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Fターム[2H092JB13]の内容

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Fターム[2H092JB13]に分類される特許

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【課題】画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示板アセンブリは、共通電極を含む上部表示板と、共通電極と向かい合う複数の画素を含む下部表示板と、画素の各々に含まれ、相互に離隔した第1及び第2の領域と、第1及び第2の領域の第1及び第2の副画素と、第1の副画素に含まれ、上部表示板又は下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第1の角度方向に配列され、第1の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第1の微細ブランチを含む第1の副画素電極と、第2の副画素に含まれ、偏光子の偏光軸に対して第2の角度方向に配列され、第2の角度方向は、実質的に20°内で第1の角度方向と異なり、第2の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第2の微細ブランチを含む第2の副画素電極と、上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層とを含む。 (もっと読む)


【課題】素子基板と対向基板とを貼り合わせるシール材が硬化時に収縮しても、素子基板と対向基板との離間距離がばらつくことを防止することができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置100の素子基板10において、周辺領域10bの外側領域10b2については、内側領域10b1に比して第1スルーホール72bの開口密度および第2スルーホール73bの開口密度が低い。このため、層間絶縁膜72、73を研磨すると、外側領域10b2と内側領域10b1との間には、外側領域10b2における素子基板10と対向基板20との間隔を内側領域10b1における素子基板10と対向基板20との間隔よりも狭くする段差72x、73xが構成され、かかる段差72x、73xより外側(外側領域10b2)にシール材107の内周縁107aが位置する。 (もっと読む)


【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板10の液晶層の側に設けられた第1配向膜13と、対向基板20の液晶層の側に対向電極22に接して設けられた第2配向膜23と、画素電極12と第1配向膜13との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、SiOからなる誘電体膜38と、を備え、対向電極22には、スイッチング素子40の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極12には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第1の期間の長さが負極性の電圧が印加される第2の期間の長さに比べて長く設定される。 (もっと読む)


【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極35と、スイッチング素子34と、対向電極82と、液晶層28と、第1配向膜71と、第1配向膜71と画素電極35との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層70と、液晶層28と対向電極82との間に、対向電極82と当接して設けられた第2配向膜83と、を備える。画素電極35にスイッチング素子34を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極35に高電位が印加されているときのスイッチング素子34の寄生容量による画素電極35の電位の変化量と、画素電極35に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極35の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 (もっと読む)


【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】画素電極12と第1配向膜13との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、SiOからなる第1誘電体膜38Aと、対向電極22と第2配向膜23との間に設けられた、第1誘電体膜38Aよりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、SiOからなる第2誘電体膜38Bと、を備え、対向電極22には、スイッチング素子40の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極12には、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第1の期間の長さが負極性の電圧が印加される第2の期間の長さに比べて長く設定される。 (もっと読む)


【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極35、スイッチング素子34、対向電極82、液晶層28、第1配向膜71、および第2配向膜83を備える。液晶層28のダイレクターが液晶層の厚み方向となすプレチルト角が、対向電極82側で画素電極35側よりも大きくなっている。画素電極35にスイッチング素子34を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極35に高電位が印加されているときのスイッチング素子34の寄生容量による画素電極35の電位の変化量と、画素電極35に前記低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極35の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と前記低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が基準電位よりも高い。 (もっと読む)


【課題】発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成して、薄型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】発光素子10は、TFT4が設けられた第1の基板1に配置されている。このように、発光素子10は、液晶表示装置を構成する2枚の基板1,2のうちの一方の基板1に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。 (もっと読む)


【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消する。
【解決手段】第一画素電極5aとの間に第一補償容量Cs1を形成する第一容量電極17と、第二画素電極5bとの間に第二補償容量Cs2を形成する第二容量電極18aと、前記第二画素電極5bとの間に第三補償容量Cs3を形成する第三容量電極18bと、隣接する一方の画素の第一画素電極5aと他方の画素の第二画素電極5bとの間の領域に共通電極と対向させて配置された補助電極19とを備え、第一容量電極17と第二容量電極18aとに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧を印加し、第三容量電極18bに前記第一の電圧とは異なる第二電圧を印加し、補助電極19に、共通電極との電位差が第一画素電極5a及び第二画素電極5bと共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】外光の影響による誤認識を防ぐことのできるタッチパネル機能や、広いダイナミックレンジで撮像することのできる機能を持つ表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】表示素子部に併設された可視光線を検出する第1のフォトダイオードを有する第1のフォトセンサ部を有する画素と、表示素子部に併設された赤外線を検出する第2のフォトダイオードを有する第2のフォトセンサ部を有する画素と、を有し、外光に含まれる赤外線を前記第2のフォトセンサ部が検出し、第2のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、撮像素子の選択や感度調整を行う。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】従来のFFS方式の液晶表示装置において、下部電極が画素電極の構成は、残留電荷の影響による焼き付きが生じやすいという問題点があった。
【解決手段】 液晶表示装置100の画素30は、走査配線2と、信号配線5と、TFTのドレイン電極51に接続された下部電極6と、この上層に保護膜7を介して配置された上部電極8とを備え、上部電極8が形成されない光透過しない領域において、下部電極6と同一電位の導電パターン55上の保護膜7に第2コンタクトホール12が設けられ、保護膜7が除去されている。 (もっと読む)


