【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 確実に走査線の低抵抗化を図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 アレイ基板２上に層間絶縁膜を介して３層以上の配線層が形成されている。アレイ基板２側から数えて２層目の配線層（第２走査線２５）が走査線として用いられ、３層目以上の配線層が信号線２９として用いらる。１層目の配線層（第１走査線２４）と２層目の配線層（第２走査線２５）は電気的に接続され、走査線として機能する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】同一絶縁基板上に第１及び第２のトランジスタが形成された半導体装置において、第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極１０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜１０３ａと、拡散層１０２ａ２，１０２ａ３領域上に形成された第２の絶縁膜１０３ｂとを備え、第２のトランジスタ（図中右側のトランジスタ）は、第２のゲート電極１０４ｂ下部及び拡散層１０２ｂ２，１０２ｂ３領域上に形成された膜厚の厚い第２の絶縁膜１０３ｂを備え、これら第１の絶縁膜１０３ｂ及び第２の絶縁膜１０３ａより上層に第１及び第２のゲート電極１０４ａ，１０４ｂがそれぞれ配置されており、かつ、第１の絶縁膜１０３ａが第２の絶縁膜１０３ｂよりも薄く形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接
続配線２４、画素用モリブデン膜９６、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、
端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形
成される。端子用モリブデン膜１９７は、保護絶縁膜６２の開口部と同じ開口部を有する
。画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、チタンを含む最
上層を有する。また、画素用モリブデン膜９６と端子用モリブデン膜１９７とは同一工程
で成膜され、画素用透明導電膜２８は端子用透明導電膜１２８と同一工程で形成される。
モリブデン膜に代えて、他のウェットエッチング可能な導電材料を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、少なくとも５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜と、５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきを抑制できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガラス基板２上に設けられエッチングにより形成された端部５を有する多結晶又は非晶質Ｓｉからなる半導体層４と、半導体層４の両側に設けられたソース領域８およびドレイン領域９と、ソース領域８およびドレイン領域９間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域１０と、チャネル領域１０上にゲート絶縁膜６を介して設けられたゲート電極７と、チャネル領域１０のチャネル幅方向のゲート電極７で被覆された端部５に電流が流れないように絶縁化された絶縁膜１１とを具備し、ゲート電極７で被覆された端部５がしきい値電圧に寄与しない構造にした。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の低抵抗配線を具現する。
【解決手段】アレイ基板１００はベース基板１０１、ゲート配線ＧＬ、第１絶縁層１２０、第２絶縁層１６０、データ配線、及び画素電極ＰＥを含む。ゲート配線ＧＬはベース基板１０１に形成された第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１シード層１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの上に形成された第１金属層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃからなる。第１絶縁層１２０はゲート配線ＧＬが形成されたベース基板１０１の上に形成され、第２絶縁層１６０はその上にゲート配線ＧＬと交差する方向に配線トレンチＨ３が形成される。データ配線ＤＬは配線トレンチＨ３の下に形成された第２シード層１４１ｄ及び配線トレンチ内に形成された第２金属層１４２ｄからなる。このように絶縁層を利用して一定の深さを有するホールを形成し、ホール内にめっき方式で金属層を形成することで、金属配線の厚さを厚く形成できる。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】反射−透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】前記装置は表示領域及び表示領域の外郭に位置したパッド領域を含む基板と、表示領域の基板上に形成された透明電極２３４、パッド領域の基板上に透明電極２３４と同一な層に形成されたパッド電極、及び前記透明電極２３４上に形成され透明電極２３４の一部分を露出させる透過窓を有する反射電極２３８を備える。透明電極２３４と反射電極２３８を直接接触させることにより、工程の単純化を図ることができ、パッド電極を透明電極２３４と同一な層に形成し、ＣＯＧボンディングときに腐食を防止してパッド信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】例えば、高圧水蒸気処理によってＰチャネル型ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性が低下させない。
