあり、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長Ｌ（ｃｍ）と外径Ｄ（ｃｍ）は下記式（２）及び（３）の範囲内にあることを特徴とし、更に前記ファラディ回転子は円筒形状であり、（２）及び（３）の寸法を満たし、１ｄＢ以下の挿入損失と３５ｄＢ以上の消光比を有する光モジュール。
０．５×１０⁴≦Ｂ≦１．５×１０⁴ （１）
０．７０≦Ｌ≦１．１０ （２）
０．２０≦Ｄ≦０．６０ （３） （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、基板７上に、磁化自由層１３、中間層１２、および磁化固定層１１の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造１を備え、磁化自由層１３を下部電極３とし、磁化固定層１１の上に積層された透明電極層を上部電極４とする。光変調素子５は、誘電体層２をさらに備えて、この上に前記磁化自由層１３が積層される。光変調素子５に入射した光は、スピン注入磁化反転素子構造１および誘電体層２を透過して基板７で反射し、さらに誘電体層２と磁化自由層１３との界面で反射して、誘電体層２で多重反射することにより、磁化自由層１３のカー回転角での旋光を累積させて出射する。 （もっと読む）

【課題】画素の選択性を向上させた、磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に配列された複数の画素４のそれぞれに磁気光学材料を細線状に形成してなる磁性細線１を備え、さらに基板７上に磁気転写膜５を磁性細線１の下面に接触させて備える空間光変調器１０であって、磁性細線１において、両端に接続された一対の電極２，３にて供給される電流により２つの磁区Ｄ０，Ｄ１間の磁壁ＤＷが細線方向に移動して、光の入射領域１ｒに磁区Ｄ０，Ｄ１のいずれかを選択的に到達させて、入射領域１ｒの磁化方向を反転させるものである。磁性細線１の磁化方向が磁気転写膜５に転写されるため、入射領域１ｒの直下における磁気転写膜５の磁化方向は磁性細線１と共に反転する。基板７を透過して入射した光は、磁気転写膜５を透過する際のファラデー効果により大きく旋光し、磁性細線１で反射して、再び磁気転写膜５を透過する際にも旋光して出射する。 （もっと読む）

【課題】細線状に形成された磁性体からなる磁性細線を用いて、簡易な構造で、かつ開口率を向上させた空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器１０は、細線方向に単位長さＬbで区切られた領域を画素として所定数の画素を細線方向に連続して設けられた磁性細線１を、複数並設して画素アレイを形成し、データ書込部５０および走査電流源８をさらに備える。磁性細線１は画素を設けられた領域である画素領域１ｐｘの外に細線方向に区切られた書込領域１ｗが設けられており、データ書込部５０が書込領域１ｗを所定の画素における磁化方向に変化させて形成した磁区は、走査電流源８が磁性細線１に細線方向に直流パルス電流を供給することにより、当該磁区を区切る磁壁と共に細線方向に沿って移動して、前記所定の画素に到達する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子１は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層１１、中間層１２、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層１３、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層１３の磁化方向を変化させる。磁化自由層１３は、組成がＧｄ：１９〜２７ａｔ％、Ｆｅ：７３〜８１ａｔ％であるＧｄ−Ｆｅ合金からなり、飽和磁化が５０〜２５０ｅｍｕ／ｃｃであることを特徴とする。磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 （もっと読む）

【課題】照射される光に対して、簡単な構成で複数の磁気光学的作用を与えることができる磁気光学素子、およびその製造方法を得ること。
【解決手段】基材２と、前記基材２上に形成された磁性層１とを備え、前記磁性層１に含まれる磁性粒子３が針状比が１以上５未満で平均粒子径が５０ｎｍ以下の球形磁性微粒子であり、前記磁性層１は、その面方向において磁化の大きさの異なる複数の磁区１ａ、１ｂ、１ｃに分割されている。 （もっと読む）

【課題】
ＤＱＰＳＫ変調方式など、位相変化を変調信号として使用する通信方式における光復調器において、１ビット遅延部分におけるデジタル信号毎の位相調整や偏光の回転角度調整を高精度に設定でき、信号特性の劣化を抑制可能な光復調器を提供すること。
【解決手段】
入力された差動位相偏移変調光信号を、分岐部１０にて複数のペアの光信号に分岐し、該ペアの光信号間に所定の遅延量を与えた後、合波部１０にて該ペアの光信号（Ｉ，Ｑ）を合波し、該合波された光信号の特定の組み合わせから得られた結果に基づき、差動位相偏移変調光信号を復調する光復調器において、該ペアの光信号間にそれぞれのペアに応じた固定の遅延量を与える固定遅延調整部４２を、少なくとも一部のペアの光信号の片方の光路に設け、可変で同一な遅延量を与える可変同一遅延調整部４１を、該固定遅延調整部を設けた全ペアの光信号の片方の光路、又は該固定遅延調整部を設けない全ペアの光信号の他方の光路に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速に動作し、十分な変調強度比が得られる空間光変調器を提供する。
【解決手段】入射光を反射或いは透過させて、反射光或いは透過光の空間的な強度を変調する構成であって、垂直磁化膜によって構成された磁性体細線１１と、この磁性体細線１１の一部分の磁化状態を変化させる磁化機構１２と、磁性体細線１１内に一方向の電流を供給して、磁化機構１２により変化した磁化状態を、磁性体細線１１内で伝播させる電流供給機構とを含む、空間光変調器を構成する。 （もっと読む）

