【課題】 複数の光パワーの和が最小となるように複数の光可変部を制御する際に、装置の大型化等を招くことなく光パワーの検出精度を向上させる。
【解決手段】 受光素子２１ｐ，２２ｐ，２３ｐは、リング共振器２１，２２，２３のスルーポート１１ｔ，２５ｔ，２７ｔにそれぞれ設けられている。制御部１８は、受光素子２１ｐ，２２ｐ，２３ｐで検出された光パワーの和が最小となるように、ヒータ２２ｈ，２３ｈを制御する機能を有する。受光素子２１ｐ，２２ｐ，２３ｐは、受光面に照射された光のパワーに応じて電気信号を出力する。受光素子２１ｐ，２２ｐ，２３ｐから出力された電気信号の和は、光学的にではなく電気的に求められるので、干渉縞による検出精度の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】光波形整形素子に関し、利得飽和や吸収飽和の起こる高いパワーレベルで使用する場合であっても、パターン効果を抑制し、信号の２Ｒ，３Ｒ再生を実現できるようにする。
【解決手段】光波形整形素子を、活性層３を有する半導体光導波路１０と、半導体光導波路１０の入射端面側に設けられた光増幅領域２０Ａと、半導体光導波路１０の出射端面側に設けられた光吸収領域２０Ｂとを備えるものとし、半導体光導波路１０を、入射端面及び出射端面の近傍領域の光閉じ込め係数が光導波方向の素子中央領域の光閉じ込め係数よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】変調歪が少なく、任意の光強度および消光比を有する光変調信号を発生させる。
【解決手段】連続波光を発生する光源と、連続波光を一対の光導波路３６０に分岐させる光分岐器３１１と、一対の光導波路３６０の伝播光を合波する光合波器３１３と、一対の光導波路３６０の一方の伝播光を変調する光変調器３３０と、いずれかの光導波路３６０において伝播光の位相を変化させる光位相制御器３５０と、光変調器３３０が受ける連続波光の光強度を減衰させる第１光強度調節器３２０と、連続波光の強度を減衰させる第２光強度調節器３４０と、原信号から、第１光強度調節器３２０を制御する第１強度制御信号、光変調器３３０を制御する変調制御信号、第２光強度調節器３４０を制御する第２強度制御信号、および、光位相制御器３５０を制御する位相制御信号を発生する分離制御部３７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高速で消光比が大きく、波長の可変範囲が広く、しかも低電圧で駆動できる、可視域の光シャッタ又は光スイッチとして好適な光機能素子を提供すること。
【解決手段】 誘電体層２、４、６・・・と透明電極層１、３、５・・・とが交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の少なくとも一部において前記誘電体層が、この両面側に設けられた前記電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子１０。互いに異なる屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体層が交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の両面に設けられた電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子４０。 （もっと読む）

【課題】 感光材上での光変調器の結像ぶれを起こすことなくスループットを向上させた、感光材の露光方法を提供する。
【解決手段】 感光材（５）の露光方法であって、光源（２）からの光を、多数列の光変調セル（８）を備えた２次元の光変調器（４）へ結像させて該光変調器により変調させ、次に光変調器（４）を結像光路（１１）を介して感光材（５）へ結像させ、その際感光材（５）を、光変調セル（８）から成る列の方向に対し実質的に垂直に光変調器（４）に対し相対速度で相対運動させ、且つ感光材（５）に結像されるべきデータパターンを、保持時間（Ｔ，Ｔ’）の間、光変調器（４）の最初の列からはじめて順次各列で表示させ、次に、該データパターンを光変調器（４）のそれぞれ次の列へシフトさせる前記方法において、保持時間（Ｔ，Ｔ’）の間、データパターンの結像部（１０）を感光材（５）に対し実質的に不動に保持させる。 （もっと読む）

【課題】伝送性能を改善することができる光伝送システムおよび光伝送方法を提供する。
【解決手段】
送信装置１０では、位相変調手段１２が信号源１１からの信号光をデータに基づいて位相変調する。偏波変調手段１３は、位相変調手段１２で差動位相変調された信号光を、時間的に隣接する単位データの偏波方向が互いに直交するように偏波変調する。受信装置３０では、干渉手段３１が、送信装置１０から送出された信号光を受信し、その信号光と、その信号光を単位データの偶数個分だけ遅延させた信号光とを干渉させる。強度検出手段３２は、干渉手段３１の干渉によって得られた信号光の光強度を検出することによりデータを検出する。 （もっと読む）

【課題】入射する光を適切に空間変調して出射する新規な空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器３は電界により屈折率が変化する材料にて形成され、端面から内部に光が入射するベース部３１を有する。ベース部３１上には、それぞれが光の進行方向に垂直な配列方向に並ぶ電極要素の集合である複数の電極３３が配列方向に千鳥状に２列に配列形成され、各電極３３の電極要素間に電圧を付与することにより配列方向における周期的な屈折率の変化が、当該電極３３近傍におけるベース部３１内の部位に生じ、当該部位を通過する光が回折する。一方の列の各電極３３と、当該電極３３に対して所定方向に隣接する他方の列の電極３３とを同様に制御することにより、１つの電極のみを用いる場合に比べて、空間光変調器３と共役な面上における回折光の照射領域の配列方向の幅を太くすることができ、入射する光を適切に空間変調して出射することが実現される。 （もっと読む）