【解決手段】ＴＦＴ１３０と同層に形成されたＴＦＴ３０の高圧水蒸気処理が施される際に、重なる部分４２ａに水分が回り込まないようにＴＦＴ１３０上に保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成されている。このような保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成された境界領域Ｒａ及びＲｂの夫々は、絶縁膜４２上の画素領域に形成されたＴＦＴ３０に高圧水蒸気処理が施された際に、重なる部分４２ａ、より具体的には、絶縁膜４２のうちチャネル領域１３０ａ´の両端部分に重なる部分に水分が回り込まないように重なる部分４２ａを保護可能な幅を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ素子のオフ電流の増加を抑制しつつ、ゲート絶縁膜を更に薄膜化し、これによって従来よりもドレイン電流のオン／オフ比を高めたアクティブマトリクス駆動表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動表示装置のＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１上に順次に形成される、ゲート電極層１２、ゲート絶縁膜１３、半導体パターン層、及び、ソース／ドレイン電極層を含むＴＦＴ素子を有する。ゲート絶縁膜１３の厚みがゲート電極層１２の厚みよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接続配線２４、画素用モリブデン膜９６、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形成される。端子用モリブデン膜１９７は、保護絶縁膜６２の開口部と同じ開口部を有する。画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、チタンを含む最上層を有する。また、画素用モリブデン膜９６と端子用モリブデン膜１９７とは同一工程で成膜され、画素用透明導電膜２８は端子用透明導電膜１２８と同一工程で形成される。モリブデン膜に代えて、他のウェットエッチング可能な導電材料を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化およびすぐれた反射特性により高い表示特性を有する反射型ならびに半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明性絶縁基板と第１の金属薄膜から形成されたゲート配線とゲート配線端子部とゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層と第２の金属薄膜から形成されるソース電極とドレイン電極と前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線と直交するようになるソース配線と前記ソース電極と前記ドレイン電極とを覆いかつ前記ゲート配線端子部に達するコンタクトホールが形成された層間絶縁膜と、第３の金属薄膜からなり、前記ドレイン電極と接続する画素電極と、透明導電性膜からなり前記コンタクトホールを介して前記ゲート配線端子部と接続する端子パッドとを備え、前記第１の金属薄膜はチッ素（Ｎ）元素を５〜２５重量％添加したＡｌＮｄ−Ｎ膜とからなる二層膜であり前記端子パッドは前記ＡｌＮｄ−Ｎ膜を介して前記ＡｌＮｄ膜と接続する。 （もっと読む）

【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に下地絶縁膜（１２）を形成する工程と、下地絶縁膜上に半導体膜（１ａａ）を形成する工程と、半導体膜に対してエッチング処理を施すことにより、半導体膜を所定パターンにパターニングすることで、トランジスタ（３０）を構成する半導体層（１ａ）を形成すると共に、このエッチング処理を下地絶縁膜に対しても施すことにより、下地絶縁膜の上側表面に凹部（８１０）を形成する工程と、トランジスタを構成するゲート電極（３ｂ）を、半導体層上におけるチャネル領域（１ａ’）に重なる本体部（３ｂ１）及びこの本体部から凹部内の少なくとも一部に延設された延設部（３ｂ２）を有するように形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】５回のマスク工程でアレイ基板を製造できる反射透過型液晶表示装置等を得る。
【解決手段】画素部、ゲートパッド部、データパッド部に区分されるアレイ基板と、画素部に形成されるゲート電極及びゲートラインと、ゲート電極の上部でゲート電極よりも幅が狭く、島状に形成されるアクティブパターンと、アクティブパターン上に形成されるオーミックコンタクト層及びバリアメタル層と、画素部に形成され、オーミックコンタクト層及びバリアメタル層を介して、アクティブパターンのソース領域に電気的に接続するソース電極、及びアクティブパターンのドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極と、画素部に形成され、ゲートラインと交差し、反射部及び透過部からなる画素領域を定義するデータラインと、透過部に形成される画素電極と、反射部に形成される反射電極と、アレイ基板と対向して貼り合わせられるカラーフィルタ基板とを含む。 （もっと読む）