【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記コア層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成していることを特徴とする吸収型半導体光変調器。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層５の厚みＤ１が、第二領域における中間クラッド層５の厚みＤ２と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続路３０は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路３０の内部には、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層８の少なくとも一部と、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層９の少なくとも一部とが誘電体層１１を挟んで重なり合って設けられている。また、第１導電型の半導体層８と、第２導電型の半導体層９と、誘電体層１１とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および／または高さが変化している。 （もっと読む）

【課題】波長可変機能を有する外部共振器と光変調器の間の光学結合損失を低減すると共に、外部共振器の導波路ミラー反射率を容易に設定可能な送信光源を提供する。
【解決手段】送信光源１は、（ｉ）透過光波長を変更可能な波長可変フィルター１３１、（ｉｉ）波長可変フィルター１３１の一端に光学的に接続される閉ループ状の光導波路を含むループミラー１３２、（ｉｉｉ）ループミラー１３２に光学的に結合され、ループミラー１３２を伝搬する光波の一部を２つのポートから取り出すことのできる２×２光カプラ１１２、（ｉｖ）光カプラ１１２の２つのポートの各々に接続され、導波光の位相を変調することができる第１及び第２の位相変調器として動作する導波路１０６及び１１０、及び（ｖ）導波路１０６及び１１０の出力を合波する３ｄＢ光合波器１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】 プロセス誤差による特性変動の少ない同方向性光結合器型の波長可変フィルタ、および波長可変レーザを提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体層で構成された半導体基板上に、半導体基板の第１辺から対向する第２辺に向って並行して伸びる第１の光導波路と第２の光導波路とを備え、第１光導波路は周期的な凹凸のある平面レイアウトを備えた第１コア層と前記第１コア層を上下に挟み込む一対の電極を備え、第２光導波路は第１コア層よりも低屈折率の第２コア層を備え、第１光導波路を構成する第１コア層の下に第２コア層と同じ組成、同じ膜厚の層を備えさせる。 （もっと読む）

モノリシックな電子光学的デバイスは導波路に光学的に接続するスポットサイズコンバータを有する。導波路のコア（５４）に延在するオーバークラッド（５８）はスポットサイズコンバータのオーバークラッドに比べ厚みが薄く、より高度にドープされる。この構造は厚みの異なる又はドーピングの程度の異なる選択された領域を備えたオーバークラッド（５８）を形成可能な選択性エッチングと強化型再成長の工程を適用することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を利用した光変調素子を含む変調器では、適切な結晶成長を確保するため、屈折率変化量が大きい方向、すなわち屈折率変調効率が高い方向にレーザおよび変調素子のメサストライプを形成し、高効率な屈折率変調を実現することができない課題があった。より低バイアス電圧で変調素子の制御駆動が可能であって、光損失変動が小さく、大きな屈折率制御量を得ることができる構造の実現が望まれていた。
【解決手段】電圧制御を用いて屈折率変調を行う半導体光制御装置において、ｐクラッド、ｎクラッド層に挟まれた単層または複数層からなる屈折率制御層の少なくとも一部がドーピング層を持っている。層構造は、バルク層、単層または多重量子井戸層とすることができる。素子ストライプの結晶方位は［１１０］に準ずる方向または［１−１０］に準ずる方向とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（基板）上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層１２（ｎ型クラッド層）、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１６（ＩｎＧａＡｓＰ活性層）、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６（ｐ型コンタクト層）が順番に形成されている。そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、動作可能波長帯域が広く、光ファイバによる分散に対しても波形劣化がすくない、小型の光変調器を実現することを目的としている。
【解決手段】 レーザー光に信号を重畳する光変調器であって、レーザー光を導波するための光導波層と、光導波層を間に挟んで設けられ、光導波層より屈折率が小さい第１クラッド層および第２クラッド層と、光導波層を伝搬するレーザー光を多重反射させるために、対向して設けられた２つの反射器と、２つの反射器の間に配置されて、光導波層の屈折率を変化させるための変調信号が印加される電極と、を備え、電極に印加された変調信号によって光導波層の屈折率が相対的に高くなる方向に変化する条件において、対向して設けられた２つの反射器の外側に出力される信号光の強度が高くなる動作点に設定されることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光導波路の終端部での端面残留反射に起因した内部反射を低減可能な光機能デバイスを提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の強度の変調が可能で、高効率化の可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光５０を出射するＤＦＢレーザ１０と、レーザ光の強度を変調する半導体光増幅器２０と、変調されたレーザ光５２をレーザ光の高調波である可視光５４に変換する高調波生成素子３０と、を具備するレーザシステムである。本発明によれば、レーザ光の強度の変調が可能で、高効率の高調波生成素子を用いることができ消費電力を削減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型光回路の２つの電極間に発生するリーク電流を防止する手段を提供する。
【解決手段】光導波路を２方向に分岐する２つの分岐部と、分岐された光導波路の間を接続する第１および第２のアーム部とで形成された光回路を備え、光導波路を、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたウェル層と、ウェル層上に形成された、第１導電型とは逆型の第２導電型半導体からなる第２のクラッド層とを積層して形成し、第１および第２のアーム部の第２のクラッド層に電気的に接続する第１および第２の電極を形成した半導体マッハツェンダ型光回路において、第１および第２の電極の両側の領域の、第１および第２のアーム部と、それらの両端をそれぞれ接続する分岐部とで形成される、第１の電極から第２の電極に至るそれぞれの第２のクラッド層の電極直下を除く少なくとも一部に、第１導電型半導体からなる第３のクラッド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光信号の増幅処理を制御光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置を提供する。
【解決手段】光信号増幅３端子装置１０においては、第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１と第２波長λ_２の第２入力光Ｌ_２とが入力された第１光増幅素子２６からの光から選択された第２波長λ_２の光と、第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３とが第２光増幅素子３４へ入力させられるとき、その第２光増幅素子３４から出された光から選択された第３波長λ_３の出力光Ｌ_４は、前記第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１および／または第３波長λ_３の第３入力光Ｌ_３の強度変化に応答して変調された光であって、前記第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３に対する信号増幅率が２以上の大きさの増幅信号となるので、光信号の増幅処理を制御入力光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】遅延時間を２進法的に変えることができるプログラマブル光バッファを提供すること。
【解決手段】光遅延手段を介して光信号を遅延させるように構成された光バッファ装置において、半導体基板上に、互いに平行な複数本の光導波路よりなる第１の光導波路組と互いに平行な複数本の光導波路よりなる第２の光導波路組とが対角線に近い角度で交差するように形成されるとともに、これら第１の光導波路組と第２の光導波路組との所定の交点には選択的に電流を印加してキャリアを注入することにより光信号の経路をスイッチングするための電極が設けられている光スイッチ手段と、この光スイッチ手段に形成された光導波路の所定の端部間に接続され前記光信号に所定の遅延時間を付与する複数の光遅延手段と、前記光スイッチ手段に前記光信号を入力する入力光ファイバと、前記光スイッチ手段から出力される前記光信号が入力される光結合手段と、この光結合手段に接続される出力光ファイバ、とで構成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】２次の電気光学効果を有する半導体光導波路を備えた干渉型光強度変調器のチャープが少ない駆動方法を提供する。
【解決手段】 第１及び第２の半導体光導波路１２、１３にそれぞれ印可される第１及び第２の変調電圧Ｖ１、Ｖ２を、第１の定常状態と第２の定常状態の間を推移する間、Ｖ１Ｖ１’＋Ｖ２Ｖ２’＝０となるように制御する。ここで、Ｖ１’、Ｖ２’はＶ１、Ｖ２の時間微分である。かかる制御により、チャープパラメータαの２次の電気光学効果に由来する項が小さくなる。 （もっと読む）

