液晶表示装置
【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消する。
【解決手段】第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８ａと、前記第二画素電極５ｂとの間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１８ｂと、隣接する一方の画素の第一画素電極５ａと他方の画素の第二画素電極５ｂとの間の領域に共通電極と対向させて配置された補助電極１９とを備え、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧とは異なる第二電圧を印加し、補助電極１９に、共通電極との電位差が第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する。
【解決手段】第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８ａと、前記第二画素電極５ｂとの間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１８ｂと、隣接する一方の画素の第一画素電極５ａと他方の画素の第二画素電極５ｂとの間の領域に共通電極と対向させて配置された補助電極１９とを備え、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧とは異なる第二電圧を印加し、補助電極１９に、共通電極との電位差が第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、広い視野角をもった液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示の視野角を広くすることが望まれている。そのために、画素を二つの領域に区分し、その一方の領域と他方の領域とで液晶に印加される電圧値を異ならせることにより、前記２つの領域の視野角特性を互いに異ならせ、その両方の視野角特性が相乗した広い視野角を得ることが考えられている。
【０００３】
この種の液晶表示装置としては、例えば、第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とを画素毎に形成したものがある。
【０００４】
この液晶表示装置において、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタは、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続されている。なお、前記走査信号線は、前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように配線されている。
【０００５】
そして、この液晶表示装置では、前記第一の薄膜トランジスタの充電能力と、前記第二の薄膜トランジスタの充電能力とを異ならせることにより、前記一方の領域の液晶と他方の領域の液晶とに、異なる値の電圧を印加するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１５２０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置は、各種の工程を経て製造されるため、同機種の液晶表示装置であっても、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきを生じることがある。そして、上記従来の液晶表示装置は、視野角のばらつきの補正が難しいため、所定の視野角の液晶表示装置を歩留まり良く得ることができない。
【０００８】
また、上記従来の液晶表示装置は、第一画素電極及び第二画素電極と共通電極との間に電圧を印加したときに、前記第二画素電極と、隣接する画素の第一画素電極との何れか一方の電極の辺部付近の液晶分子が、配向膜のラビング方向によって規定されたプレチルト方向とは異なる方向に向かってチルトし、ディスクリネーションを発生する。
【０００９】
このディスクリネーションの発生は、遮光膜（ブラックマスク）により隠されて見えないが、表示面に部分的に荷重が加わると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられて画素の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。そして、上記従来の液晶表示装置は、表示面に加えられた荷重が開放されても、ある程度の時間、前記ディスクリネーションによる異常表示が見える。
【００１０】
この発明は、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とが画素毎に形成され、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一の画素電極と共通電極との間及び前記第二の画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように前記走査信号線が配置されると共に、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて配置され、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極との間の領域に、前記共通電極と対向させて、前記第一画素電極と前記第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加し、前記補助電極に、前記共通電極との電位差が、前記第一画素電極及び第二画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示装置において、前記補助電圧は、前記共通電極との電位差が、液晶分子を最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧であることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示装置において、前記補助電圧は、前記走査信号線に印加する走査信号のうちの前記第一及び第二薄膜トランジスタをオフさせる電圧値の直流電圧であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記請求項３に記載の液晶表示装置において、前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔よりも狭幅な形状に形成され、前記第一画素電極との間隔と、前記第二画素電極との間隔とが等しくなるように配置されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置において、前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔全体にわたる幅を有する形状に形成され、前記第一画素電極との重なり幅と、前記第二画素電極との重なり幅とが等しくなるように配置されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一画素電極及び第二画素電極を覆って形成された第一配向膜と、前記共通電極を覆って形成された第二配向膜がそれぞれ、前記補助電極の延伸方向に対して交差する方向にラビングされていることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記請求項１から６の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記請求項７に記載の液晶表示装置において、前記第二容量電極と前記第三容量電極は、その一方の容量電極が、前記第二画素電極の所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、他方の容量電極が、前記一方の容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、前記第三容量電極に印加する第二電圧の値を制御するだけで視野角を微調整することができ、従って、視野角のばらつきを容易に補正することができる。また、前記第二画素電極と隣接する画素の第一画素電極との間の領域の液晶の分子が、前記補助電極への前記補助電圧の印加によって立ち上がり配向するため、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の第一実施例による液晶表示装置の構成図。
【図２】第一実施例における液晶表示素子の平面図。
【図３】前記液晶表示素子の側面図。
【図４】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図５】図４の一部分の拡大図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】図４のVII−VII矢視線に沿う拡大断面図。
【図８】図４のVIII−VIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図９】図４のIX−IX矢視線に沿う拡大断面図。
【図１０】前記液晶表示素子の液晶分子の初期配向状態及び第一及び第二偏光板の吸収軸の向きを示す平面図。
【図１１】前記液晶表示素子の一つの画素の回路図。
【図１２】前記液晶表示素子を駆動する走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧の波形図。
【図１３】前記第一電圧と第二電圧の関係を示す図。
【図１４】前記画素の第一領域における第一画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１５】前記画素の第二領域における第二画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１６】前記第一領域と第二領域の液晶層での電圧−透過率特性図。
【図１７】第一比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図１８】第一実施例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図１９】第二比較例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２０】前記第二比較例の液晶表示装置における表示面に荷重が加わったときの液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２１】前記第二比較例の液晶表示装置における荷重開放後の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２２】第一実施例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２３】この発明の第二実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図２４】この発明の第三実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の第一被覆絶縁膜と第二被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図２５】図２５のXXV−XXV矢視線に沿う拡大断面図。
【図２６】図２５のXXVI−XXVI矢視線に沿う拡大断面図。
【図２７】この発明の第四実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の第一被覆絶縁膜と第二被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［第一実施例］
この発明の第一実施例の液晶表示装置は、図１のように、液晶表示素子１と前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３１とにより構成されている。
【００２２】
前記液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、複数の画素３０が、図２のように、行方向（図において左右方向）及び列方向（図において上下方向）に配列させて形成されている。
【００２３】
この液晶表示素子１は、図２〜図１０のように、対向配置された透明な第一基板３と第二基板４を備えている。そして、前記第一基板（例えば表示面側とは反対側の基板）３の第二基板４と対向する面に、複数の透明な画素電極５が行方向及び列方向に配列させて設けられ、前記第二基板４の第一基板３と対向する面に、前記各画素電極５と対向する一枚膜状の透明な共通電極６が設けられている。
【００２４】
前記各画素電極５はそれぞれ、電気的に分離して形成された第一の画素電極５ａと第二の画素電極５ｂとからなっている。この実施例において、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、同じ横幅（行方向の幅）を有しており、第一画素電極５ａは、縦幅（列方向の幅）が前記横幅の約２倍である縦長矩形形状に形成され、第二画素電極５ｂは、縦幅と横幅が同程度の略正方形形状に形成されている。
【００２５】
さらに、前記第一基板３には、各画素電極５の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線７と、各画素電極５の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線８とが設けられている。
【００２６】
前記走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置されている。また、前記データ信号線８は、各列の画素電極５の一側の領域に、列方向に延伸するように配置されている。
【００２７】
また、前記第一基板３には、前記各画素電極５にそれぞれ対応させて、前記第一画素電極５ａに接続された第一のＴＦＴ９ａと、前記第二画素電極５ｂに接続された第二のＴＦＴ９ａとが配置されている。この第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ａは、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に、前記行方向に並べて配置されている。
【００２８】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂはそれぞれ、図４、図５、図６及び図７のように、第一基板３上に形成されたゲート電極１０と、前記第一基板３上の略全域に前記ゲート電極１０を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１上にゲート電極１０と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、前記半導体薄膜１２の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１３と、前記半導体薄膜１２のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１４を介して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６とからなっている。
【００２９】
なお、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、互いに逆向きの形状に形成されている。すなわち、第一ＴＦＴ９ａは、第一画素電極５ａと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。また、第二ＴＦＴ９ｂは、第二画素電極５ｂと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。
【００３０】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａのゲート電極１０と第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置された走査信号線７に接続されている。
【００３１】
さらに、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５と第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの一側を延伸するように配置されたデータ信号線８に接続されている。
【００３２】
なお、前記各走査信号線７は、前記第一基板３上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０と同じ金属膜により、前記ゲート電極１０と一体に形成されている。また、前記各データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６と同じ金属膜により、前記各ソース電極１５，１５と一体に形成されている。
【００３３】
前記データ信号線８には、各行の画素電極５の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に向かって延びる複数の分岐線８ａが一体に形成されている。この分岐線８ａは、互いに逆向きの形状に形成された前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂのうちの前記データ信号線８に近い側に配置された第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５側を通り、さらに前記データ信号線８から遠い側に配置された第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５側に達するように屈曲させた形状に形成されている。そして、前記データ信号線８は、前記分岐線８ａを介して、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５及び第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５に一体的に接続されている。
【００３４】
なお、この実施例において、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂと走査信号線７とデータ信号線８は、第一基板３上にゲート電極１０と走査信号線７を形成し、さらにゲート絶縁膜１１と半導体薄膜１２とチャネル保護膜１３とを順次成膜して前記チャネル保護膜１３を半導体薄膜１２の中央部を覆う形状にパターニングした後に、コンタクト層１４と金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１４及び半導体薄膜１２を一括してソース電極１５及びドレイン電極とデータ信号線８の形状にパターニングする工程で形成されている。そのため、前記データ信号線８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００３５】
さらに、前記ゲート絶縁膜１１の上には、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び前記各データ信号線８を覆って透明な被覆絶縁膜２０が設けられており、この被覆絶縁膜２０の上に前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂが形成されている。そして、前記第一画素電極５ａは、前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続されている。
【００３６】
なお、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、被覆絶縁膜２０の第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６，１６上の部分に第一及び第二のコンタクト孔２０１，２０２を穿設した後に、前記被覆絶縁膜２０上にＩＴＯ膜を成膜し、そのＩＴＯ膜を第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの形状にパターニングすることにより形成される。
