【課題】出力光のチャープ特性を制御することができる光変調デバイスを得る。
【解決手段】光分波器１４は、入射側光導波路１２を介して入力された入力光を第１の入力光と第２の入力光に分波する。光強度変調器１６は、外部の変調器ドライバ２４から入力された変調信号に応じて第１の入力光の強度を変調する。可変光位相シフタ１８は、第２の入力光の位相をシフトする。光合波器２０は、光強度変調器１６の出力光と可変光位相シフタ１８の出力光を合波した合波光を、出射側光導波路２２を介して出力する。可変光位相シフタ１８の位相シフト量は、外部から制御できる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を小さくすることができ、低反射率を得ることが可能な半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能素子１０では、所定波長の光を射出する半導体レーザ部１１と、半導体レーザ部と同一基板上に形成され、側面が所定の曲率で湾曲した逆メサ形状の光導波路１７を有する電界吸収型変調部１３と、を設けた。本発明によれば、逆メサ形状を有する導波路を形成することにより素子抵抗を小さくすることができ、かつ、逆メサ形状を有する導波路の側面が湾曲しているため、端面での反射戻り光が導波路に再入射しなくなり、反射率の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本願発明の課題は、変調器集積レーザのモジュール消費電力を低減することにある。
【解決手段】 レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。このとき変調器とレーザの波長の発振波長とバンドギャップ波長の差は上記素子設定温度上昇に比例した分だけ大きくとることが伝送特性を維持するために必要である。このことによってモジュールケース温度と素子設定温度差が小さくなり、モジュール消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】特殊な光学系を用いることなく、簡単な装置構成で、所望の帯域幅の光信号が得られるとともに、リアルタイムでデータ変調を行うことができる波形発生装置を提供すること。
【解決手段】光パルス信号を出力する光パルス信号出力部（光パルス生成部１１）と、光パルス信号を変調するための変調データを書き換え可能に格納する格納部（リングバッファ２３）と、光パルス信号の振幅を、それぞれに供給された変調データに基づいて変調する複数の変調部（振幅変調部１４）と、複数の変調部からそれぞれ出力される光パルス信号を時分割多重化によって多重化する多重化部（合波部３１）と、多重化された光パルス信号を光電変換により電気パルス信号に変換する光電変換部（Ｏ／Ｅ変換部１９）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本質的に無損失で繰り返し周波数を低い値に変換した光パルス列を出力することである。
【解決手段】位相変調信号に応じて、入力される光パルス列に位相変調を施す位相変調部２１と、前記位相変調が施された光パルス列に、部分的な時間的Talbot効果に必要な群速度分散を与えて、繰り返し周波数が減じられた光パルス列を出力する群速度分散部２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶導波路の所定の位置に、二光子吸収キャリアを発生させ、該キャリアに起因する自由電子吸収によりスイッチングを行う光スイッチ素子において、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】３次元フォトニック結晶構造を用いた電流注入型光制御素子において、電流狭窄領域を精密に制御する。
【解決手段】光制御素子４は、周期的に配置された複数の第１の構造体をそれぞれ含む複数の周期構造層が、離散的に配置された複数の第２の構造体を含む少なくとも１つの離散構造層を間に挟んで積層されて構成された３次元フォトニック結晶４１と、該結晶内部に配置された活性部４２と、該結晶のうち導電性材料により構成された部分に接する電極４６，４７とを有する。複数の第２の構造体は、互いに異なる２以上の導電性材料により構成されている。該２以上の導電性材料のうち他の導電性材料よりも高い抵抗を有する少なくとも１つの導電性材料により構成された第２の構造体が、電流が注入された電極から活性部にキャリアを集中させて導くように配置されている。 （もっと読む）

【課題】
簡易な構成でＮＲＺ信号光を光再生する。
【解決手段】
光フィルタ１２は、所定ビットレート（Ｂ）の入力ＮＲＺ信号光（１０）から一方のサイドバンド成分を除去する。電気吸収型光変調器１４は、光フィルタ１２の出力信号光をＲＺ信号光に変換し、パワースプリッタ２０から電気クロックを出力する。光パルス発生装置２４は、電気クロックに従って光クロックパルスを発生する。半導体光増幅器３０は、電気吸収型光変調器（１４）から出力されるＲＺ信号光に従い当該光クロックパルスをゲートすることにより、再生ＲＺ信号光を出力する。光バンドパスフィルタ３２は、再生ＲＺ信号光を抽出する。複屈折媒体３４及び偏光子３６が、再生ＲＺ信号光をＮＲＺ信号光に変換する。 （もっと読む）