【課題】波長分散補償回路の群遅延時間特性の非線形ひずみを補正して、群遅延時間補償特性を改善する。
【解決手段】波長分散補償器として縦続接続された少なくとも２個のラティス型回路、あるいは２個のトランスバーサル型回路、あるいはラティス型回路とトランスバーサル型回路の組み合わせにおいて、それら２個の回路の群遅延時間の周波数（あるいは波長）依存性のカーブの形状が同一に近くなるように設定され、かつ群遅延時間とその線形近似特性とのずれ量の絶対値が同一に近く符号が正負逆になる２つの部分が近づくように、それら２個の回路の中心波長がＦＳＲ内で互いにずらして設定される。縦続接続する可変波長分散補償回路構成の遅延時間特性は、その線形近似特性からのずれ量の絶対値が同一に近く符号が正負逆になる部分が近接する場合が多いので、遅延時間部の非線形ひずみを相殺することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，高分解能な光波形整形装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は，光源からの光を周波数ごとに分波するための分波器（１１）と，前記分波器（１１）により分波された複数の光を集光するための集光部（１２）と，前記集光部（１２）を経た光が入射し，入射光の偏光面を調整するための偏光板（１３）と，前記偏光板（１３）を経た光が入射する位相変調部及び強度変調部とを有する空間光変調器（１４）と，を具備する光波形整形装置（１０）により解決される。
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【課題】光減衰量を連続的に可変でき、しかも光減衰量の調整のために常時供給する必要がある電流値を低減できるようにし、全体としても省電力化を図る。
【解決手段】入力コリメート系と出力コリメート系の間に偏光子１０と検光子１２を配置し、それら偏光子と検光子の間に、自己保持型ファラデー回転子ＦＲ１，ＦＲ２を有する離散可変型光減衰機構１４と常時通電型ファラデー回転子ＦＲ３を有する連続可変型光減衰機構１６とを光軸に沿って一直線上に配列する。自己保持型ファラデー回転子の磁界印加手段への電流方向の切換制御と常時通電型ファラデー回転子の磁界印加手段への電流値の通電制御とを組み合わせることにより、離散可変型光減衰機構による離散的光減衰量を連続可変型光減衰機構による連続的光減衰量で補間し、光減衰量を細かく調整する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，高分解能な光波形整形装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は，光源からの光を周波数ごとに分波するための分波器（１）と，前記分波器（１）により分波された複数の光を集光するための集光部（２）と，前記集光部（２）を経た光が入射し，入射光の偏光面を調整するための偏光板（３）と，前記偏光板（３）を経た光が入射する位相変調部及び強度変調部とを有する空間光変調器（４）と，を具備する光波形整形装置（１０）により解決される。
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【課題】受動光ネットワークにおける光加入者線終端装置を提供する。
【解決手段】光加入者線終端装置は、光源と、制御部と、可変光減衰器とを備える。光源は、光信号を生成する。制御部は、光加入者線終端装置と光加入者線端局装置との間の距離に関する情報を伝える制御信号に基づき磁気信号を生成する。可変光減衰器は、この磁気信号に基づき、光信号の偏光角を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いサイドバンド抑圧度を得ることのできる光ＳＳＢ送信装置の提供を目的とする。
【解決手段】上側側波帯を出力する第１のキャリア抑圧光ＳＳＢ変調器２０に周波数ｆ_０の電気信号を入力して光源１６の出力したレーザ光を変調し、上側側波帯を出力する。そして、第２のキャリア抑圧光ＳＳＢ変調器２５に入力電気信号の周波数をｆ_０だけダウンコンバートした信号を入力して第１のキャリア抑圧光ＳＳＢ変調器２０の出力信号光を変調し、合波器２６にて第２のキャリア抑圧光ＳＳＢ変調器２５の出力信号光に元のレーザ光を合波する。 （もっと読む）

【課題】可変分散量の増大を、低損失でかつ低コストで実現可能にしたPLC型可変分散補償器を提供する。
【解決手段】PLC型可変分散補償器１０は、平面光波回路１１上の多段接続したマッハツェンダー干渉計（MZI）２１〜２５と、各MZI間に接続された可変カプラ３１〜３４とを備える。両端のMZI２１，２５と入出力光導波路１３，１４間は、Ｙ分岐導波路１５，１６で接続されている。ダブルパス化して可変分散量を増大させるために、MZI２１〜２５のうち、入射光が最後に伝搬する最終段のMZI25に導波路型ループミラー４０が接続されている。また、導波路型ループミラー４０のループ導波路４１に1/2波長板５０が挿入されている。
入力された光信号は、導波路型ループミラー４０により同一の回路を２回通過するので、可変分散量が増大（倍増）させることができる。 （もっと読む）