【００３７】
従って、第一画素電極５ａは、第一のコンタクト孔２０１において第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、第二画素電極５ｂは、第二のコンタクト孔２０２において第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に接続されている。
【００３８】
すなわち、前記液晶表示素子１は、第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとが画素３０毎に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとが、互いに同じデータ信号線８及び走査信号線７に接続されたものである。
【００３９】
そのため、各画素３０はそれぞれ、第一画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間の部分を境にして、第一画素電極５ａが形成された側の第一領域３０ａと、第２画素電極５ｂが形成された側の第二領域３０ｂとに区分されている。
【００４０】
そして、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、同じ走査信号線７からの走査信号によりオン，オフを制御され、同時にオンして、同じデータ信号線８から供給されたデータ信号を第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに各々印加する。
【００４１】
また、前記第一基板３には、各画素３０毎に、第一画素電極５ａとの間に第一誘電層が介在されて第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二誘電層が介在されて第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８ａと、前記第二画素電極５ｂとの間に第三誘電層が介在されて第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１８ｂとが設けられている。
【００４２】
図４、図５及び図１０のように、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、第一画素電極５ａの外形に対応する矩形枠形状に形成されている。なお、この第一容量電極１７は、その各辺の第一画素電極５ａに重なる側とは反対側の縁部が、第一画素電極５ａの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第一容量電極１７は、行毎に、隣り合う第一容量電極１７，１７の走査信号線７に隣接する辺とは反対側の辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４３】
一方、第二容量電極１８ａと第三容量電極１８ｂとのうち、第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂの所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、第二容量電極１８ａは、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されている。
【００４４】
この実施例において、前記第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂの走査信号線７の延伸方向と平行な二つの辺（以下、横辺という）のうちの走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺に重なる直線形状に形成されている。なお、この第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂに重なる側とは反対側の縁部が、第二画素電極５ｂの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第三容量電極１８ｂは、行毎に、隣り合う第三容量電極１８ｂ，１８ｂの端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４５】
また、第二容量電極１８ａは、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する側の横辺と、前記走査信号線７の延伸方向に対して交差する二つの辺（以下、縦辺という）とに重なる三方枠形状に形成されている。なお、この第二容量電極１８ａは、その各辺の第二画素電極５ｂに重なる側とは反対側の縁部が、第２画素電極５ｂの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第二容量電極１８ａは、行毎に、隣り合う第二容量電極１８ａ，１８ａの前記走査信号線７に隣接する辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４６】
さらに、前記第一基板３には、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、前記共通電極６と対向させて配置された補助電極１９が設けられている。この補助電極１９は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように形成されている。
【００４７】
前記補助電極１９は、一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成されており、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置されている。なお、この補助電極１９は、一方の画素３０の第一容量電極１７と他方の画素３０の第三容量電極１８ｂとの間隔よりも狭い幅を有しており、前記第一容量電極１７との間及び前記第三容量電極１８ｂとの間に間隔をあけて配置されている。そして、各補助電極１９は、行毎に、隣り合う補助電極１９，１９の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４８】
この実施例において、前記第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂと前記補助電極１９は、第一基板３上に、各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０及び走査信号線７と同じ金属膜により形成されている。
【００４９】
そして、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの各辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第一誘電層を介して対向し、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成している。
【００５０】
また、第二容量電極１８ａは、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する横辺及び二つの縦辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第二誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成している。
【００５１】
さらに、第三容量電極１８ｂは、前記第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第三誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に前記第三補償容量Ｃｓ３を形成している。
【００５２】
すなわち、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と、前記第二各補償容量Ｃｓ２の第二誘電層と、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層は、同一の層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）として形成されている。
【００５３】
一方、第二基板４には、図６〜図９のように、赤色フィルタ２１Ｒ、緑色フィルタ２１Ｇ及び青色フィルタ２１Ｂの三色のカラーフィルタが、各画素３０の列毎に交互に並べて形成されている。さらに、前記第二基板４には、各行及び各列の隣り合う画素３０，３０の間の領域及び各画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂとの間の領域に対応させて遮光膜２２が形成されている。
【００５４】
この実施例において、前記遮光膜２２は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、前記三色のカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、第二基板４上の遮光膜２２の無い領域に形成されている。そして、前記共通電極６は、前記カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及び遮光膜２２の上に、各画素３０の配列領域の全域にわたって形成されている。
【００５５】
さらに、第一基板３には、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂを覆って第一配向膜２３が設けられ、第二基板４には、共通電極６を覆って第二配向膜２４が設けられている。この配向膜２３，２４は、ポリイミド等の水平配向膜であり、それぞれの膜面を、前記補助電極１９の延伸方向に対して交差する方向にラビングされている。
【００５６】
前記第一基板３と第二基板４は、図２及び図３のように、所定の間隙を設けて対向配置され、画面エリア１ａを囲む枠状のシール材２５を介して貼り合わされている。そして、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に液晶層２が形成されている。前記液晶層２は、第一基板３と第二基板４との間の間隙の前記シール材２５で囲まれた領域に液晶を封入して形成されている。
【００５７】
また、第一基板３の外面には、第一偏光板２６が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、第二基板４の外面には、第二偏光板２７が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【００５８】
この実施例の液晶表示素子１は、例えばＴＮ型液晶表示素子であり、前記第一配向膜２３と第二配向膜２４は、互いに直交する方向にラビング処理されている。すなわち、図１０において、矢印２３ｒは第一配向膜２３のラビング方向、矢印２４ｒは第二配向膜２４のラビング方向を示している。図１０のように、第一配向膜２３は、前記補助電極１９の延伸方向（画面エリア１ａの横軸方向と平行な方向）に対して一方の方向（図では右回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされ、第二配向膜２４は、前記補助電極１９の延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向（図において左回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされている。
【００５９】
また、液晶層２は、誘電異方性が正のネマティック液晶からなっている。この液晶層２の液晶分子２ａは、図１１のように、第一基板３の近傍において第一配向膜２３のラビング方向２３ｒに分子長軸を向けて配列し、第二基板４の近傍において第二配向膜２４のラビング方向２４ｒに分子長軸を向けて配列すると共に、前記ラビング方向２３ｒ，２４ｒの上流側（ラビングの開始端側）から下流側（ラビングの終了端側）に向かって配向膜面から離れる方向にプレチルトした状態で、第一基板３と第二基板４との間、つまり第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間において、図１１に示した破線矢印方向に９０°のツイスト角でツイスト配向している。
【００６０】
なお、前記補助電極１９の延伸方向に対する第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２３ｒの角度は、厳密に４５°でなくてもよく、また、液晶分子２ａのツイスト角も、厳密に９０°でなくてもよい。すなわち、補助電極１９の延伸方向に対する配向膜２３，２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒの角度は、±５°程度の誤差が許容され、前記液晶分子２ａのツイスト角は、±１０°程度の誤差が許容される。
【００６１】
そして、前記第一偏光板２６と第二偏光板２７は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も明るい明表示であるノーマリーホワイトモードの液晶表示素子を構成するように配置されている。すなわち、図１０のように、第一偏光板２６は、その吸収軸２６ａを第一配向膜２３のラビング方向２４ｒと直交するか或いは平行な方向（図では直交する方向）に向けて配置され、第二偏光板２７は、その吸収軸２７ａを前記第一偏光板２６の吸収軸２６ａと直交する方向に向けて配置されている。
【００６２】
また、第一基板３には、図２及び図３のように、例えば画面エリア１ａの上下方向（列方向）の一端側に、第二基板４の外方に張出すドライバ搭載部３ａが形成されており、このドライバ搭載部３ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子２８が搭載されている。
【００６３】
そして、前記各走査信号線７は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子２８の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、前記各データ信号線８は、前記ドライバ素子２８の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【００６４】
さらに、前記ドライバ搭載部３ａには、第一電圧入力端子２９ａと第二電圧入力端子２９ｂと補助電圧入力端子２９ｃがそれぞれ一つずつ形成されている。そして、前記共通電極６は、前記枠状のシール材２５による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記第一電圧入力端子２９ａに接続されている。
【００６５】
また、図では省略しているが、前記第一基板３には、前記画面エリア１ａの外側に、前記第一電圧入力端子２９ａに接続された一本の第一電圧供給線と、前記第二電圧入力端子２９ｂに接続された一本の第二電圧供給線と、前記補助電圧入力端子２９ｃに接続された一本の補助電圧供給線が、データ信号線８と平行に配線されている。
【００６６】
そして、行毎に共通接続された全ての行の第一容量電極１７と、行毎に共通接続された全ての行の第二容量電極１８ａは、前記一本の第一電圧供給線に接続され、この第一電圧供給線を介して、前記共通電極６と共に前記第一電圧入力端子２９ａに接続されている。また、行毎に共通接続された全ての行の第三容量電極１８ｂは、前記一本の第二電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記第二電圧入力端子２９ｂに接続されている。さらに、行毎に共通接続された全ての行の補助電極１９は、前記一本の補助電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記補助電圧入力端子２９ｃに接続されている。
【００６７】
前記液晶表示素子１は、前記各画素３０の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素３０の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加することにより駆動され、前記電圧の印加による液晶分子の配向状態の変化により、前記画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂの光の透過を制御して画像を表示する。なお、この液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、画面エリア１ａの全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源（図示せず）が配置されている。
【００６８】
次に、前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３１について説明する。この駆動手段３１は、図１のように、外部から入力される画像データを一時的に記憶する画像メモリ３２と、前記液晶表示素子１の各走査信号線７に走査信号を印加する走査信号線駆動回路３３と、前記液晶表示素子１の各データ信号線８にデータ信号を印加するデータ信号線駆動回路３４と、第一電圧発生回路３５及び第二電圧発生回路３６と、これらの制御部３７とを備えている。なお、前記走査信号線駆動回路３３とデータ信号線駆動回路３４は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに搭載されたドライバ素子２８に形成されている。
【００６９】
さらに、この駆動手段３１は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオンさせる所定の値のオン電圧ＶｇＨと、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオフさせる所定の値のオフ電圧ＶｇＬとを発生する走査信号電源３８を備えている。
【００７０】
走査信号線駆動回路３３は、走査信号電源３８から前記オン電圧ＶｇＨとオフ電圧ＶｇＬを供給され、制御部３７からの同期用クロック信号等の制御信号に基づいて、各走査信号線７にそれぞれ、電圧値がオン電圧ＶｇＨとオフ電圧ＶｇＬとに変化する走査信号を印加する。
【００７１】
図１２において、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎは、一画面を表示する１フレーム（第一行から最終行までの各画素行を順次選択して全ての画素行の各画素３０に一画面分のデータ信号を印加する期間）を前記各画素の行数で分割した各画素行の選択期間であり、ｔ１は第一行の選択期間、ｔ２は第二行の選択期間、ｔ３は第三行の選択期間、ｔ４は第四行の選択期間、ｔ５は第五行の選択期間、ｔｎは最終行（ｎ行）の選択期間である。
【００７２】
また、図１２において、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，…Ｇｎは各走査信号線７にそれぞれ印加される走査信号であり、Ｇ１は第一行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ２は第二行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ３は第三行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ４は第四行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ５は第五行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇｎは最終行（ｎ行）の走査信号線７に印加される走査信号である。
【００７３】
これらの走査信号は、該走査信号を印加する走査信号線７が対応する画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの開始時よりも所定時間遅れた書込み開始時に前記オン電圧ＶｇＨになり、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの終了時よりも所定時間早い書込み終了時に前記オフ電圧ＶｇＬになる波形の信号であり、非選択期間はオフ電圧ＶｇＬに保たれる。