【課題】静電気によるTFT、層間絶縁膜の絶縁破壊を、面積を小さく抑え、かつ低コストで実現する。
【解決手段】端子200よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線DL、あるいは映像信号線と同層で形成された配線G1、G2と、走査線GL、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とa−Si膜を介して絶縁する。一方、端子200よりも外側に形成された静電気防止線230とアース線210との間には層間絶縁膜のみを形成する。これによって、静電気が誘起した場合は、端子200の外側の領域において絶縁破壊を発生させ、表示領域および制御領域を静電気から保護する。 (もっと読む)


【課題】サブ画素がストライプ配列された表示領域の配列方向の両端で擬色が視認される
のをできるだけ抑制することができるようにした電気光学表示装置を提供すること。
【解決手段】同色のサブ画素が一方向に直線状に配置されたサブ画素列が、他色のサブ画
素列と共にストライプ配列されてなる表示領域を有する電気光学表示装置において、表示
領域のサブ画素列の配列方向の両端に位置するそれぞれ少なくとも1列のサブ画素列の各
サブ画素の開口率を、表示領域の中央部の同色のサブ画素の開口率よりも小さくする。 (もっと読む)


【課題】 屈曲したストライプ状の電極を有するIPS方式の液晶表示パネルを備える液晶表示装置において、押し圧力を印加したときの残像低減と高透過率とを両立させる。
【解決手段】 一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶表示パネルを有し、画素電極および共通電極は前記一対の基板のうちの一方の基板に絶縁層を介して積層されている液晶表示装置であって、前記画素電極および前記共通電極のうちの前記液晶層から近いほうの電極は、複数の帯状電極部を有するストライプ状であり、かつ、それぞれの前記帯状電極部に延伸方向が変化する屈曲部を有し、前記画素電極および前記共通電極のうちの前記液晶層から遠いほうの電極は、前記帯状電極部における前記屈曲部と重なる位置に、前記屈曲部毎に独立しており、かつ、前記屈曲部における2本の輪郭のうちの凸状の輪郭のみが通る複数の開口部を有するべた平面状である液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】反射型液晶表示装置において、隣接する画素間にあって、画素電極が設けられていない間隙は、画素に占める表示領域の割合、所謂開口率の低下を招く。その結果、表示画像のコントラスト、及び明るさが損なわれてしまうという問題があった。表示画像のコントラストが高く、また表示画像が明るい液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示装置の画素電極の端部を、隣接する画素電極の端部に絶縁層を挟んで重ねて設け、隣接する画素間にある間隙を狭め、画素に占める表示領域の割合を高めればよい。 (もっと読む)



【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85℃にて100zA/μm未満であるトランジスタを用いる。 (もっと読む)


【課題】表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化(表示品質の低下)を抑制することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、温度などの外部因子に対する表示の劣化(表示品質の低下)が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示装置の駆動回路部に、選択されたピクセルに逐次画像信号を書き込んで画像を画面に表示すると共に、同一画像を画面に表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ、トランジスタをオフ状態として画面に書き込まれた画像をそのまま保持させておく機能を設ける。このような機能をオフ電流を、室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85℃にて100zA/μm未満と極めて低いレベルにまで低減されたトランジスタによって実現する。 (もっと読む)


【課題】画像表示機能の低下を抑え、かつ十分に低消費電力化を図ることのできる液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶表示装置において、電源をオフする前に、液晶に電界がかからないように、容量素子に固定電位を入力して容量素子の電極間の電位差をなくし(容量をほぼゼロとし)、液晶を初期状態とする。初期状態画像を表示した後に電源を停止すれば、液晶はオフ状態において不必要な電界をかかり続けることはなく安定な初期状態でいることができるので、液晶の劣化を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁層内に拡散する汚染元素によってトランジスタ特性が低下するのを防止した薄膜トランジスタを有する表示装置、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板101の上側に積層された半導体層104と、半導体層104の上側に積層されるゲート電極106と半導体層104とゲート電極106との間に積層されるゲート絶縁層105と、ソース電極112およびドレイン電極111と、を含む薄膜トランジスタを有する表示装置であって、ソース電極112およびドレイン電極111の少なくとも一方は、ゲート絶縁層105の上側に形成されて、ゲート絶縁層105に形成されるコンタクトホール109を介して半導体層に接続され、コンタクトホール109の側壁には、窒素化合物を含む側壁膜110が形成される、ことを特徴とする表示装置。 (もっと読む)


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