【課題】液晶表示装置に備えられる共通電極を相互静電容量方式のタッチスクリーンパネルの駆動電極として用いるタッチスクリーンパネル一体型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ及び画素電極をそれぞれ具備する複数の画素Ｐが形成された第１基板と、第１基板に対向して位置し、画素電極に対応して第１方向に配列される複数の共通電極が内側に形成された第２基板と、第２基板の外側に形成され、第１方向と交差する第２方向に配列される複数の検出電極と、第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、共通電極に順次に駆動信号を供給し、各共通電極に供給される駆動信号と反対の位相を有する補償信号を共通電極に供給する共通電極駆動部５と、を備える。本発明によれば、タッチ認識のために共通電極に駆動信号を供給することによってもたらされる画質の低下を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容易に形成することが可能であり、画素電極の断線が生じにくく、高品質なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板、これを用いた液晶表示装置、および上記カラーフィルタ付ＴＦＴ基板を、容易な工程で高いスループットで製造することができ、製造コストを削減することが可能なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成された複数のＴＦＴ素子と、上記基板上に形成された複数色の画素部と、上記画素部上に形成された画素電極と、上記画素部間に配置され、上記ＴＦＴ素子のドレイン電極と上記画素電極とを接続するためのコンタクトホールとを有し、上記コンタクトホール内には、上記ドレイン電極および上記画素電極の間に導電材料が配置されていることを特徴とするカラーフィルタ付ＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】追加の工程なくタッチスクリーンパネルが内蔵された液晶表示装置を実現する。
【解決手段】タッチスクリーンパネル内蔵型液晶表示装置１は、薄膜トランジスタＴｒ及び画素電極５０を含む複数の画素が形成された第１基板１１と、画素電極５０に対応し、第１方向に所定間隔離隔して配列される複数の共通電極パターンと、第１基板１１に対向して位置し、各画素に対応して配列されるカラーフィルタパターン６６ａ、６６ｂ、６６ｃが形成された第２基板６１と、カラーフィルタパターン間に形成され、第１方向と交差する第２方向に所定間隔離隔して配列される複数のブラックマトリクスパターンと、第１基板と第２基板との間に形成された液晶層とが備えられ、複数の共通電極パターン及び少なくとも１つ以上のブラックマトリクスパターンは、それぞれ静電容量方式のタッチスクリーンパネルの駆動電極及び検出電極として用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで、容易に形成することが可能であり、高輝度な画像表示を行うことが可能なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板、これを用いた液晶表示装置、および上記カラーフィルタ付ＴＦＴ基板を、容易な工程で高いスループットで製造することができ、製造コストを削減することが可能なカラーフィルタ付ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成された複数のＴＦＴ素子と、上記基板上に形成され、少なくとも一色がインクジェット方式で形成された複数色の画素部と、上記画素部上に形成された画素電極と、上記画素部間に配置され、上記ＴＦＴ素子のドレイン電極と上記画素電極とを接続するためのコンタクトホールとを有し、上記コンタクトホールと上記画素部とは、同一の着色樹脂材料からなる隔壁で区画されていることを特徴とするカラーフィルタ付ＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に島状に形成された誘電体ミラーと、前記誘電体ミラーの上に形成されソース領域及びドレイン領域を有するポリシリコン半導体層と、前記絶縁基板、前記誘電体ミラー、及び、前記ポリシリコン半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ポリシリコン半導体層の前記ソース領域にコンタクトしたソース電極と、前記ポリシリコン半導体層の前記ドレイン領域にコンタクトしたドレイン電極と、前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】誤動作の発生を防止させる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板、第２基板、第１基板及び第２基板間に配置された液晶層、第１スペーサ、及び第２スペーサを含む。第１基板は映像を表示する表示領域及び駆動回路が具備される周辺領域を含む。第１スペーサは第１基板及び第２基板間の間隔を維持して周辺領域に配置され、第２スペーサは表示領域に配置される。駆動回路は第１信号ライン、第１信号ラインと絶縁された第２信号ライン、第１保護膜及びブリッジ電極を含む。第１保護膜は第１信号ライン及び第２信号ラインの一部を露出させる第１コンタクトホールを有する。周辺領域はコンタクト領域に隣接してコンタクト領域及び非コンタクト領域に対応して配置され、第１スペーサは非コンタクト領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置、特にＦＦＳモード液晶表示装置の構造を提供する。