【００７４】
そのため、各行の画素３０の第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、その行の選択期間に、前記書込み開始時にオン電圧ＶｇＨの走査信号によりオンし、一定時間後の書込み終了時にオフ電圧ＶｇＬの走査信号によりオフする。
【００７５】
データ信号線駆動回路３４は、制御部３７からの制御信号に基づいて、前記画像メモリ３２に一時的に記憶された画像データを一画素行分ずつ前記制御部３７を介して取り込み、各画素行の選択期間毎に、一画素行分の各画像データそれぞれの階調値に対応した各データ信号を各データ信号線８に印加する。
【００７６】
図１２に示したデータ信号Ｄは、各データ信号線８のうちの一本のデータ信号線に印加される信号であり、このデータ信号Ｄは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に、共通電極６に印加される第一電圧Ｖ１との差が、前記画像データの各選択期間毎の階調値に対応する値になるように電位が変化する矩形波信号である。
【００７７】
前記各データ信号線８に印加されたデータ信号Ｄは、選択された行の各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとに、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにり同時に供給される。
【００７８】
また、第一電圧発生回路３５は、制御部３７からの制御信号に基づいて第一の電圧Ｖ１を発生する。この第一電圧Ｖ１は、前記第一電圧入力端子２９ａを介して、共通電極６と、各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａとに印加される。すなわち、各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａに印加される第一電圧Ｖ１は、共通電極６への印加電圧と同じ電圧である。
【００７９】
この実施例において、第一電圧発生回路３５から共通電極６と各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａに印加される第一電圧Ｖ１は、図１２に示したように、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転し、さらに前記電圧レベルが１フレーム毎に反転する矩形波交流電圧である。以下、この第一電圧Ｖ１のうちの共通電極６に印加する電圧をコモン信号Ｖｃｏｍという。
【００８０】
一方、第二電圧発生回路３６は、制御部３７からの制御信号に基づいて、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を発生する。この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１２に示したように、一定レベルの直流電圧であり、前記第二電圧入力端子２９ｂを介して、前記各行の第三容量電極１８ｂに印加される。
【００８１】
この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１３のように、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧、例えばハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの中間の値の電圧である。
【００８２】
このように、前記駆動手段３１は、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加する。
【００８３】
この液晶表示装置において、前記液晶表示素子１の各画素３０はそれぞれ、図１１のような回路で表すことができる。すなわち、一つの画素３０の第一領域３０ａは、第一画素電極５ａと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第一画素容量ＣＬＣ１と、前記第一画素電極５ａと第一容量電極１７及びその間の第一誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第一補償容量Ｃｓ１とが第一画素電極５ａにおいて接続され、前記第一画素電極５ａに第一ＴＦＴ９ａが接続された回路からなっている。
【００８４】
また、前記画素３０の第二領域３０ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第二画素容量ＣＬＣ２と、前記第二画素電極５ｂと第二容量電極１８ａ及びその間の第二誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第二補償容量Ｃｓ２と、前記第二画素電極５ｂと第三容量電極１８ｂ及びその間の第三誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第三補償容量Ｃｓ３とが第二画素電極５ｂにおいて接続され、前記第二画素電極５ｂに第二ＴＦＴ９ｂが接続された回路からなっている。
【００８５】
そして、前記共通電極６には、各画素行の選択期間毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転するコモン信号Ｖｃｏｍが印加され、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８ａにはそれぞれ、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加され、前記第三容量電極１８ｂには、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧（第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオフ電圧ＶｇＬと同じ値の直流電圧）Ｖ２が印加される。
【００８６】
また、選択された画素行の各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂには、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにより、データ信号線８から供給されたデータ信号Ｄがそれぞれ印加される。
【００８７】
前記第一画素電極５ａと共通電極６との間と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧（以下、書込み電圧という）はそれぞれ、前記第一電圧Ｖ１と前記データ信号Ｄとの電圧差に対応した値の電圧であり、その書込み電圧が前記第一画素容量ＣＬＣ１と前記第二画素容量ＣＬＣ２とにチャージされる。
【００８８】
また、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８ａへの印加電圧はそれぞれ前記共通電極６へ印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１であるため、前記第一補償容量Ｃｓ１と第二補償容量Ｃｓ２にはそれぞれ前記書込み電圧と同じ電圧がチャージされる。
【００８９】
一方、前記第三容量電極１８ｂへの印加電圧は前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２であるため、前記第三補償容量Ｃｓ３には、前記書込み電圧とは異なる電圧（書込み電圧に対して第一電圧Ｖ１と第二電圧Ｖ２との差に対応した電圧差をもった電圧）がチャージされる。
【００９０】
なお、第一画素電極５ａと走査信号線７及びデータ信号線８との間には、第一ＴＦＴ９ａのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第一寄生容量という）が存在する。また、第二画素電極５ｂと走査信号線７及び走査信号線７との間には、第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第二寄生容量という）が存在する。
【００９１】
そのため、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂがオフし、書込みが終了すると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２にチャージされた電圧が、前記第一寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下し、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３にチャージされた電圧が、前記第二寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下する。
【００９２】
そして、画素３０の第一領域３０ａの液晶は、前記第一画素容量ＣＬＣ１のチャージ電圧（第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧）により駆動される。また、前記画素３０の第二領域３０ｂの液晶は、前記第二画素容量ＣＬＣ２のチャージ電圧（第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧）により駆動される。
【００９３】
図１４は、第一行の各画素３０のうちの１つの画素３０の第一領域３０ａにおける第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加される電圧を示し、図１５は、前記画素３０の第二領域３０ｂにおける第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧を示している。図１４において、ＶＰ１は第一画素電極５ａの電位である。また、図１５において、ＶＰ２は第二画素電極５ｂの電位である。なお、図１４及び図１５では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの電位ＶＰ１，ＶＰ２とコモン信号Ｖｃｏｍとを区別しやすいように、これらの立ち上がり及び立ち下がりを傾斜させている。
【００９４】
図１４のように、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第一ＴＦＴ９ａを介して第一画素電極５ａに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。
【００９５】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａがオフすると、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１分だけ降下した電圧Ｖａ１になる。以下、この電圧Ｖａ１を第一保持電圧という。
【００９６】
また、前記共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に反転するが、前記コモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極１７に印加される第一電圧Ｖ１は同じ電圧であるため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが反転しても、第一画素容量ＣＬＣ１及び第一補償容量Ｃｓ１のチャージ電圧は変化しない。そのため、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行の選択期間線ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎにおいても前記第一保持電圧Ｖａ１に保たれる。
【００９７】
従って、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の第一保持電圧Ｖａ１は、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベル反転にかかわらず、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一行の選択期間ｔ１における第一保持電圧Ｖａ１と実質的に同じ電圧に維持され、その電圧が、前記第一領域３０ａの液晶に１フレームの実効電圧として印加される。
【００９８】
また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、図１５のように、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、前記データ信号線８から第二ＴＦＴ９ｂを介して第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。この書込み電圧Ｖａは、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された書込み電圧Ｖａと同じ値の電圧である。
【００９９】
そして、第二ＴＦＴ９ｂがオフすると、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２分だけ降下した電圧Ｖａ２になる。以下、この電圧Ｖａ２を第二保持電圧という。なお、前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２は、前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１と略同じであり、従って、前記第二保持電圧Ｖａ２は、前記第一保持電圧Ｖａ１と略同じ値の電圧である。
【０１００】
一方、第二容量電極１８ａへの印加電圧である第一電圧Ｖ１は、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ電圧（各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する電圧）であるが、第三容量電極１８ｂへの印加電圧である第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１とは異なる一定レベルの直流電圧である。
【０１０１】
そのため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転すると、共通電極６と第三容量電極１８ｂとの間の電圧値の低下に伴って、第一画素容量ＣＬＣ１と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３のそれぞれのチャージ電圧が、これらのＣＬＣ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３の容量値に対応した比率で降圧する。
【０１０２】
また、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２のチャージ電圧と第三補償容量Ｃｓ３のチャージ電圧がそれぞれ前記第一画素行の選択期間ｔ１における書込み終了後の電圧（第二ＴＦＴ９ｂがオフした後の電圧）になる。
【０１０３】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行のうちの偶数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転する選択期間）ｔ２，ｔ４，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３になり、奇数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになる選択期間）ｔ３，ｔ５，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２と実質的に同じ電圧に戻る。
【０１０４】
従って、第二領域３０ｂの液晶には、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に交互に印加される前記電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の電圧が、１フレームの実効電圧として印加される。
【０１０５】
なお、前記第二保持電圧Ｖａ２と、この第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３は、次の（１）式及び（２）式により求めることができる。
【０１０６】
Ｖａ２＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＬ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＨ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（１）
Ｖａ３＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＨ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＬ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（２）
Ｃｌｃ；第二画素容量ＣＬＣ２の容量値
Ｃ２；第二補償容量Ｃｓ２の容量値
Ｃ３；第三補償容量Ｃｓ３の容量値
Ｃｇｓ；第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量
Ｃｄｓ；第二ＴＦＴ９ｂのドレイン−ソース間容量
ＶｓｉｇＨ；第一画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｓｉｇＬ；第二画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｇＬ；走査信号のオフ電圧
Ｖｐｉｘ；第二画素電極５ｂの電位
ＶｃｏｍＬ；コモン信号Ｖｃｏｍのローレベル値値（Ｖ１Ｌ）
ＶｃｏｍＨ；コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値値（Ｖ１Ｈ）
また、前記第二領域３０ｂの液晶に印加される１フレームの実効電圧は、次の（３）式により求めることができる。
【０１０７】
実効電圧＝｛（Ｖａ２２＋Ｖａ３２）／２｝１／２ …（３）
このように、各画素３０の第二領域３０ｂの１フレームの実効電圧は、同じ画素３０の第一領域３０ａの１フレームの実効電圧に対して降圧した電圧であり、従って、同じ階調値のデータ信号に対して、前記第二領域３０ｂの液晶分子が、前記第一領域３０ａの液晶分子の立ち上がり角よりも小さい角度で立ち上がる。
【０１０８】
そのため、各画素３０の第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記第一領域３０ａの液晶層２での電圧−透過率特性とは異なる特性である。図１６は、画素電極５と共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も明るいノーマリーホワイトモードの液晶表示素子における前記第一領域３０ａと第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を示している。図１６のように、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性は、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性である。
【０１０９】
従って、液晶層２の層厚（第一基板１と第二基板２との間の間隙）等を、第一領域３０ａの電圧−透過率特性が所定の視野角が得られる特性になるように設計し、さらに、前記第二電圧Ｖ２の値を、第二領域３０ｂの電圧−透過率特性が前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して所定量だけシフトした特性、つまり第一領域３０ａの視野角とは異なる視野角が得られる特性になるように前記第二電圧Ｖ２の値を設定することにより、第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１１０】
