【課題】本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。
【解決手段】結合量子井戸に形成される第１〜第４準位のサブバンド間遷移エネルギー及びバンド間遷移の第１バンド準位エネルギーが通信波長帯のエネルギー（0.8eV:1550nm帯）に制御された結合量子井戸構造であって、上記結合量子井戸構造の量子井戸層及び結合層はそれぞれIn_xGa_1-xAs及びAl_ｙGa_1-ｙAsからなり、量子井戸層・結合層の組成x、yの範囲は0.205≦x≦0.85、0≦y≦0.6であり、量子井戸層の膜厚は2nm以上4nm以下、結合層の膜厚は２原子層以上５原子層以下であることを特徴とする結合量子井戸構造。 （もっと読む）

【課題】伝送特性の良好な偏波多重光信号を送信する偏波多重光送信器を提供する。
【解決手段】第１および第２の変調器は、それぞれ、第１および第２のデータに応じて位相変調および強度変調を行って第１および第２の光変調信号を生成する。結合部は、第１および第２の光変調信号を結合して偏波多重光信号を生成する。位相制御部は、第１の変調器が備えるマッハツェンダ干渉計の位相差を目標値に制御すると共に、第２の変調器が備えるマッハツェンダ干渉計の位相差を上記目標値からπだけシフトした値に制御する。第１および第２のデータは、互いに同じデータパターンである。信号制御部は、偏波多重光信号の光強度波形に基づいて、第１および第２の変調部の少なくとも一方の動作状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて、光信号を変調する方法を提供する。
【解決手段】ワイヤレス無線周波数変調信号は半導体ナノ構造領域における時間依存電界を提供し、それは半導体デバイスにおいて吸収を変化させる。半導体デバイスにおいて伝搬する光信号はワイヤレス無線周波数変調信号の特性に従って変調され、そして情報をワイヤレス無線周波数信号から光キャリアへと符号化する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体の光吸収により生じる直交成分による周波数チャーピングの影響を低減す
ることができる光位相変調器および光位相変調装置を提供する。
【解決手段】光変調器１００は、使用波長における初期位相差がπの第１及び第２のメイ
ンアーム光導波路１１ａ，１１ｂを有するメインマッハツェンダ干渉計１１と、第１のメ
インアーム光導波路１１ａに形成された使用波長における初期位相差が０の第１及び第２
のサブアーム光導波路２１ａ，２１ｂを有する第１のサブマッハツェンダ干渉計２１と、
第２のメインアーム光導波路に形成された使用波長における初期位相差が０の第３及び第
４のサブアーム光導波路２２ａ，２２ｂを有する第２のサブマッハツェンダ干渉計２２と
を有する。各メインアーム光導波路および第１乃至第４のサブアーム光導波路のうち、少
なくとも高周波電極が形成された部分は、半導体光導波路からなる。 （もっと読む）

本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット４が上部半導体層２と下部半導体層３の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜５に、開口から金属突起１１〜１４が張り出した構造を持つ突起付開口６が形成されている。励起光源２１から発せられたＹ方向の偏光を有する励起光は、金属突起１３、１４からなるアンテナＹに共鳴して、量子ドット４を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起１１、１２からなるアンテナＸに結合し、Ｘ偏光の光子として外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能でかつ、ＥＳＤ耐性の高い導波路型光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 （もっと読む）

シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ（ｃｈｉｒｐ）」（すなわち、経時変化する光学位相）の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第１の領域（例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域）に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧（ＯＭＡが大きくなる）及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号（及び逆位の信号）は別個の入力として、変調素子の各アームの第２の領域（例えば、ＳＯＩ領域）に印加される。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】光変調器へ入力される光の波長や光強度によって変調特性が変動してしまう問題点を改善し、変調器の安定動作を実現すること。
【解決手段】一実施形態による、光変調器に用いられる光変調導波路は、半導体クラッド層（バリア層）としての半絶縁型クラッド層に接する第２のｎ型半導体クラッド層の一部、または第２のｎ型半導体クラッド層と半絶縁型クラッド層（半導体クラッド層）の一部を、ｐ型の導電性を持つｐ型半導体領域とする。このｐ型半導体領域は、光変調導波路の光進行方向に繰り返し複数配置される。入力光が半導体光導波層において光吸収されて発生したホールは、このｐ型半導体領域を介して、第２のｎ型半導体クラッド層と共通の電極から引き抜かれる。これにより、バリア層である半絶縁型クラッド層に、ホールが蓄積することを防止ないしは軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光導波路の端面上に膜を備える半導体光素子及びその作製方法において、半導体基板の劈開、およびその後の取扱いの際における端面の損傷を低減する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体基板３上に設けられ、該半導体基板３の主面３ａに沿った光導波方向に延びる光導波路２と、光導波路２の両端に形成された端面２ａ，２ｂと、光導波方向における半導体基板３の両端に形成された劈開面３ｃ，３ｄと、光導波路２の端面２ａ，２ｂ上に設けられ、光導波路２の屈折率より小さい屈折率を有する膜１０ａ，１０ｂとを備える。膜１０ａ，１０ｂは、半導体基板３の劈開前に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには、位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で、長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離され、分離溝Ｇａｐに向かって連続的に幅が細くなる。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】 伝搬光の曲率を増大でき、低エネルギーで屈折率を調整可能なディスク共振器およびこれを用いた光フィルタを提供する。
【解決手段】 本発明のディスク共振器は、第１のクラッド層１１の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状のコア層１２が、メサ形状となるように形成され、コア層１２の上に、ほぼ円形状またはほぼ長円形状のディスク状の第２のクラッド層１３が、リブ形状となるように形成され、第１のクラッド層１１および第２のクラッド層１３の双方の屈折率が、コア層１２の屈折率よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なくマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路によって形成され、しかも製造上の歩留まりが高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体光変調器２４は光導波層４を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ２６を具備している。また光導波路の両脇に配置された一対の半導体層２８、３０と、この一対の半導体層の夫々と光導波路の間に形成された溝３２、３４を埋め込む樹脂層３６、３８とを具備する。さらにメサの頂上に形成された上部電極１２、および基板４２の裏面に形成された下部電極１４を備える。 （もっと読む）

【課題】温度調整型波長可変レーザの温度を変えた場合でも、同一集積素子内の半導体ＭＺ変調器素子の温度を簡単な構成で略一定に保つこと。
【解決手段】光送信装置１００は、半導体ＭＺ変調器素子１０１および温度調整型波長可変レーザ素子１０２を集積した集積素子１０３と、嵌通孔１０５を有するキャリア１０４と、ＴＥＣ１０６，１０７とを有しており、キャリア１０４の嵌通孔１０５上に集積素子１０３に含まれる半導体ＭＺ変調器素子１０１と温度調整型波長可変レーザ素子１０２とを結ぶ導波路が配置されるように集積素子１０３をキャリア１０４上に固定している。 （もっと読む）

【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層と該コア層の上方に形成された上部クラッド層とを含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記光導波路は、ストリップ装荷構造でなり、前記上部クラッド層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記コア層を経由して前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成している。 （もっと読む）

本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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