【課題】偏光面の回転角が大きく、小型化ができる光変調素子を提供する。
【解決手段】 グリッド部材３０４は、入射光の波長の半分以下のピッチでＸ軸方向に沿って配置されている５本のＡｌ製の線状部材を有し、電界ベクトルの振動方向がＸ軸方向に平行な直線偏光が入射される。Ｘ方向ライン状電極及びＹ方向ライン状電極に電流を供給するとグリッド部材に磁場が印加され、入射光は偏光方向が＋θ_Ｆのファラデー回転あるいは−θ_Ｆのファラデー回転してグリッド部材から射出される。検光子３０９は、＋θ_Ｆのファラデー回転した光を透過させ、−θ_Ｆのファラデー回転した光を遮光する。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】精密な階調表現を可能にする空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器は、複数の画素２０が所定パターンで二次元配置された構造を有する。画素２０は光変調素子１３ａ，１３ｂを具備し、光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動したときに光変調素子１３ａ，１３ｂが取り得る状態の組合せによって、反射光の強さの異なる明状態、暗状態及び中間状態の中から選択される所定の光状態を取り得る。空間光変調器では、これらの光状態によって光の階調が作り出され、複数の画素２０のうちの所定画素２０を所定の光状態としたときに、この所定画素２０に隣接する少なくとも１つの画素２０が具備する光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動しないことによって、光の階調を制御する。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】固定層１０１と、中間層１０２と、反転層１０３とが積層された磁気抵抗効果素子１０を有し、固定層１０１に、遷移金属と希土類金属との磁性合金、Ｍｎを含む磁性合金、または、磁性多層膜のうちのいずれかを用いた磁気抵抗効果素子構造体１であって、磁気抵抗効果素子１０の上面に設けられた上部電極１１および磁気抵抗効果素子１０の下面に設けられた下部電極１２の間に、当該電極間を絶縁するための絶縁材１３を備え、絶縁材１３は、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａであり、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａは、固定層１０１の側面に当接して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の主要な光学部品を１個のホルダに固着することで加工精度の積み上げを無くし、調整箇所を最小限にすることにより容易に製作でき、コストダウンと特性の安定化を図る。
【解決手段】平行に配置された２本の入出力用の光ファイバ１０と、複屈折素子１２、レンズ１４、ファラデー素子１６、及びミラー１８を、その順序で光軸に沿って配設し、光が入出力用の光ファイバとミラーとの間を往復する型式の反射型光デバイスである。レンズ、ファラデー素子、及びミラーを保持する単一のホルダ２０を用い、該ホルダの一方の側にはレンズが、それと反対側にはミラーがそれぞれ位置し、前記レンズ、ファラデー素子、及びミラーは、前記ホルダに直接無調整で固着されており、光ファイバの前記ホルダに対する光軸方向の位置と光軸に垂直方向の位置の調整で必要光学特性を発現させる。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光変調素子が、単独でも階調表示を行うことが可能な空間光変調器を提供する。
【解決手段】磁気光学効果により光の変調を制御する磁気光学型の空間光変調器１０であって、空間光変調器１０を構成する画素２０が、光変調素子１３を備え、光変調素子１３は、画素２０のサイズよりも小さく、かつ、光変調素子１３の上面および下面が、それぞれ直径１００ｎｍの円の面積以上の面積を有し、光変調素子１３は、光変調素子１３に流れる電流の大きさにより、磁区の状態を単磁区状態または多磁区状態として、当該単磁区状態および多磁区状態を光の階調に割り当てることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。
【解決手段】スピン注入磁化反転素子１１は、下地層２１と、固定磁化膜層２２と、非磁性中間膜層２３と、自由磁化膜層２４とがこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有し、固定磁化膜層２２と自由磁化膜層２４における磁化の方向が膜面に垂直な方向であり、下地層２１は、銀膜層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力の大幅な増加や装置の大型化を招くことなく、入力光について外部変調による高速変調を実現することができる網膜走査型画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像情報に応じた駆動信号を生成する駆動信号生成部と、前記駆動信号に応じた強度のレーザ光を出射する光源部１１０と、光源部１１０から出射されたレーザ光を２次元方向に走査する走査部と、この走査部によって走査されたレーザ光を観察者の眼の網膜へ投射して、画像を投影する投射部とを備え、光源部１１０は、光源１２０と、光源１２０から出射したレーザ光の強度を前記駆動信号に基づいて変調する磁気光学変調器１４０とを有する。 （もっと読む）