また、第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とが相乗した視野角は、前記第一領域３０ａと第二領域３０ｂとの面積比（第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの面積比）に対応するため、この面積比を選択することにより、所定の広さの視野角を得ることができる。
【０１１１】
図１７は、各画素電極がそれぞれ画素の全域に対応する形状に形成され、６時方向から見たときにコントラストが最も高くなるように設計された第一比較例のＴＮ型液晶表示装置の視角−輝度特性を示している。また、図１８は、上記第一実施例の液晶表示装置であって、前記各画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂの面積比が、第一領域面積：第二領域面積＝７：３に設定され、６時方向から見たときにコントラストが最も高くなるように設計されたＴＮ型液晶表示装置の視角−輝度特性を示している。図１７及び図１８において、視角は、９時方向の視角を０°としたときの前記０°方向に対して反時計回り（左回り）の角度である。また、輝度は、各視角における液晶表示素子の法線に対して所定角度傾いた方向の輝度である。
【０１１２】
なお、図１７及び図１８では、各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに、Ｌ０（最も暗い階調値）〜Ｌ２１（最も明るい階調値）の２２階調のうちのＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ７，Ｌ１０，Ｌ１２，Ｌ１６，Ｌ１８，Ｌ１９，Ｌ２０，Ｌ２１の各階調値のデータ信号を印加したときの視角−輝度特性を示している。
【０１１３】
図１８のように、上記実施例の液晶表示装置は、９０°（６時）における方向の視角−輝度特性が、前記比較例の液晶表示装置と略同じであり、しかも、２７０°（１２時）方向の視角−輝度特性が、前記比較例の液晶表示装置に比べて、低階調側での階調潰れや階調反転が改善された特性であり、従って、広い視野角を得ることができる。
【０１１４】
さらに、上記実施例の液晶表示装置は、前記第三容量電極１８ｂに印加する電圧値を制御するだけで視野角を微調整することができる。そのため、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきが生じても、前記視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１１５】
すなわち、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加するようにしているため、前記第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２の値を制御することにより、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を変化させることができる。
【０１１６】
前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性は、図１６に示したように、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であり、そのシフト量は、前記第二容量電極１８ａに印加された第一電圧Ｖ１と、前記第三容量電極１８ｂに印加された第二電圧Ｖ２との差に対応する。
【０１１７】
この実施例において、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対する第二領域３０ｂの電圧−透過率特性のシフト量は、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を小さくするのに伴って小さくなり、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を大きくするのに伴って大きくなる。
【０１１８】
このように、上記液晶表示装置は、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、前記第二領域３０ｂの視野角特性を任意に調整することができる。従って、前記第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とを相乗させた視野角を所定の値になるように微調整し、表示装置相互間の視野角のばらつきを補正することができる。この視野角のばらつきの補正は、前記第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２を制御するだけで容易に行うことができる。
【０１１９】
また、上記液晶表示装置は、前記第一容量電極１７を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なる矩形枠形状に形成しているため、前記第一補償容量Ｃｓ１の容量値を充分大きくすることができる。
【０１２０】
さらに、上記液晶表示装置は、前記第二容量電極１８ａと第三容量電極１８ｂとのうち、第三容量電極１８ｂを、第二画素電極５ｂの所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成し、第二容量電極１８ａを、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値に対して前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値を大きくすることができる。そのため、第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２の値に若干の変動があっても、第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性がみだりに変動することがない。従って、より微細に電圧−透過率特性を調整することが可能になる。また、前記第三容量電極１８ｂへのノイズ電圧の印加による前記第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性の変動も抑制することができる。
【０１２１】
また、上記実施例では、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極１７に印加する第一電圧Ｖ１（Ｖｃｏｍ＝Ｖ１）を、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧、例えば１フレーム中の各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する矩形波交流電圧としている。そのため、各画素３０の第一領域３０ａの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一保持電圧Ｖａ１に対応した一定値の実効電圧を印加することができる。
【０１２２】
さらに、上記実施例では、第二容量電極１８ａに、共通電極６及び第一容量電極１７への印加電圧と同じ第一電圧（矩形波交流電圧）Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１８ｂに、一定レベル、例えば前記第一電圧Ｖ１を形成するハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加している。そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、図１５のように、第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧Ｖａ３とに交互に変化させ、各画素３０の第二領域３０ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記二つの電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の実効電圧を印加することができる。
【０１２３】
しかも、この液晶表示装置は、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと前記第二画素電極５ｂの隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極１９を備えている。ため、この補助電極１９と共通電極６との間に電圧を印加することができる。
【０１２４】
そのため、上記実施例の液晶表示装置は、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１２５】
図１９〜図２１は、前記補助電極１９を備えない第二比較例の液晶表示装置における液晶分子２ａの配向状態を示す模式図、図２２は、上記実施例の液晶表示装置における液晶分子２ａの配向状態を示す模式図であり、何れも、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接した二つの画素３０，３０の隣接部分における液晶分子２ａの配向状態を示している。
【０１２６】
なお、前記第二比較例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えていないが、他の構成は上記実施例の液晶表示装置と同じである。また、上記実施例及び第二比較例の液晶表示装置はＴＮ型液晶表示装置であるが、図１９〜図２１及び図２２では、液晶分子２ａのチルト方向を簡単に把握できるように、第一配向膜２３と第二配向膜２４を互いに平行で且つ反対方向にラビングした非ツイストのホモジニアス配向型における液晶分子２ａの配向状態を示している。
【０１２７】
前記第二比較例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えていないため、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５１と他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域と共通電極６との間は常に無電界状態である。
【０１２８】
そして、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されると、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に駆動電界が生じ、この駆動電界によって液晶分子２ａが基板３，４面に対して立ち上がるように配向する。
【０１２９】
前記駆動電界は、隣接する画素電極５ａ，５ｂの縁部間に生じる横電界の影響により、第一画素電極５ａの辺部付近及び第二画素電極５ｂの辺部付近において基板３，４の法線方向に対して斜めに傾いた方向に歪んだ電界である。すなわち、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図１９に等電位線Ｅ１で示したような電位分布の電界であり、また第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図１９に等電位線Ｅ２で示したような電位分布の電界である。
【０１３０】
そのため、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの互いに隣接する辺部のうち、第一配向膜２３のラビング方向２３ｒの上流側及び第二配向膜２４のラビング方向２４ｒの下流側に位置する画素電極の辺部付近の液晶分子２ａが、第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒによって規定されたプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がり、その部分にディスクリネーションを発生する。
【０１３１】
例えば第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図１９のような方向であるときは、図において右側に位置する第二画素電極５ｂの左側の辺部付近の液晶分子２ａがプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がってディスクリネーションを発生する。また、前記第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図１９とは反対方向であるときは、図において左側に位置する第一画素電極５ａの右側の辺部付近の液晶分子２ａがプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がってディスクリネーションを発生する。
【０１３２】
前記液晶分子２ａがプレチルト方向に対して順方向にチルトする領域と、プレチルト方向に対して反対方向にチルトする領域との境目は、ディスクリネーションラインと呼ばれている。このディスクリネーションラインＤＬは、殆んどの場合、第二基板４に設けられた遮光膜２２により隠された位置に生じるため、ディスクリネーションの発生は外部からは見えない。
【０１３３】
しかし、図２０のように、液晶表示装置の表示面に、指先の押付け等によって部分的に荷重Ｗが加わり、その荷重Ｗによって第二基板４が撓み変形すると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられてディスクリネーションラインＤＬが前記右側の画素３０の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。
【０１３４】
そして、上記第二比較例の液晶表示装置は、表示面に加えられた荷重Ｗが開放され、第二基板４が図２１のようにフラットな状態に復帰しても、直ぐには液晶分子２ａの配向状態が図１９の状態に戻らないため、ある程度の時間、前記ディスクリネーションによる異常表示が見える。
【０１３５】
上記第二比較例の液晶表示装置に対して、上記実施例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えているため、この補助電極１９への補助電圧の印加により、該補助電極１９と共通電極６との間に電界を生じさせ、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に対応する部分の液晶分子２ａを基板３，４面に対して立ち上がり配向させることができる。
【０１３６】
前記補助電極１９と共通電極６との間に生じさせる電界は、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間の駆動電界の最大値よりも強い電界が良い。
【０１３７】
そのために、上記実施例の液晶表示装置は、前記駆動手段３１により、前記補助電極１９に対して、共通電極６との電位差が第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加するようにしている。
【０１３８】
前記補助電極１９に印加する補助電圧は、共通電極６との電位差が、液晶分子２ａを基板３，４面に対して最大チルト角で立ち上がり配向させる強さの電界を生じさせる値の電圧が好ましい。
【０１３９】
上記実施例では、前記補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加するようにしている。
【０１４０】
すなわち、上記実施例では、走査信号電源３８のオフ電圧ＶｇＬの出力端子を、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された補助電圧入力端子２９ｃに接続し、制御部３７により、液晶表示素子１の駆動中継続して前記走査信号電源３８は前記補助電圧入力端子２９ｃにオフ電圧ＶｇＬを出力させるようにしている。
【０１４１】
なお、前記オフ電圧ＶｇＬは、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍ（＝Ｖ１）の振幅の中心電位に対して１０〜１５Ｖの電位差をもった電圧である。一方、前記コモン信号Ｖｃｏｍの振幅（ハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの差）は５Ｖ±１Ｖ程度である。従って、前記オフ電圧ＶｇＬは、前記コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの両方に対して７Ｖ以上の電位差を有している。
【０１４２】
上記実施例の液晶表示装置においても、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図２２に等電位線Ｅ１で示したような電位分布の電界であり、また第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図２２に等電位線Ｅ２で示したような電位分布の電界である。
【０１４３】
そのため、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの互いに隣接する辺部のうち、第一配向膜２３のラビング方向２３ｒの上流側及び第二配向膜２４のラビング方向２４ｒの下流側に位置する画素電極の辺部付近（図２２では右側に位置する第二画素電極５ｂの左側の辺部付近）の液晶分子２ａが、第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒによって規定されたプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がり、その部分にディスクリネーションを発生する。
【０１４４】
そして、液晶表示装置の表示面に部分的に荷重Ｗが加わると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられてディスクリネーションラインＤＬが前記右側の画素３０の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。
【０１４５】
しかし、上記実施例の液晶表示装置は、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に配置された補助電極１９と共通電極６との間に常に強い電界Ｅａが生じているため、表示面に加えられた荷重Ｗが開放されると、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域の液晶分子２ａが、速やかに前記電界Ｅａによって立ち上がり配向し、それに伴って、液晶分子２ａの配向状態が図２２の状態に戻る。
【０１４６】
従って、上記実施例の液晶表示装置によれば、表示面に加えられた荷重Ｗが開放される表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１４７】
なお、図１９〜図２１及び図２２には、非ツイストのホモジニアス配向型における液晶分子２ａの配向状態を示したが、第一配向膜２３と第二配向膜２４を画面エリア１ａの横軸方向に対して４５°の角度で交差する方向にラビングしたＴＮ型液晶表示装置では、第一配向膜２３と第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図５及び図１０に示した方向であるときに、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂの隣り合う辺部のうち、第二画素電極５ｂの辺部付近にディスクリネーションが発生する。また、第一配向膜２３と第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図５及び図１０に示した方向とは反対方向であるときは、第一画素電極５ａの辺部付近にディスクリネーションが発生する。
【０１４８】
しかしながら、上記実施例の液晶表示装置は、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に補助電極１９を配置しているため、前記ディスクリネーションが、前記第二画素電極５ｂの辺部付近と、第一画素電極５ａの辺部付近の何れに発生しても、表示面に加えられた荷重Ｗが開放される表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消することができる。
【０１４９】