混成導波モード共鳴（ＧＭＲ）格子、光フィルタ及び光フィルタリングの方法が、分布ブラッグ反射を使用する。混成ＧＭＲ格子は、ＧＭＲ共鳴周波数を有するＧＭＲをサポートする導波路層を含む。混成ＧＭＲ格子は、混成ＧＭＲ格子の上に入射する信号の一部分を導波路層の中に結合する回折格子と、入射信号の他の部分を反射する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）とを更に含む。入射信号の結合された部分は、ＧＭＲ共鳴周波数に相当する周波数を有する。反射された部分は、ＧＭＲ共鳴周波数から離れた周波数を有する。光フィルタは、混成ＧＭＲ格子及びカプラを含む。方法は、光信号を混成ＧＭＲ格子の中に結合し、混成ＧＭＲ格子からの反射信号を更に結合することを含む。 （もっと読む）

【課題】変調振幅電圧を一定とすることで、回路、調整のコストを低減し、波形品質も一定に保つことを可能とする半導体光変調器及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】制御演算装置２１は、温度制御とレーザ電流制御により、半導体波長可変レーザ１２が所望の波長の光を出力するよう制御を行う。Ｖ_Ｄａｔａをスイープさせ、半導体光変調器１４を通って出力される光パワーをパワーモニタＰＤ１６、もしくは、光パワーメータ２４にて測定し、出力光パワーのＶ_Ｄａｔａ依存性を測定する。ｃ_０＋ｃ_１×Ｖ_Ｄａｔａ＋ｃ_２×Ｖ_Ｄａｔａ^２に対してカーブフィッティングを行い、得られた１次と２次の係数ｃ_１、ｃ_２、所望とする変調振幅電圧Ｖ_ｍ、及び式６から設定すべきＶ_Ｄａｔａが求められる。これらの値を用いて、式７からＶ_Ｂａｒを求める。これらの操作を半導体波長可変レーザ１２が出力する全波長に対して行い半導体光変調器１４に求めたＤＣバイアス電圧Ｖ_Ｄａｔａ、Ｖ_Ｂａｒを印加することで、全波長領域で一定Ｖ_ｍでの変調が実現される。 （もっと読む）