【課題】レーザーと光変調器のマルチチップモジュールを作製する際に、光ファイバと光変調器の結合損失を補償すると共に、半導体ＩｎＰ マッハツェンダ変調器での損失を補償し、デバイスからの出力パワーを増加させた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】同一半導体基板１上にて光λ１が導波する方向に半導体光増幅器５０とマッハツェンダ変調器６０とが集積されている。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の周囲温度の変化に対応して、変調信号の駆動振幅の変動を抑制するように精度良く制御することができる光送信機を提供する。
【解決手段】光源からの出射光を入力信号に基づいて変調する外部変調器の駆動回路において、前記外部変調器に対し、直流バイアス電圧に重畳させて、前記入力信号に応じた駆動電圧を供給する電圧供給手段と、前記駆動電圧の振幅を設定する制御手段と、前記電圧供給手段により前記外部変調器に供給される駆動電圧を検出する電圧検出手段とを有し、前記制御手段は、前記電圧検出手段の検出出力を取り込み、該検出出力に基づいて前記駆動電圧が予め定められた振幅値になるように、前記電圧供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２の光半導体装置が混在する集積化光半導体装置において、夫々の光半導体装置を形成する光導波路層の中心軸を一致させた状態で、第１及び第２の光半導体装置を異なった構造の埋め込み層で埋め込むこと。
【解決手段】直線状の第１のマスクを、第１及び第２の半導体積層構造双方に亘って形成する工程と、前記第１及び第２の半導体積層構造をエッチングして、前記第１のマスクによって保護された領域に、前記第１及び第２の光導波路層を形成する工程と、前記第１のマスクを残存させたままの状態で、前記第２の光導波路層を覆う第２のマスクを形成する工程と、露出する前記第１の光導波路層の両側面に、第１の埋め込み層を成長する工程と、前記第１のマスクを残存させたまま、前記第２のマスクを除去する工程と、露出する前記第２の光導波路層の両側面に前記第２の埋め込み層を形成する工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】線形性の高い消光特性が得られるようにする。
【解決手段】第１導電型半導体クラッド層（ｎ型クラッド層）１１、半導体光吸収層１２及び第２導電型半導体クラッド層（ｐ型クラッド層）１３が順次積層されてなる層構造を有する電界吸収型半導体素子において、第１導電型半導体クラッド層１１及び第２導電型半導体クラッド層１３にそれぞれ添加されている不純物の濃度を、それぞれ半導体光吸収層１２との界面側において高くし、その界面の法線方向に濃度勾配を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】CS光パルス列の光パルス幅並びにデューティー比、及び中心波長が可変である。
【解決手段】第1電気変調信号生成器10と、第2電気変調信号生成器14と、2モードビート光源18と、光強度変調器20とを具えて構成されるCS光パルス列生成装置である。第1電気変調信号生成器は、第1電気変調信号13を生成して出力する。第2電気変調信号生成器は、第1電気変調信号と同一の周波数であって、かつδラジアン（δは0≦δ≦πを満たす実数である。）の位相差が与えられた第2電気変調信号15を生成して出力する。2モードビート光源は、第1電気変調信号によって駆動され2モードビート光19を生成して出力する。光強度変調器は、2モードビート光が入力されてCS光パルス列21を生成し出力する。光強度変調器の光透過率は、第2電気変調信号によって変調される。 （もっと読む）