また、上記実施例では、前記補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加するようにしているため、前記補助電圧を新たに発生させる必要が無く、従って、駆動手段３１を図１のように簡易化することができる。
【０１５０】
さらに、上記実施例では、前記補助電極１９を、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成し、この補助電極１９を、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置しているため、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間に形成される容量と、前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に形成される容量は同じである。
【０１５１】
従って、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間及び前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に容量が形成されても、これらの容量が、第一画素電極５ａに前記第一補償容量Ｃｓ１を設け、第二画素電極５ｂに前記第二補償容量Ｃｓ２と第三補償容量Ｃｓ３とを設けたことによる広視野角効果に影響することはない。
【０１５２】
［第二実施例］
図２３に示した第二実施例の液晶表示装置は、第二容量電極１８ａを、第二画素電極５ｂの日二つの縦辺の一方（図では走査信号線７に隣接する縦辺）に重なる直線形状に形成に形成し、第三容量電極１８ｂを、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの他の各辺（図では走査信号線７に隣接する辺とは反対側の横辺と二つの縦辺）に重なる三方枠形状に形成に形成したしたものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【０１５３】
この第二実施例の液晶表示装置によれば、第二補償容量Ｃｓ２の容量値に対して第三補償容量Ｃｓ３の容量値を大きくすることができるため、前記第三容量電極１８ｂに対して小さな電圧変動を与えるだけで、第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性を大きく変動させることができ、従って、視野角を大きく調整することができる。これは特に、製造された液晶表示装置相互間で液晶層２の厚さが大きくばらついてしまうような場合に有効である。
【０１５４】
そして、この第二実施例においても、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１５５】
また、この第二実施例においても、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと前記第二画素電極５ｂの隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１５６】
［第三実施例］
次に、この発明の第三実施例を図２４〜図２６を参照して説明する。なお、この第三実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０１５７】
この第三実施例において、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、各走査信号線７は、前記第一基板３上に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート絶縁膜１１により覆われている。そして、各データ信号線８は、ゲート絶縁膜１１の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、各データ信号線８は、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【０１５８】
一方、第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂは、前記ゲート絶縁膜１１上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び各データ信号線８を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜２０ａの上に、上記第一実施例と同じ形状（図５の同じ形状）に形成されている。
【０１５９】
そして、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記第一被覆絶縁膜２０ａ上に、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを覆って設けられた第二被覆絶縁膜２０ｂの上に、前記第一被覆絶縁膜２０ａ及び第二被覆絶縁膜２０ｂに設けられた第一及び第二のコンタクト孔２０１，２０２において前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６と前記第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に各々接続して形成されている。
【０１６０】
すなわち、この第三実施例において、第一画素電極５ａと第一容量電極１７との間の第一誘電層と、第二画素電極５ｂと第二容量電極１８ａとの間の第二誘電層と、前記第二画素電極５ｂと第三容量電極１８ｂとの間の第三誘電層はそれぞれ、第二被覆絶縁膜２０ｂからなっている。
【０１６１】
なお、この第三実施例では、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂが、前記コンタクト孔２０１，２０２内に入り込んだ部分（第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのドレイン電極１６との接続部）において各容量電極１７，１８ａ，１８ｂと短絡しないように、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂのコンタクト孔付近の部分を前記コンタクト孔２０１，２０２から充分に離間させた形状に形成している。
【０１６２】
さらに、前記第一被覆絶縁膜２０ａの上には、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、前記共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように形成された補助電極１９が設けられている。
【０１６３】
前記補助電極１９は、上記第一及び第二実施例と同様に、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成されており、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置されている。そして、各補助電極１９は、行毎に、隣り合う補助電極１９，１９の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【０１６４】
この第三実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１６５】
また、この第三実施例においても、前記補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１６６】
［第四実施例］
図２７に示した第四実施例は、上記第三実施例の液晶表示装置において、補助電極１９を、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔全体にわたる幅を有する形状に形成したものであり、他の構成は上記第三実施例と同じである。
【０１６７】
この第四実施例において、前記補助電極１９は、その両側縁が、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとにそれぞれ極く僅かな重なり幅で重なる幅を有する形状に形成されており、第一画素電極５ａとの重なり幅と、第二画素電極５ｂとの重なり幅とが等しくなるように配置されている。
【０１６８】
なお、この第四実施例では、第一容量電極１７と、第二及び第三容量電極１８ａ，１８ｃのうちの補助電極１９と隣接する第三容量電極１８ｂとをそれぞれ、前記補助電極１９と隣接する辺を第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの外縁よりもある程度、画素電極５ａ，５ｂの内側に入り込ませた形状に形成し、前記補助電極１９を、前記第一容量電極１７との間及び前記第三容量電極１８ｂとの間に間隔をあけて配置している。
【０１６９】
この第四実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１７０】
また、この第四実施例においても、前記補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１７１】
さらに、この第四実施例では、前記補助電極１９を、第一画素電極５ａとの重なり幅と、第二画素電極５ｂとの重なり幅とが等しくなるように配置しているため、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間に形成される容量と、前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に形成される容量は同じである。従って、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間及び前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に容量が形成されても、これらの容量が、第一画素電極５ａに前記第一補償容量Ｃｓ１を設け、第二画素電極５ｂに前記第二補償容量Ｃｓ２と第三補償容量Ｃｓ３とを設けたことによる広視野角効果に影響することはない。
【０１７２】
［他の実施例］
なお、上記各実施例では、第三容量電極１８ｂに、一定レベルの直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加しているが、第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧は、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａに印加する第一電圧（共通電極６への印加電圧と同じ電圧）Ｖ１と異なる値の電圧であれば、他の電圧でもよい。
【０１７３】
その場合、前記第二電圧は、電圧レベルが前記第一電圧Ｖ１と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧でもよい。また、この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１と同位相の矩形波交流電圧でも、前記第一電圧Ｖ１とは逆位相の矩形波交流電圧でもよい。
【０１７４】
さらに、上記各実施例では、補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加しているが、前記補助電圧は、共通電極６との電位差が、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に印加する電圧の最大値よりも大きい電圧であれば、他の電圧でもよい。なお、補助電圧は、共通電極６との電位差が、液晶分子２ａを最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧が好ましい。
【０１７５】
その場合、前記補助電圧は、直流電圧に限らず、例えば、電圧レベルが共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍ（第一及び第二容量電極１７，１８ａに印加する第一電圧Ｖ１と同じ電圧）と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも大きい矩形波交流電圧でもよい。
【０１７６】
また、上記各実施例では、第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂと補助電極１９を、同じ面上（第一基板３上または第一被覆絶縁膜２０ａ上）に形成しているが、前記各容量電極１７，１８ａ，１８ｂと補助電極１９は、異なる面上に形成してもよい。すなわち、例えば上記第三および第四実施例において、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを第一基板３上に形成し、補助電極１９を第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成してもよい。また、補助電極１９を第一基板３上に形成し、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成してもよい。
【０１７７】
また、前記液晶表示素子１は、ＴＮ型液晶表示素子に限らず、液晶分子を１８０°〜２７０°の範囲の捩れ角でツイスト配向させたＳＴＮ型液晶表示素子、非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示素子等でもよい。
【符号の説明】
【０１７８】
１…液晶表示素子、２…液晶層、３，４…基板、５ａ…第一画素電極、５ｂ…第二画素電極、６…共通電極、７…走査信号線、８…データ信号線、９ａ…第一ＴＦＴ、９ｂ…第二ＴＦＴ、１７…第一容量電極、１８ａ…第二容量電極、１８ｂ…第三容量電極、Ｃｓ１…第一補償容量、Ｃｓ２…第二補償容量、Ｃｓ３…第三補償容量、１９…補助電極、３０…画素、３０ａ…第一領域、３０ｂ…第二領域、３１…駆動手段
【技術分野】
【０００１】
この発明は、広い視野角をもった液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示の視野角を広くすることが望まれている。そのために、画素を二つの領域に区分し、その一方の領域と他方の領域とで液晶に印加される電圧値を異ならせることにより、前記２つの領域の視野角特性を互いに異ならせ、その両方の視野角特性が相乗した広い視野角を得ることが考えられている。
【０００３】
この種の液晶表示装置としては、例えば、第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とを画素毎に形成したものがある。
【０００４】
この液晶表示装置において、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタは、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続されている。なお、前記走査信号線は、前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように配線されている。
【０００５】
そして、この液晶表示装置では、前記第一の薄膜トランジスタの充電能力と、前記第二の薄膜トランジスタの充電能力とを異ならせることにより、前記一方の領域の液晶と他方の領域の液晶とに、異なる値の電圧を印加するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１５２０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置は、各種の工程を経て製造されるため、同機種の液晶表示装置であっても、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきを生じることがある。そして、上記従来の液晶表示装置は、視野角のばらつきの補正が難しいため、所定の視野角の液晶表示装置を歩留まり良く得ることができない。
【０００８】
また、上記従来の液晶表示装置は、第一画素電極及び第二画素電極と共通電極との間に電圧を印加したときに、前記第二画素電極と、隣接する画素の第一画素電極との何れか一方の電極の辺部付近の液晶分子が、配向膜のラビング方向によって規定されたプレチルト方向とは異なる方向に向かってチルトし、ディスクリネーションを発生する。
【０００９】
このディスクリネーションの発生は、遮光膜（ブラックマスク）により隠されて見えないが、表示面に部分的に荷重が加わると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられて画素の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。そして、上記従来の液晶表示装置は、表示面に加えられた荷重が開放されても、ある程度の時間、前記ディスクリネーションによる異常表示が見える。
【００１０】
この発明は、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とが画素毎に形成され、前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一の画素電極と共通電極との間及び前記第二の画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように前記走査信号線が配置されると共に、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて配置され、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極との間の領域に、前記共通電極と対向させて、前記第一画素電極と前記第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加し、前記補助電極に、前記共通電極との電位差が、前記第一画素電極及び第二画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示装置において、前記補助電圧は、前記共通電極との電位差が、液晶分子を最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧であることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示装置において、前記補助電圧は、前記走査信号線に印加する走査信号のうちの前記第一及び第二薄膜トランジスタをオフさせる電圧値の直流電圧であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記請求項３に記載の液晶表示装置において、前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔よりも狭幅な形状に形成され、前記第一画素電極との間隔と、前記第二画素電極との間隔とが等しくなるように配置されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置において、前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔全体にわたる幅を有する形状に形成され、前記第一画素電極との重なり幅と、前記第二画素電極との重なり幅とが等しくなるように配置されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一画素電極及び第二画素電極を覆って形成された第一配向膜と、前記共通電極を覆って形成された第二配向膜がそれぞれ、前記補助電極の延伸方向に対して交差する方向にラビングされていることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記請求項１から６の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記請求項７に記載の液晶表示装置において、前記第二容量電極と前記第三容量電極は、その一方の容量電極が、前記第二画素電極の所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、他方の容量電極が、前記一方の容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、前記第三容量電極に印加する第二電圧の値を制御するだけで視野角を微調整することができ、従って、視野角のばらつきを容易に補正することができる。また、前記第二画素電極と隣接する画素の第一画素電極との間の領域の液晶の分子が、前記補助電極への前記補助電圧の印加によって立ち上がり配向するため、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の第一実施例による液晶表示装置の構成図。