【課題】可変分散量の増大を、低損失でかつ低コストで実現可能にしたPLC型可変分散補償器を提供する。
【解決手段】PLC型可変分散補償器１０Ａは、平面光波回路１１上の多段接続したマッハツェンダー干渉計（MZI）２１〜２５と、各MZI間に接続された可変カプラ３１〜３４とを備える。両端のMZI２１，２５と入出力光導波路１３，１４間は、Ｙ分岐導波路１５，１６で接続されている。ダブルパス化して可変分散量を増大させるために、MZI２１〜２５のうち、入射光が最後に伝搬する最終段のMZI25に導波路型ループミラー４０が接続されている。また、導波路型ループミラー４０のループ導波路４１に1/2波長板５０が挿入されている。
入力された光信号は、導波路型ループミラー４０により同一の回路を２回通過するので、可変分散量が増大（倍増）させることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の可変分散補償器に用いられるヒ−タは、経年劣化に伴う抵抗値変化のため、チャ−プグレ−ティングの分散特性を長期間高精度に制御することが困難であった。
【解決手段】 チャ−プグレ−ティングを所定の分散値に変化させるための複数のヒ−タについて、デ−タ入力された各ヒ−タへの所定の供給電力と計測される各ヒ−タの電流を基にして、各ヒ−タに印加する電圧発生器の電圧を演算し、この演算した電圧を前記各ヒ−タに印加するようにするヒ−タ制御回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】偏波乖離量が極めて小さい遅延復調デバイスおよびその位相調整方法を提供する。
【解決手段】遅延復調デバイス１の位相調整方法は、各マッハツェンダー干渉計回路６，７の、２つの導波路１０，１１のいずれか一方上にあるヒータを駆動させることにより、各マッハツェンダー干渉計回路の位相を調整する。マッハツェンダー干渉計回路６，７間での必要な位相差（π/2）よりも初期位相差が小さい場合、マッハツェンダー干渉計回路６の第１の導波路１０上に形成されたヒータ（Ｃ，Ｄ）と、マッハツェンダー干渉計回路７の第２の導波路１５上に形成されたヒータ（Ｇ，Ｈ）を駆動させる。必要な位相差（π/2）よりも初期位相差が大きい場合、マッハツェンダー干渉計回路６の第２の導波路１１上に形成されたヒータ（Ａ，Ｂ）と、マッハツェンダー干渉計回路７の第１の導波路１４上に形成されたヒータ（Ｅ，Ｆ）を駆動させる。 （もっと読む）

【課題】変調方式毎に対応した複数の変調器を設けることなく柔軟に変調方式を切り替えること。
【解決手段】光変調装置１００は、変調切替情報に応じて変調方式を切替可能な光変調装置である。マッハツェンダ型変調器１２０は、駆動信号に基づいてキャリア光を変調する。発振器１４０は、所定周波数の信号を駆動信号に重畳する。バイアス供給部１６２は、マッハツェンダ型変調器１２０によって変調された信号光に含まれる所定周波数の成分に応じたバイアス電圧をマッハツェンダ型変調器１２０に供給する。スイッチ１７０は、所定周波数の信号を駆動信号に重畳する第１経路１７１と、所定周波数の信号をバイアス電圧に重畳する第２経路１７２と、を切り替える。変調切替部１８０は、変調切替情報に応じて駆動信号およびスイッチ１７０を制御する。 （もっと読む）

【課題】レーザを含む遠隔受信器に対し、ファイバ光リンク上に伝送のための変調された光信号を生成する光送信器を提供する。
【解決手段】光出力信号をＲＦ信号で外部変調して変調情報保持成分を有する光信号を生成するための変調器と、変調器の出力に結合されるか、又はレーザにおいて生成されたノイズ信号をキャンセルするためのレーザ出力に直接結合されるか、のいずれかの位相変調器とからなる。 （もっと読む）

【課題】偏波無依存でかつ高速動作可能な高速光スイッチを実現可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１０では、ポートA，Bから入射した光は、偏波スプリッタ４０，４１によってTE成分とTM成分に偏波分離される。続いて、偏波分離されたTE成分はそのまま半導体導波路３１へ入射されるが、一方、TM成分は1/2波長板２３によって一度TE成分に変換されて、半導体導波路３１へ入射される。ここでは、半導体導波路に形成されたMZIの位相を変えることによって、高速スイッチング(nsオーダーのスイッチング)が行われる。その後、偏波コンバイナ５０，５１に入射されるが、TM成分から変換されたTE成分は、1/2波長板２３によりもう一度TM成分に変換され、偏波コンバイナ５０，５１によってTE成分とTM成分が合波され、ポートC,Dからそれぞれ出射される。 （もっと読む）