【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】 小型かつ簡単な構成の電磁波波長変換素子、前記電磁波波長変換素子を用いた波長分割多重光通信システム、波長可変光源および光発電システム、ならびに電磁波波長変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
入射電磁波２０２をエバネッセント波２０４に変換するエバネッセント波変換手段４０１と、
エバネッセント波２０４を表面プラズモンポラリトン２０５に変換する表面プラズモンポラリトン変換手段４０１と、
表面プラズモンポラリトン２０５の周波数を変調する表面プラズモンポラリトン周波数変調手段４１０と、
周波数変調手段４１０により周波数変調された表面プラズモンポラリトン２０５に結合したエバネッセント波２０６を出射電磁波２０８に変換する出射電磁波変換手段４０２とを有することを特徴とする波長変換素子１。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、使用波長帯域が広い光リミッタ回路および光受信回路を提供すること。
【解決手段】本回路は、入力導波路１０７、吸収係数を高くした半導体導波路１０８、出力導波路１０９からなり、入力パワが数百ｍＷ以上になる場合、後段の光回路を保護するための光ヒューズ機能を有する光リミッタである。半導体は、温度上昇によってバンドギャップ波長が長波長にシフトするので、特定の波長において、温度上昇と共に吸収係数がさらに増大する。即ち、ある程度の吸収係数を持つ半導体導波路は、それ自身で光リミッタ特性を有する。この回路では、温度上昇が１００℃以上になるので、過大な入力で導波路が溶融し、光ヒューズとしても機能する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】横幅方向の小型化を図ることができると共に、波長精度及び光出力精度を向上させることができる半導体光変調素子及び光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動回路１５と前記光変調素子ＥＡＭとの間の線路Ｌに設けられた１個又は複数個の検出点Ｐにおいて、当該線路Ｌを流れる光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動電流を検出し、検出された駆動電流が正常範囲内か正常範囲外かを判定することによって、前記線路Ｌの断線を判定する。
【効果】前記線路Ｌの断線を判定することができ、光変調素子の光透過率が上がったままで光を遮断しなくなるという事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、クラッド層から熱伝導率の大きい電極へ直接熱を放熱するルートを確保し、使用環境温度が高い条件でも光素子特性を大きく劣化させることを防ぐ構造のリッジ型半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るリッジ型半導体レーザ３０１は、エッチングストップ層３３の上面ｍ、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとするリッジストライプ状のリッジ部クラッド層１４と、リッジ部クラッド層１４の側面を覆う絶縁層１３と、を備え、リッジ部クラッド層１４の側面にある絶縁層１３の端部Ｐが、リッジ部クラッド層１４の上面ｒとエッチングストップ層３３の上面ｍとの間にある。 （もっと読む）

【課題】光導波方向における素子長を短縮することが可能なマッハツェンダー型光変調素子を提供すること。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、半導体基板４と、導波光を反射する反射部１ｂと、導波光を合分波する光合分波器３０と、光合分波器３０まで延在する第一及び第二光導波路２Ａ，３Ａと、光合分波器３０から反射部１ｂまで延在する第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂと、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの少なくとも一方の屈折率を変化させることにより光の位相を制御する位相制御部１０とを備え、位相制御部１０は、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの一部を各々構成し、該基板４上に設けられた下部クラッド層、該下部クラッド層上に設けられたコア層、及び該コア層上に設けられた上部クラッド層を各々含む第一及び第二光導波路構造と、第一及び第二光導波路構造の上に各々設けられた上部電極１１ａ，１１ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体光変調器の形成プロセスや使用部品点数を増加させることなく、サージ耐性を向上させることができるサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を複数積層した半導体層構造からなり、光の変調を行う半導体光変調領域１４と、半導体光変調領域１４の半導体層構造と同一の層構造からなり、半導体光変調領域１４を電気的に保護する保護ダイオード２４とを備え、半導体光変調領域１４と共に保護ダイオード２４を半導体基板上にモノリシック集積し、半導体光変調領域１４の活性領域と保護ダイオード２４とを電気的に並列に接続し、かつ、半導体光変調領域１４の活性領域と逆の電界を保護ダイオード２４に印加するように、半導体光変調領域１４と保護ダイオード１４とを配線するサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属ステム上に実装された温度制御モジュール上に半導体光変調素子を配置した場合においても、周波数応答特性の劣化を防止できる半導体光変調装置を得る。
【解決手段】金属ステム１上に支持ブロック４が実装されている。金属ステム１上に温度制御モジュール５が実装されている。温度制御モジュール５上に第２の支持ブロック６が実装されている。第１の支持ブロック４の側面に誘電体基板７が実装されている。リードピン２に接続された信号線路９が誘電体基板７上に形成されている。支持ブロック６の側面に誘電体基板８が実装されている。誘電体基板８上に信号線路１１が形成されている。誘電体基板８上に半導体光変調素子１４が実装されている。信号線路１１に容量２０が接続されている。進行波の位相と反射波の位相とが１８０度ずれるような周波数において、半導体光変調素子１４でのインピーダンス整合を行うように、容量２０の値が設定されている。 （もっと読む）