【図２】第一実施例における液晶表示素子の平面図。
【図３】前記液晶表示素子の側面図。
【図４】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図５】図４の一部分の拡大図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】図４のVII−VII矢視線に沿う拡大断面図。
【図８】図４のVIII−VIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図９】図４のIX−IX矢視線に沿う拡大断面図。
【図１０】前記液晶表示素子の液晶分子の初期配向状態及び第一及び第二偏光板の吸収軸の向きを示す平面図。
【図１１】前記液晶表示素子の一つの画素の回路図。
【図１２】前記液晶表示素子を駆動する走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧の波形図。
【図１３】前記第一電圧と第二電圧の関係を示す図。
【図１４】前記画素の第一領域における第一画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１５】前記画素の第二領域における第二画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１６】前記第一領域と第二領域の液晶層での電圧−透過率特性図。
【図１７】第一比較例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図１８】第一実施例の液晶表示装置の視角−輝度特性図。
【図１９】第二比較例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２０】前記第二比較例の液晶表示装置における表示面に荷重が加わったときの液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２１】前記第二比較例の液晶表示装置における荷重開放後の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２２】第一実施例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図２３】この発明の第二実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図２４】この発明の第三実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の第一被覆絶縁膜と第二被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【図２５】図２５のXXV−XXV矢視線に沿う拡大断面図。
【図２６】図２５のXXVI−XXVI矢視線に沿う拡大断面図。
【図２７】この発明の第四実施例における液晶表示素子の第一基板の一部分の第一被覆絶縁膜と第二被覆絶縁膜及び配向膜を省略した平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［第一実施例］
この発明の第一実施例の液晶表示装置は、図１のように、液晶表示素子１と前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３１とにより構成されている。
【００２２】
前記液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、複数の画素３０が、図２のように、行方向（図において左右方向）及び列方向（図において上下方向）に配列させて形成されている。
【００２３】
この液晶表示素子１は、図２〜図１０のように、対向配置された透明な第一基板３と第二基板４を備えている。そして、前記第一基板（例えば表示面側とは反対側の基板）３の第二基板４と対向する面に、複数の透明な画素電極５が行方向及び列方向に配列させて設けられ、前記第二基板４の第一基板３と対向する面に、前記各画素電極５と対向する一枚膜状の透明な共通電極６が設けられている。
【００２４】
前記各画素電極５はそれぞれ、電気的に分離して形成された第一の画素電極５ａと第二の画素電極５ｂとからなっている。この実施例において、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、同じ横幅（行方向の幅）を有しており、第一画素電極５ａは、縦幅（列方向の幅）が前記横幅の約２倍である縦長矩形形状に形成され、第二画素電極５ｂは、縦幅と横幅が同程度の略正方形形状に形成されている。
【００２５】
さらに、前記第一基板３には、各画素電極５の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線７と、各画素電極５の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線８とが設けられている。
【００２６】
前記走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置されている。また、前記データ信号線８は、各列の画素電極５の一側の領域に、列方向に延伸するように配置されている。
【００２７】
また、前記第一基板３には、前記各画素電極５にそれぞれ対応させて、前記第一画素電極５ａに接続された第一のＴＦＴ９ａと、前記第二画素電極５ｂに接続された第二のＴＦＴ９ａとが配置されている。この第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ａは、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に、前記行方向に並べて配置されている。
【００２８】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂはそれぞれ、図４、図５、図６及び図７のように、第一基板３上に形成されたゲート電極１０と、前記第一基板３上の略全域に前記ゲート電極１０を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１上にゲート電極１０と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、前記半導体薄膜１２の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１３と、前記半導体薄膜１２のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１４を介して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６とからなっている。
【００２９】
なお、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、互いに逆向きの形状に形成されている。すなわち、第一ＴＦＴ９ａは、第一画素電極５ａと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。また、第二ＴＦＴ９ｂは、第二画素電極５ｂと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。
【００３０】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａのゲート電極１０と第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置された走査信号線７に接続されている。
【００３１】
さらに、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５と第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの一側を延伸するように配置されたデータ信号線８に接続されている。
【００３２】
なお、前記各走査信号線７は、前記第一基板３上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０と同じ金属膜により、前記ゲート電極１０と一体に形成されている。また、前記各データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６と同じ金属膜により、前記各ソース電極１５，１５と一体に形成されている。
【００３３】
前記データ信号線８には、各行の画素電極５の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に向かって延びる複数の分岐線８ａが一体に形成されている。この分岐線８ａは、互いに逆向きの形状に形成された前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂのうちの前記データ信号線８に近い側に配置された第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５側を通り、さらに前記データ信号線８から遠い側に配置された第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５側に達するように屈曲させた形状に形成されている。そして、前記データ信号線８は、前記分岐線８ａを介して、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５及び第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５に一体的に接続されている。
【００３４】
なお、この実施例において、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂと走査信号線７とデータ信号線８は、第一基板３上にゲート電極１０と走査信号線７を形成し、さらにゲート絶縁膜１１と半導体薄膜１２とチャネル保護膜１３とを順次成膜して前記チャネル保護膜１３を半導体薄膜１２の中央部を覆う形状にパターニングした後に、コンタクト層１４と金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１４及び半導体薄膜１２を一括してソース電極１５及びドレイン電極とデータ信号線８の形状にパターニングする工程で形成されている。そのため、前記データ信号線８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００３５】
さらに、前記ゲート絶縁膜１１の上には、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び前記各データ信号線８を覆って透明な被覆絶縁膜２０が設けられており、この被覆絶縁膜２０の上に前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂが形成されている。そして、前記第一画素電極５ａは、前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続されている。
【００３６】
なお、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、被覆絶縁膜２０の第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６，１６上の部分に第一及び第二のコンタクト孔２０１，２０２を穿設した後に、前記被覆絶縁膜２０上にＩＴＯ膜を成膜し、そのＩＴＯ膜を第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの形状にパターニングすることにより形成される。
【００３７】
従って、第一画素電極５ａは、第一のコンタクト孔２０１において第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に接続され、第二画素電極５ｂは、第二のコンタクト孔２０２において第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に接続されている。
【００３８】
すなわち、前記液晶表示素子１は、第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとが画素３０毎に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとが、互いに同じデータ信号線８及び走査信号線７に接続されたものである。
【００３９】
そのため、各画素３０はそれぞれ、第一画素電極５ａと第２画素電極５ｂとの間の部分を境にして、第一画素電極５ａが形成された側の第一領域３０ａと、第２画素電極５ｂが形成された側の第二領域３０ｂとに区分されている。
【００４０】
そして、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、同じ走査信号線７からの走査信号によりオン，オフを制御され、同時にオンして、同じデータ信号線８から供給されたデータ信号を第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに各々印加する。
【００４１】
また、前記第一基板３には、各画素３０毎に、第一画素電極５ａとの間に第一誘電層が介在されて第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極１７と、第二画素電極５ｂとの間に第二誘電層が介在されて第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１８ａと、前記第二画素電極５ｂとの間に第三誘電層が介在されて第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極１８ｂとが設けられている。
【００４２】
図４、図５及び図１０のように、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、第一画素電極５ａの外形に対応する矩形枠形状に形成されている。なお、この第一容量電極１７は、その各辺の第一画素電極５ａに重なる側とは反対側の縁部が、第一画素電極５ａの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第一容量電極１７は、行毎に、隣り合う第一容量電極１７，１７の走査信号線７に隣接する辺とは反対側の辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４３】
一方、第二容量電極１８ａと第三容量電極１８ｂとのうち、第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂの所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、第二容量電極１８ａは、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されている。
【００４４】
この実施例において、前記第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂの走査信号線７の延伸方向と平行な二つの辺（以下、横辺という）のうちの走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺に重なる直線形状に形成されている。なお、この第三容量電極１８ｂは、第二画素電極５ｂに重なる側とは反対側の縁部が、第二画素電極５ｂの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第三容量電極１８ｂは、行毎に、隣り合う第三容量電極１８ｂ，１８ｂの端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４５】
また、第二容量電極１８ａは、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する側の横辺と、前記走査信号線７の延伸方向に対して交差する二つの辺（以下、縦辺という）とに重なる三方枠形状に形成されている。なお、この第二容量電極１８ａは、その各辺の第二画素電極５ｂに重なる側とは反対側の縁部が、第２画素電極５ｂの外側に僅かに張り出す幅に形成されている。そして、各画素３０の第二容量電極１８ａは、行毎に、隣り合う第二容量電極１８ａ，１８ａの前記走査信号線７に隣接する辺の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４６】
さらに、前記第一基板３には、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、前記共通電極６と対向させて配置された補助電極１９が設けられている。この補助電極１９は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように形成されている。
【００４７】
前記補助電極１９は、一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成されており、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置されている。なお、この補助電極１９は、一方の画素３０の第一容量電極１７と他方の画素３０の第三容量電極１８ｂとの間隔よりも狭い幅を有しており、前記第一容量電極１７との間及び前記第三容量電極１８ｂとの間に間隔をあけて配置されている。そして、各補助電極１９は、行毎に、隣り合う補助電極１９，１９の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００４８】
この実施例において、前記第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂと前記補助電極１９は、第一基板３上に、各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０及び走査信号線７と同じ金属膜により形成されている。
【００４９】
そして、第一容量電極１７は、第一画素電極５ａの各辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第一誘電層を介して対向し、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成している。
【００５０】
また、第二容量電極１８ａは、第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する横辺及び二つの縦辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第二誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成している。
【００５１】
さらに、第三容量電極１８ｂは、前記第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜からなる第三誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に前記第三補償容量Ｃｓ３を形成している。
【００５２】
すなわち、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と、前記第二各補償容量Ｃｓ２の第二誘電層と、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層は、同一の層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）として形成されている。
【００５３】
