【課題】光の通過損失が増大することを抑制しつつ、位相調整を行うことが可能な光変調装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路３８ａ及び第２出力光導波路３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂが接続するマッハツェンダ型光変調器１０と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた位相調整用電極４０に対して位相制御信号を入力すると共に、位相制御信号を位相調整用電極夫々の間で切替える機能を有する位相調整回路１２と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂを伝搬する光を変調させる変調信号を、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた変調用電極４２に差動信号として入力する駆動回路１４と、駆動回路１４から出力される差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５０と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器１０をパッケージ７０内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器１０を固定する工程の後、入力光を入力レンズ４６に入射する工程と、入力レンズ４６を介してマッハツェンダ変調器１０に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ４６の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ４６をパッケージ７０内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。フォトダイオード５２における導波路幅を広げることで、コア２０の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード５２の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路２６ａと第２出力光導波路２６ｂとが接続された第２ＭＭＩ２５を備えたマッハツェンダ変調器１０と、第１出力光導波路２６ａから出力される第１出力光、及び第２出力光導波路２６ｂから出力される第２出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ６０と、光アイソレータ６０を介して第１出力光と光結合し、第２出力光と光結合しない光ファイバ６４と、を具備する光学装置である。 （もっと読む）

【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 ２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂに合分波部３４を介して２つの光導波路３２ａ及び３２ｂが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、２つの光導波路３２ａ及び３２ｂのそれぞれに設けられたアーム電極４０及び４２と、２つの出力光導波路３８ａ及び３８ｂのそれぞれに設けられ、アーム電極４０及び４２よりも高い電圧が印加される光強度検出電極４４と、アーム電極４０及び４２と光強度検出電極４４との間の導波路に設けられ、アーム電極４０及び４２に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極６０と、を備えることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】光スイッチに供給される駆動電流をすばやく供給し、かつ、光スイッチに供給される駆動電流にオーバーシュートが発生することを抑制できる光スイッチ駆動回路、光スイッチ及び光切替スイッチを提供すること。
【解決手段】所定の電圧から一定電圧に立ち上がるパルス波を発生させる発生部と、定常電圧よりも高い電圧を印加した後、前記定常電圧よりも低い電圧まで低下し、さらに前記定常電圧を印加する電圧印加部とを有する。 （もっと読む）

【課題】広帯域にわたって入力電気信号の反射を低減することができる光変調装置を得ること。
【解決手段】アノード電極５を有する光変調器４と、整合抵抗８と、アノード電極５と接続され、光変調器４への入力電気信号をアノード電極５へ伝送する第１のワイヤ３と、第１のワイヤ３と接続されたキャパシタンスを有する第１の導体パッド２と、アノード電極５と整合抵抗８とを接続する第２のワイヤ６と、第２のワイヤ６に接続されたキャパシタンスを有する第２の導体パッド７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の劣化を防ぎ、消費電力を低減し、光変調素子の故障を防ぐことができる光変調装置を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮに変調信号が入力される。光変調素子１０のアノードは入力端子ＩＮに接続され、光変調素子１０のカソードは接地されている。光変調素子１０に並列に整合抵抗Ｒ１及び整合コンデンサＣ１が接続されている。整合コンデンサＣ１は整合抵抗Ｒ１に直列に接続されている。保護抵抗Ｒ２が、光変調素子１０、整合抵抗Ｒ１、及び整合コンデンサＣ１に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高品質な多値の光信号を得ることができる。
【解決手段】 本発明は、Ｎチャネル（Ｎは２以上でＮ以下の整数）の電気２値信号を、１チャネルの光多値信号に変調する信号変調装置に関する。電気信号を光信号に変調する変調部をＮ段備え、第１段目の変調部は、第１の電気２値信号を光信号に変調して、第２段目の変調部に供給し、第２段目以降の変調部は、外部変調方式で電気信号を光信号に変調するものであり、第ｍ段目（ｍは２以上でＮ以下の整数）の変調部は、第ｍ−１段目の変調部から出力される光信号を光源として、第ｍの電気２値信号を光信号に変調して出力し、第Ｎ段目の変調部が出力する光信号を、光多値信号として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収型光変調素子の高速駆動を可能とする駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１０は、所定の特性インピ−ダンスを有する伝送線路４０を介して光吸収型光変調素子３２を駆動する回路であって、出力ドライバ回路１２、オフセット設定回路１４、及び直列回路１６を備える。出力ドライバ回路１２は、伝送線路４０に直流的に接続され、光変調素子３２を交流駆動する。オフセット設定回路１４は、光変調素子３２にオフセット電圧を与える。直列回路１６は、抵抗１６ａとインダクタ１６ｂを有し、伝送線路４０にオフセット設定回路１４を接続する。直列回路１６にインダクタンス１６ｂを設けることで、駆動回路１０の出力インピーダンスの周波数特性にピークを持たせ、光変調素子３２の駆動波形の高周波特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電極間における抵抗が低くすることができ、かつ、光の伝播損失を低くすることができる位相変調素子を提供する。
【解決手段】半導体材料により形成される光導波路と、前記光導波路の両側側面に各々接続される半導体材料により形成される接続構造部と、前記接続構造部の各々に接続される電極部と、を有し、前記接続構造部は、前記電極部との接続部分に不純物元素がドープされた不純物領域を有しており、前記不純物領域は、前記光導波路と前記接続構造部との接続部分における前記光導波路に対し垂直方向の延長線上とはならない部分に形成されていることを特徴とする位相変調素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）