【課題】画素電極の角部周辺のテクスチャ不良による表示不良を防止した液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、直交するゲートライン及びデータラインによって定義される画素領域と、画素領域に形成され、画素領域の一角に隣接する部分が傾斜して形成された画素電極と、光漏れを遮蔽する光遮蔽パターンであって、ゲートラインと並んで形成され、ストレージ電圧を供給するストレージラインと、ストレージラインから突出してデータラインと並び、画素電極の一側部と重なるように形成されたストレージ突出部とを含む光遮蔽パターンと、ストレージ突出部と次段のストレージラインとを電気的に接続し、かつ、画素電極と重複しないブリッジ電極とを含み、ブリッジ電極の端部の一辺は、画素電極の一側辺に平行にフリンジフィールドを形成し、ストレージ突出部の端部の一辺は画素電極と重複しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い、酸化物半導体を有する半導体装置。
【解決手段】酸化物半導体層は、ソース電極と重なる第１の領域と、ドレイン電極と重なる第２の領域と、ソース電極及びドレイン電極と重ならない第３の領域と、を有し、記第３の領域における酸化物半導体層の膜厚は、第１の領域及び第２の領域における酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、第３の領域における酸化物半導体層の一端部は、第１のテーパを有し、記第３の領域における酸化物半導体層の他端部は、第２のテーパを有し、ソース電極の端部は、第３のテーパを有し、ドレイン電極の端部は、第４のテーパを有し、第１のテーパと、第３のテーパとは連続した形状を有し、第２のテーパと、第４のテーパとは連続した形状を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路部が形成された素子基板に対して、シール材に沿ってイオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けた場合でも、駆動回路から出力される信号に影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。周辺電極８ａは、データ線駆動回路部１０１の外側端部１０１ｂ、および走査線駆動回路部１０４の外側端部１０４ｂの外側を通ってシール材１０７に沿って延在しており、データ線および走査線と交差していない。 （もっと読む）

【課題】製造過程における静電気対策が強化され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４における電源配線（信号配線２９、第１外部接続用端子２３ａ及び第２外部接続用端子２３ｂ）をスクライブライン６５より外側において接続させる短絡配線６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示基板とその製造方法及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１領域と第２領域に区分された画素領域を有する基板上に第１及び第２領域にかけて形成されたストレージ電極、ストレージ電極上に形成される透明絶縁膜パターン、透明絶縁膜パターン上の第１及び第２領域にそれぞれ形成された第１及び第２画素電極を含む表示基板を構成し、第１及び第２画素電極のうちのいずれか１つに凹部が形成されるかまたは透明絶縁膜パターンはストレージ電極上の第１領域に形成された第１開口部と第２領域に形成された第２開口部を含む開口部が形成される。開口部及び凹部は、ストレージ電極が形成された領域上において互いに対応する位置にある。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素部に黒色のベタ状の画像を表示させた場合、ダミー画素電極には最大（又は最小）の電圧が印加され続けられる。一方、画素電極には、平均すれば中間調の電圧が印加される。この電位差によって発生する横方向電界により液晶層中に含まれるイオン性不純物が移動して偏在し、シミ状の表示むらが発生するという課題があった。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列したダミー画素電極と、を備え、前記ダミー画素電極は、電気的にフローティング状態を取り、前記ダミー画素電極と前記画素電極との間隙は、前記画素電極間の間隔よりも小さい。そのため、ダミー画素電極の電位は、隣り合う画素電極の電位に近づく。そのため、横方向電界を緩和でき、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極３ｃの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたＣＶＤ法により第１絶縁膜４１１を形成する。次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】、画素電極表面に生じる段差による縞状の画像ノイズを低減し、高品質な画像表示を行う。
【解決手段】液晶表示素子は、一つの画素の画素電極１１１ａに通ずるスルーホールが、画素表面の面内中央Iaを対称中心として１２１及び１２２の２つ（あるいはそれ以上の偶数個でもよい）点対称に配置することで、画素電極１１１ａの表面に生じる段差が存在しても縞状の画像ノイズが発生しない高品質な液晶表示装置を実現する。なお、他の画素の画素電極１１１ｂ、１１１ｃについても画素電極１１１ａと同様に画素電極１１１ｂ、１１１ｃに通ずるスルーホールが、画素表面の面内中央を対称中心として２つ（あるいはそれ以上の偶数個でもよい）点対称に配置されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】狭い領域内に高い容量値をもった蓄積容量を構成することができる電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、複数層の層間絶縁膜４１〜４５のうち、層間絶縁膜４２に溝状凹部４２ｅが設けられ、かかる溝状凹部４２ｅの底壁４２ｅ1および側壁４２ｅ2に沿って形成された第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａにより蓄積容量５５が構成されている。また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、開口率を高くするためにアレイ基板側にカラーフィルタを具備させ、そのために必要なコンタクトホールを形成するブラックマトリクスの樹脂組成物を、パターン形成に優れ、低膜厚での遮光性、規格内の比誘電率を備えた遮光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】複数色の着色画素に覆われた画素電極、液晶を駆動する薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタを覆って設けられたブラックマトリクスとを備えるアレイ基板において、画素電極とドレイン電極をつなぐコンタクトホールを設けるブラックマトリクスを形成するための遮光性樹脂組成物であって、遮光成分として赤色顔料であるＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ ２５４と、青色顔料であるＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５：３を含み、更に重合禁止剤としてメチルハイドロキノンを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高精細な画素の配置を実現可能な電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、第１導電層としての第１容量電極１６ａおよび第２導電層としての画素電極１５と、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ４を有する絶縁膜と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ４は、絶縁膜を貫通して形成され底部で第１容量電極１６ａと画素電極１５とが接する第１開口部としての開口部１４ａと、開口部１４ａに連続し且つ底部で第１容量電極１６ａが露出しないように開口部１４ａよりも浅く形成された第２開口部としての開口部１４ｂとを有し、平面視におけるコンタクトホールＣＮＴ４の周縁は、開口部１４ａの周縁の一部と開口部１４ｂの周縁の一部とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を間に挟む導電層同士の導通部分の構造を改良することにより、導電層のレイアウト面での自由度を高めることのできる電気光学装置、投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、ドレイン電極６ｂと画素電極９ａとの間には第３層間絶縁膜４４が形成されており、第３層間絶縁膜４４のコンタクトホール７ｄの底部７ｄ0でドレイン電極６ｂと画素電極９ａの第１方向Ｙの一方側Ｙ１の端部９ａ0とが導通している。画素電極９ａの端部９ａ0において、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する先端縁９ａ1は、コンタクトホール７ｄの開口縁のうち、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する開口縁部分７ｄyより、第１方向Ｙの一方側Ｙ１とは反対側の他方側Ｙ２に位置しており、コンタクトホール７ｄより一方側Ｙ１に張り出していない。 （もっと読む）

【課題】応答速度の高速化が可能であるとともに透過率の低減を抑制しつつ高精細化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層を備えたスイッチング素子と、第１電極と、前記第１電極と向かい合うとともに前記スイッチング素子と電気的に接続され且つ第１方向に沿って複数のＶ字型スリットが並んで形成された第２電極と、第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記Ｖ字型スリットは、第１中央部、前記第１中央部の一端側に繋がった第１端部、前記第１中央部の他端側に繋がった第２端部、第２中央部、前記第２中央部の一端側に繋がった第３端部、及び、前記第２中央部の他端側に繋がった第４端部を有し、前記第１端部と前記第３端部とが繋がったことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成
された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）