一方、第二基板４には、図６〜図９のように、赤色フィルタ２１Ｒ、緑色フィルタ２１Ｇ及び青色フィルタ２１Ｂの三色のカラーフィルタが、各画素３０の列毎に交互に並べて形成されている。さらに、前記第二基板４には、各行及び各列の隣り合う画素３０，３０の間の領域及び各画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂとの間の領域に対応させて遮光膜２２が形成されている。
【００５４】
この実施例において、前記遮光膜２２は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、前記三色のカラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、第二基板４上の遮光膜２２の無い領域に形成されている。そして、前記共通電極６は、前記カラーフィルタ２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ及び遮光膜２２の上に、各画素３０の配列領域の全域にわたって形成されている。
【００５５】
さらに、第一基板３には、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂを覆って第一配向膜２３が設けられ、第二基板４には、共通電極６を覆って第二配向膜２４が設けられている。この配向膜２３，２４は、ポリイミド等の水平配向膜であり、それぞれの膜面を、前記補助電極１９の延伸方向に対して交差する方向にラビングされている。
【００５６】
前記第一基板３と第二基板４は、図２及び図３のように、所定の間隙を設けて対向配置され、画面エリア１ａを囲む枠状のシール材２５を介して貼り合わされている。そして、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に液晶層２が形成されている。前記液晶層２は、第一基板３と第二基板４との間の間隙の前記シール材２５で囲まれた領域に液晶を封入して形成されている。
【００５７】
また、第一基板３の外面には、第一偏光板２６が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、第二基板４の外面には、第二偏光板２７が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【００５８】
この実施例の液晶表示素子１は、例えばＴＮ型液晶表示素子であり、前記第一配向膜２３と第二配向膜２４は、互いに直交する方向にラビング処理されている。すなわち、図１０において、矢印２３ｒは第一配向膜２３のラビング方向、矢印２４ｒは第二配向膜２４のラビング方向を示している。図１０のように、第一配向膜２３は、前記補助電極１９の延伸方向（画面エリア１ａの横軸方向と平行な方向）に対して一方の方向（図では右回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされ、第二配向膜２４は、前記補助電極１９の延伸方向に対して前記一方の方向とは反対方向（図において左回り方向）に４５°の角度で交差する方向にラビングされている。
【００５９】
また、液晶層２は、誘電異方性が正のネマティック液晶からなっている。この液晶層２の液晶分子２ａは、図１１のように、第一基板３の近傍において第一配向膜２３のラビング方向２３ｒに分子長軸を向けて配列し、第二基板４の近傍において第二配向膜２４のラビング方向２４ｒに分子長軸を向けて配列すると共に、前記ラビング方向２３ｒ，２４ｒの上流側（ラビングの開始端側）から下流側（ラビングの終了端側）に向かって配向膜面から離れる方向にプレチルトした状態で、第一基板３と第二基板４との間、つまり第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間において、図１１に示した破線矢印方向に９０°のツイスト角でツイスト配向している。
【００６０】
なお、前記補助電極１９の延伸方向に対する第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２３ｒの角度は、厳密に４５°でなくてもよく、また、液晶分子２ａのツイスト角も、厳密に９０°でなくてもよい。すなわち、補助電極１９の延伸方向に対する配向膜２３，２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒの角度は、±５°程度の誤差が許容され、前記液晶分子２ａのツイスト角は、±１０°程度の誤差が許容される。
【００６１】
そして、前記第一偏光板２６と第二偏光板２７は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も明るい明表示であるノーマリーホワイトモードの液晶表示素子を構成するように配置されている。すなわち、図１０のように、第一偏光板２６は、その吸収軸２６ａを第一配向膜２３のラビング方向２４ｒと直交するか或いは平行な方向（図では直交する方向）に向けて配置され、第二偏光板２７は、その吸収軸２７ａを前記第一偏光板２６の吸収軸２６ａと直交する方向に向けて配置されている。
【００６２】
また、第一基板３には、図２及び図３のように、例えば画面エリア１ａの上下方向（列方向）の一端側に、第二基板４の外方に張出すドライバ搭載部３ａが形成されており、このドライバ搭載部３ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子２８が搭載されている。
【００６３】
そして、前記各走査信号線７は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子２８の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、前記各データ信号線８は、前記ドライバ素子２８の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【００６４】
さらに、前記ドライバ搭載部３ａには、第一電圧入力端子２９ａと第二電圧入力端子２９ｂと補助電圧入力端子２９ｃがそれぞれ一つずつ形成されている。そして、前記共通電極６は、前記枠状のシール材２５による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記第一電圧入力端子２９ａに接続されている。
【００６５】
また、図では省略しているが、前記第一基板３には、前記画面エリア１ａの外側に、前記第一電圧入力端子２９ａに接続された一本の第一電圧供給線と、前記第二電圧入力端子２９ｂに接続された一本の第二電圧供給線と、前記補助電圧入力端子２９ｃに接続された一本の補助電圧供給線が、データ信号線８と平行に配線されている。
【００６６】
そして、行毎に共通接続された全ての行の第一容量電極１７と、行毎に共通接続された全ての行の第二容量電極１８ａは、前記一本の第一電圧供給線に接続され、この第一電圧供給線を介して、前記共通電極６と共に前記第一電圧入力端子２９ａに接続されている。また、行毎に共通接続された全ての行の第三容量電極１８ｂは、前記一本の第二電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記第二電圧入力端子２９ｂに接続されている。さらに、行毎に共通接続された全ての行の補助電極１９は、前記一本の補助電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記補助電圧入力端子２９ｃに接続されている。
【００６７】
前記液晶表示素子１は、前記各画素３０の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素３０の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加することにより駆動され、前記電圧の印加による液晶分子の配向状態の変化により、前記画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂの光の透過を制御して画像を表示する。なお、この液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、画面エリア１ａの全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源（図示せず）が配置されている。
【００６８】
次に、前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３１について説明する。この駆動手段３１は、図１のように、外部から入力される画像データを一時的に記憶する画像メモリ３２と、前記液晶表示素子１の各走査信号線７に走査信号を印加する走査信号線駆動回路３３と、前記液晶表示素子１の各データ信号線８にデータ信号を印加するデータ信号線駆動回路３４と、第一電圧発生回路３５及び第二電圧発生回路３６と、これらの制御部３７とを備えている。なお、前記走査信号線駆動回路３３とデータ信号線駆動回路３４は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに搭載されたドライバ素子２８に形成されている。
【００６９】
さらに、この駆動手段３１は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオンさせる所定の値のオン電圧ＶｇＨと、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオフさせる所定の値のオフ電圧ＶｇＬとを発生する走査信号電源３８を備えている。
【００７０】
走査信号線駆動回路３３は、走査信号電源３８から前記オン電圧ＶｇＨとオフ電圧ＶｇＬを供給され、制御部３７からの同期用クロック信号等の制御信号に基づいて、各走査信号線７にそれぞれ、電圧値がオン電圧ＶｇＨとオフ電圧ＶｇＬとに変化する走査信号を印加する。
【００７１】
図１２において、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎは、一画面を表示する１フレーム（第一行から最終行までの各画素行を順次選択して全ての画素行の各画素３０に一画面分のデータ信号を印加する期間）を前記各画素の行数で分割した各画素行の選択期間であり、ｔ１は第一行の選択期間、ｔ２は第二行の選択期間、ｔ３は第三行の選択期間、ｔ４は第四行の選択期間、ｔ５は第五行の選択期間、ｔｎは最終行（ｎ行）の選択期間である。
【００７２】
また、図１２において、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，…Ｇｎは各走査信号線７にそれぞれ印加される走査信号であり、Ｇ１は第一行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ２は第二行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ３は第三行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ４は第四行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ５は第五行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇｎは最終行（ｎ行）の走査信号線７に印加される走査信号である。
【００７３】
これらの走査信号は、該走査信号を印加する走査信号線７が対応する画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの開始時よりも所定時間遅れた書込み開始時に前記オン電圧ＶｇＨになり、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの終了時よりも所定時間早い書込み終了時に前記オフ電圧ＶｇＬになる波形の信号であり、非選択期間はオフ電圧ＶｇＬに保たれる。
【００７４】
そのため、各行の画素３０の第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、その行の選択期間に、前記書込み開始時にオン電圧ＶｇＨの走査信号によりオンし、一定時間後の書込み終了時にオフ電圧ＶｇＬの走査信号によりオフする。
【００７５】
データ信号線駆動回路３４は、制御部３７からの制御信号に基づいて、前記画像メモリ３２に一時的に記憶された画像データを一画素行分ずつ前記制御部３７を介して取り込み、各画素行の選択期間毎に、一画素行分の各画像データそれぞれの階調値に対応した各データ信号を各データ信号線８に印加する。
【００７６】
図１２に示したデータ信号Ｄは、各データ信号線８のうちの一本のデータ信号線に印加される信号であり、このデータ信号Ｄは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に、共通電極６に印加される第一電圧Ｖ１との差が、前記画像データの各選択期間毎の階調値に対応する値になるように電位が変化する矩形波信号である。
【００７７】
前記各データ信号線８に印加されたデータ信号Ｄは、選択された行の各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとに、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにり同時に供給される。
【００７８】
また、第一電圧発生回路３５は、制御部３７からの制御信号に基づいて第一の電圧Ｖ１を発生する。この第一電圧Ｖ１は、前記第一電圧入力端子２９ａを介して、共通電極６と、各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａとに印加される。すなわち、各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａに印加される第一電圧Ｖ１は、共通電極６への印加電圧と同じ電圧である。
【００７９】
この実施例において、第一電圧発生回路３５から共通電極６と各行の第一容量電極１７及び第二容量電極１８ａに印加される第一電圧Ｖ１は、図１２に示したように、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転し、さらに前記電圧レベルが１フレーム毎に反転する矩形波交流電圧である。以下、この第一電圧Ｖ１のうちの共通電極６に印加する電圧をコモン信号Ｖｃｏｍという。
【００８０】
一方、第二電圧発生回路３６は、制御部３７からの制御信号に基づいて、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を発生する。この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１２に示したように、一定レベルの直流電圧であり、前記第二電圧入力端子２９ｂを介して、前記各行の第三容量電極１８ｂに印加される。
【００８１】
この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１３のように、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧、例えばハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの中間の値の電圧である。
【００８２】
このように、前記駆動手段３１は、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加する。
【００８３】
この液晶表示装置において、前記液晶表示素子１の各画素３０はそれぞれ、図１１のような回路で表すことができる。すなわち、一つの画素３０の第一領域３０ａは、第一画素電極５ａと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第一画素容量ＣＬＣ１と、前記第一画素電極５ａと第一容量電極１７及びその間の第一誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第一補償容量Ｃｓ１とが第一画素電極５ａにおいて接続され、前記第一画素電極５ａに第一ＴＦＴ９ａが接続された回路からなっている。
【００８４】
また、前記画素３０の第二領域３０ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第二画素容量ＣＬＣ２と、前記第二画素電極５ｂと第二容量電極１８ａ及びその間の第二誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第二補償容量Ｃｓ２と、前記第二画素電極５ｂと第三容量電極１８ｂ及びその間の第三誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜２０との二層膜）とからなる第三補償容量Ｃｓ３とが第二画素電極５ｂにおいて接続され、前記第二画素電極５ｂに第二ＴＦＴ９ｂが接続された回路からなっている。
【００８５】
そして、前記共通電極６には、各画素行の選択期間毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転するコモン信号Ｖｃｏｍが印加され、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８ａにはそれぞれ、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加され、前記第三容量電極１８ｂには、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧（第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオフ電圧ＶｇＬと同じ値の直流電圧）Ｖ２が印加される。
【００８６】
また、選択された画素行の各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂには、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにより、データ信号線８から供給されたデータ信号Ｄがそれぞれ印加される。
【００８７】
前記第一画素電極５ａと共通電極６との間と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧（以下、書込み電圧という）はそれぞれ、前記第一電圧Ｖ１と前記データ信号Ｄとの電圧差に対応した値の電圧であり、その書込み電圧が前記第一画素容量ＣＬＣ１と前記第二画素容量ＣＬＣ２とにチャージされる。
【００８８】
また、前記第一容量電極１７と前記第二容量電極１８ａへの印加電圧はそれぞれ前記共通電極６へ印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１であるため、前記第一補償容量Ｃｓ１と第二補償容量Ｃｓ２にはそれぞれ前記書込み電圧と同じ電圧がチャージされる。
【００８９】
一方、前記第三容量電極１８ｂへの印加電圧は前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２であるため、前記第三補償容量Ｃｓ３には、前記書込み電圧とは異なる電圧（書込み電圧に対して第一電圧Ｖ１と第二電圧Ｖ２との差に対応した電圧差をもった電圧）がチャージされる。
【００９０】
なお、第一画素電極５ａと走査信号線７及びデータ信号線８との間には、第一ＴＦＴ９ａのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第一寄生容量という）が存在する。また、第二画素電極５ｂと走査信号線７及び走査信号線７との間には、第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第二寄生容量という）が存在する。
【００９１】
そのため、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂがオフし、書込みが終了すると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２にチャージされた電圧が、前記第一寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下し、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３にチャージされた電圧が、前記第二寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下する。