【課題】直流バイアスの変動の抑制を図り、かつ外部変調器とバイアス回路との接続部の小型化を図った外部変調器のバイアス回路を提供する。
【解決手段】直流バイアス手段は、前記外部変調器に最適な直流バイアス電圧を供給する調整電圧を設定する調整電圧設定手段と、直流バイアス電流を前記外部変調器に並列接続された終端抵抗に供給する定電流源を構成する制御用トランジスタと、前記調整電圧に基づく一定のバイアス電圧を、前記制御トランジスタに供給するバッファアンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上部のｎ型のクラッド層と導波路の電気信号ラインとが電気的に分離できるｎｐｉｎ型の半導体光変調器及びこれを利用する光変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体光変調器は、コア層、前記コア層を挟み下部及び上部にそれぞれ配置される第１クラッド層及び第２クラッド層、並びに前記第２クラッド層と前記コア層との間に挿入されるバリア層を含む積層構造からなる第１半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の積層構造のうち、前記第２クラッド層がｎ型半導体内で局所的に積層方向に貫通するｐ型半導体を持つ積層構造からなる第２半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の前記第１クラッド層に接続される第１電極と、前記第１半導体光導波路の前記第２クラッド層と前記第２半導体光導波路の前記第２クラッド層のｐ型半導体とを電気的に接続する第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力の小さい光スイッチ素子を提供する。
【解決手段】光スイッチ素子１は、基板８と、クラッド層９と、光導波路層１０と、電界印加部とを備えている。クラッド層９は基板８上に設けられている。光導波路層１０は、クラッド層９上に設けられ、互いに間隔を空けて並走する光結合部４を有する１対の光導波路２、３を含み、クラッド層９の屈折率よりも大きい屈折率を有している。電界印加部は、光結合部４において、１対の光導波路２、３およびクラッド層９に電界を印加するために設けられている。 （もっと読む）

放射線をコリメートするための装置は、サブ波長次元の開口と、放射線を放出する能動または受動デバイスと統合された金属膜上に規定される、隣接する一組の溝とを含むことができる。レーザまたは他の放射線放出デバイスのファセット上へのビームコリメータの統合は、ビームのコリメーションおよび偏光選択を提供する。ビーム発散は、従来のレーザの出力と比較して２桁以上低減することができる。開口−溝構造を伴う能動ビームコリメータは、半導体レーザ（例えば、量子カスケードレーザ）、発光ダイオード、光ファイバ、およびファイバレーザ等の、広範囲の光学デバイスと統合することができる。
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【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１の光導波路コア３では、第１及び第２の領域３ａ、３ｂは、所定の軸Ａｘの方向に交互に配置されており、またこれらの領域３ａ、３ｂは互いに隣接している。回折格子構造５は、所定の軸Ａｘの方向に順に配置された回折格子部分５ａ〜５ｎを含む。回折格子部分５ａ〜５ｎは、それぞれ、光導波路コア３の第１の領域３ａに光学的に結合されている。回折格子部分５ａ〜５ｎは周期的に配置されている。この繰り返し配置の周期は値Λｓである。回折格子部分５ａ〜５ｎは互いに離間して配置されている。回折格子構造の周期は、所定の軸Ａｘに取られたｘ軸上の座標に対して単調に変化するチャープ回折格子の周期を提供する関数ｆ（ｘ）によって規定される。回折格子部分５ａ〜５ｎの各々におけるチャープされた周期は関数ｆ（ｘ）によって規定される。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で安定した所望の負チャープ特性が得られるマッハツェンダー型の光変調器を提供する。
【解決手段】入射光ＩＮは光分波器１３で２分岐され、アーム導波路２０ａ，２０ｂでそれぞれ変調電圧Ｖａ，Ｖｂによってプッシュ−プル駆動された後、光合波器１４で合波されて変調された出射光ＯＵＴが出力される。出射光ＯＵＴは、変調電圧Ｖａ，Ｖｂに応じて強度が変調されると同時に、アーム導波路２０ａ，２０ｂの等価屈折率の変化により、波長が変化する。これをチャープ現象といい、光ファイバによる長距離伝送では、ファイヤの材質や光の波長に応じて最適なチャープ特性が求められる。アーム導波路２０ａ，２０ｂは、それぞれ層数の異なるＭＱＷ導波路層２２ａ，２２ｂで構成しているので、この層数を変えることにより、容易に安定した所望の負チャープ特性を得ることができる。 （もっと読む）

低い偏光感度を呈するモノリシックリン化インジウム（ＩｎＰ）差分位相シフトキーイング（ＤＰＳＫ）又は差分直交位相シフトキーイング（ＤＱＰＳＫ）受信機が提供される。
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