【解決手段】本発明は、コモン電極を２層構造とすること、及びその一方のコモン電極をパネル全面に平板状（べた状）に形成し、これにより電圧供給を電極の４辺から可能とすることにより、電圧供給にともなう抵抗を低減させることを可能とする、ＦＦＳモードＬＣＤを提供する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体層の損傷を防止しつつ製造工程を単純化できる構造を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１１と、基板上に形成されたゲート電極１３３及び第１キャパシタ電極１３８を含むゲート配線と、ゲート配線上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、ゲート絶縁膜上に形成され、ゲート電極と少なくとも一部が重なるアクティブ領域１５３と、第１キャパシタ電極と少なくとも一部が重なるキャパシタ領域１５８とを含む半導体層パターンと、半導体層パターンのアクティブ領域の一部上に形成されたエッチング防止膜１６５と、エッチング防止膜の上から半導体層のアクティブ領域の上にわたって形成され、エッチング防止膜を介在して互いに離隔したソース電極１７５及びドレイン電極１７７と、半導体層のキャパシタ領域の上に形成された第２キャパシタ電極１７８とを含むデータ配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透過率を向上させる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】画素電極Ｐｘと共通電極ＣＴとを絶縁層を介して積層し、該画素電極Ｐｘあるいは該共通電極ＣＴのいずれか一方にスリットＳＬを形成し、該画素電極Ｐｘおよび該共通電極ＣＴによって発生させた電界によって液晶分子を配向させる液晶表示装置１００において、前記絶縁層は、前記スリットＳＬの長手方向の端部１３ａ，１３ｂ近傍から該端部１３ａ，１３ｂに向かって厚みを増して形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省略し、ゲート電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される配線等含む）を形成する工程、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。コンタクトホールを形成する工程において、半導体層が除去された溝部を形成することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い光効率を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】赤色画素を有する赤色フィルター２３０Ｒ、緑色画素を有する緑色フィルター２３０Ｇ、青色画素を有する青色フィルター２３０Ｂ及び白色画素（Ｗ）を有する液晶表示パネル及び液晶表示パネルの一側に配置されているバックライトユニット３５０を含み、バックライトユニット３５０が発散する光はｘ色座標が０．３１から０．３４の間であり、ｙ色座標が０．３２から０．３５の間である液晶表示装置を提供する。上記のように、赤、緑、青及び白色の画素を一つのドットとして利用して画像を表示すれば、全体的に光効率が高まる。 （もっと読む）

【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、１つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、１つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバＩＣとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第１乃至第３のトランジスタを有し、第１乃至第３のトランジスタは第１乃至第３の信号線と電気的に接続している。第１乃至第３の信号線は画素部へ延びている。第１乃至第３のトランジスタは共通して、ドライバＩＣの第１端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を１／３に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】向上された表示特性を有する水平電界方式を利用する表示パネル及び表示パネルを有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示パネルは、複数の画素を備える第１基板と、第１基板と対向する第２基板と、第１基板及び第２基板との間に配置された液晶層と、を含み、複数の画素の各々は、データラインと、データラインと絶縁されるように交差するゲートラインと、データラインと絶縁されるように交差し、ゲートラインと離隔された第１信号ラインと、データラインと絶縁されるように交差し、ゲートライン及び第１信号ラインと離隔された第２信号ラインと、データラインとゲートラインに接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子に接続された第１画素電極と、第１信号ライン又は第２信号ラインのいずれか１つに接続された第２画素電極と、を含み、第１画素電極及び第２画素電極との間に生成された電界にしたがって映像を表示することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩにおいて適したゲッタリング方法を適用して得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜上に表面シリコン層を有するＳＯＩ構造を有する半導体装置において、埋め込み酸化膜上に、表面シリコン層を活性層として有するトランジスタと、素子分離絶縁膜を有し、素子分離絶縁膜上に容量が形成されており、素子分離絶縁膜に希ガス元素又は金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域における開口率を確保しつつ、所望の電気容量を確保可能な保持容量を備えた電気光学装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、透光性の画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたＴＦＴ３０および保持容量と、ＴＦＴ３０に電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線６ａと、データ線６ａと交差する第２方向に延在する遮光性の走査線３ａと、を備え、保持容量は、ＴＦＴ３０を覆うように設けられた遮光性の第１電極１６ｂと、第１電極１６ｂに対向し、第１方向および第２方向の一方に延在する本線部と第１方向および第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極１６ａと、を有し、本線部は第１電極１６ｂおよびデータ線６ａよりも幅広に設けられ、突出部は第１電極１６ｂおよび走査線３ａよりも幅広に設けられている。 （もっと読む）