【００９２】
そして、画素３０の第一領域３０ａの液晶は、前記第一画素容量ＣＬＣ１のチャージ電圧（第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧）により駆動される。また、前記画素３０の第二領域３０ｂの液晶は、前記第二画素容量ＣＬＣ２のチャージ電圧（第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧）により駆動される。
【００９３】
図１４は、第一行の各画素３０のうちの１つの画素３０の第一領域３０ａにおける第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加される電圧を示し、図１５は、前記画素３０の第二領域３０ｂにおける第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧を示している。図１４において、ＶＰ１は第一画素電極５ａの電位である。また、図１５において、ＶＰ２は第二画素電極５ｂの電位である。なお、図１４及び図１５では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの電位ＶＰ１，ＶＰ２とコモン信号Ｖｃｏｍとを区別しやすいように、これらの立ち上がり及び立ち下がりを傾斜させている。
【００９４】
図１４のように、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第一ＴＦＴ９ａを介して第一画素電極５ａに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。
【００９５】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａがオフすると、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１分だけ降下した電圧Ｖａ１になる。以下、この電圧Ｖａ１を第一保持電圧という。
【００９６】
また、前記共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に反転するが、前記コモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極１７に印加される第一電圧Ｖ１は同じ電圧であるため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが反転しても、第一画素容量ＣＬＣ１及び第一補償容量Ｃｓ１のチャージ電圧は変化しない。そのため、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行の選択期間線ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎにおいても前記第一保持電圧Ｖａ１に保たれる。
【００９７】
従って、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の第一保持電圧Ｖａ１は、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベル反転にかかわらず、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一行の選択期間ｔ１における第一保持電圧Ｖａ１と実質的に同じ電圧に維持され、その電圧が、前記第一領域３０ａの液晶に１フレームの実効電圧として印加される。
【００９８】
また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、図１５のように、前記第一行の選択期間ｔ１のうちのＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、前記データ信号線８から第二ＴＦＴ９ｂを介して第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。この書込み電圧Ｖａは、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された書込み電圧Ｖａと同じ値の電圧である。
【００９９】
そして、第二ＴＦＴ９ｂがオフすると、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２分だけ降下した電圧Ｖａ２になる。以下、この電圧Ｖａ２を第二保持電圧という。なお、前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２は、前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１と略同じであり、従って、前記第二保持電圧Ｖａ２は、前記第一保持電圧Ｖａ１と略同じ値の電圧である。
【０１００】
一方、第二容量電極１８ａへの印加電圧である第一電圧Ｖ１は、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ電圧（各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する電圧）であるが、第三容量電極１８ｂへの印加電圧である第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１とは異なる一定レベルの直流電圧である。
【０１０１】
そのため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転すると、共通電極６と第三容量電極１８ｂとの間の電圧値の低下に伴って、第一画素容量ＣＬＣ１と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３のそれぞれのチャージ電圧が、これらのＣＬＣ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３の容量値に対応した比率で降圧する。
【０１０２】
また、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２のチャージ電圧と第三補償容量Ｃｓ３のチャージ電圧がそれぞれ前記第一画素行の選択期間ｔ１における書込み終了後の電圧（第二ＴＦＴ９ｂがオフした後の電圧）になる。
【０１０３】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行のうちの偶数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転する選択期間）ｔ２，ｔ４，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３になり、奇数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになる選択期間）ｔ３，ｔ５，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２と実質的に同じ電圧に戻る。
【０１０４】
従って、第二領域３０ｂの液晶には、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に交互に印加される前記電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の電圧が、１フレームの実効電圧として印加される。
【０１０５】
なお、前記第二保持電圧Ｖａ２と、この第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３は、次の（１）式及び（２）式により求めることができる。
【０１０６】
Ｖａ２＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＬ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＨ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（１）
Ｖａ３＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＨ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＬ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（２）
Ｃｌｃ；第二画素容量ＣＬＣ２の容量値
Ｃ２；第二補償容量Ｃｓ２の容量値
Ｃ３；第三補償容量Ｃｓ３の容量値
Ｃｇｓ；第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量
Ｃｄｓ；第二ＴＦＴ９ｂのドレイン−ソース間容量
ＶｓｉｇＨ；第一画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｓｉｇＬ；第二画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｇＬ；走査信号のオフ電圧
Ｖｐｉｘ；第二画素電極５ｂの電位
ＶｃｏｍＬ；コモン信号Ｖｃｏｍのローレベル値値（Ｖ１Ｌ）
ＶｃｏｍＨ；コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値値（Ｖ１Ｈ）
また、前記第二領域３０ｂの液晶に印加される１フレームの実効電圧は、次の（３）式により求めることができる。
【０１０７】
実効電圧＝｛（Ｖａ２２＋Ｖａ３２）／２｝１／２ …（３）
このように、各画素３０の第二領域３０ｂの１フレームの実効電圧は、同じ画素３０の第一領域３０ａの１フレームの実効電圧に対して降圧した電圧であり、従って、同じ階調値のデータ信号に対して、前記第二領域３０ｂの液晶分子が、前記第一領域３０ａの液晶分子の立ち上がり角よりも小さい角度で立ち上がる。
【０１０８】
そのため、各画素３０の第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記第一領域３０ａの液晶層２での電圧−透過率特性とは異なる特性である。図１６は、画素電極５と共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も明るいノーマリーホワイトモードの液晶表示素子における前記第一領域３０ａと第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を示している。図１６のように、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性は、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性である。
【０１０９】
従って、液晶層２の層厚（第一基板１と第二基板２との間の間隙）等を、第一領域３０ａの電圧−透過率特性が所定の視野角が得られる特性になるように設計し、さらに、前記第二電圧Ｖ２の値を、第二領域３０ｂの電圧−透過率特性が前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して所定量だけシフトした特性、つまり第一領域３０ａの視野角とは異なる視野角が得られる特性になるように前記第二電圧Ｖ２の値を設定することにより、第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１１０】
また、第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とが相乗した視野角は、前記第一領域３０ａと第二領域３０ｂとの面積比（第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの面積比）に対応するため、この面積比を選択することにより、所定の広さの視野角を得ることができる。
【０１１１】
図１７は、各画素電極がそれぞれ画素の全域に対応する形状に形成され、６時方向から見たときにコントラストが最も高くなるように設計された第一比較例のＴＮ型液晶表示装置の視角−輝度特性を示している。また、図１８は、上記第一実施例の液晶表示装置であって、前記各画素３０の第一領域３０ａと第二領域３０ｂの面積比が、第一領域面積：第二領域面積＝７：３に設定され、６時方向から見たときにコントラストが最も高くなるように設計されたＴＮ型液晶表示装置の視角−輝度特性を示している。図１７及び図１８において、視角は、９時方向の視角を０°としたときの前記０°方向に対して反時計回り（左回り）の角度である。また、輝度は、各視角における液晶表示素子の法線に対して所定角度傾いた方向の輝度である。
【０１１２】
なお、図１７及び図１８では、各画素３０の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに、Ｌ０（最も暗い階調値）〜Ｌ２１（最も明るい階調値）の２２階調のうちのＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ７，Ｌ１０，Ｌ１２，Ｌ１６，Ｌ１８，Ｌ１９，Ｌ２０，Ｌ２１の各階調値のデータ信号を印加したときの視角−輝度特性を示している。
【０１１３】
図１８のように、上記実施例の液晶表示装置は、９０°（６時）における方向の視角−輝度特性が、前記比較例の液晶表示装置と略同じであり、しかも、２７０°（１２時）方向の視角−輝度特性が、前記比較例の液晶表示装置に比べて、低階調側での階調潰れや階調反転が改善された特性であり、従って、広い視野角を得ることができる。
【０１１４】
さらに、上記実施例の液晶表示装置は、前記第三容量電極１８ｂに印加する電圧値を制御するだけで視野角を微調整することができる。そのため、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきが生じても、前記視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１１５】
すなわち、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１８ｂに前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加するようにしているため、前記第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２の値を制御することにより、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を変化させることができる。
【０１１６】
前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性は、図１６に示したように、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であり、そのシフト量は、前記第二容量電極１８ａに印加された第一電圧Ｖ１と、前記第三容量電極１８ｂに印加された第二電圧Ｖ２との差に対応する。
【０１１７】
この実施例において、前記第一領域３０ａの電圧−透過率特性に対する第二領域３０ｂの電圧−透過率特性のシフト量は、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を小さくするのに伴って小さくなり、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を大きくするのに伴って大きくなる。
【０１１８】
このように、上記液晶表示装置は、前記第二領域３０ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、前記第二領域３０ｂの視野角特性を任意に調整することができる。従って、前記第一領域３０ａの視野角特性と第二領域３０ｂの視野角特性とを相乗させた視野角を所定の値になるように微調整し、表示装置相互間の視野角のばらつきを補正することができる。この視野角のばらつきの補正は、前記第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２を制御するだけで容易に行うことができる。
【０１１９】
また、上記液晶表示装置は、前記第一容量電極１７を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なる矩形枠形状に形成しているため、前記第一補償容量Ｃｓ１の容量値を充分大きくすることができる。
【０１２０】
さらに、上記液晶表示装置は、前記第二容量電極１８ａと第三容量電極１８ｂとのうち、第三容量電極１８ｂを、第二画素電極５ｂの所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成し、第二容量電極１８ａを、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値に対して前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値を大きくすることができる。そのため、第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧Ｖ２の値に若干の変動があっても、第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性がみだりに変動することがない。従って、より微細に電圧−透過率特性を調整することが可能になる。また、前記第三容量電極１８ｂへのノイズ電圧の印加による前記第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性の変動も抑制することができる。
【０１２１】
また、上記実施例では、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極１７に印加する第一電圧Ｖ１（Ｖｃｏｍ＝Ｖ１）を、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧、例えば１フレーム中の各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する矩形波交流電圧としている。そのため、各画素３０の第一領域３０ａの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一保持電圧Ｖａ１に対応した一定値の実効電圧を印加することができる。
【０１２２】
さらに、上記実施例では、第二容量電極１８ａに、共通電極６及び第一容量電極１７への印加電圧と同じ第一電圧（矩形波交流電圧）Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１８ｂに、一定レベル、例えば前記第一電圧Ｖ１を形成するハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加している。そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、図１５のように、第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧Ｖａ３とに交互に変化させ、各画素３０の第二領域３０ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記二つの電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の実効電圧を印加することができる。
【０１２３】
しかも、この液晶表示装置は、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと前記第二画素電極５ｂの隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極１９を備えている。ため、この補助電極１９と共通電極６との間に電圧を印加することができる。
【０１２４】
そのため、上記実施例の液晶表示装置は、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１２５】
図１９〜図２１は、前記補助電極１９を備えない第二比較例の液晶表示装置における液晶分子２ａの配向状態を示す模式図、図２２は、上記実施例の液晶表示装置における液晶分子２ａの配向状態を示す模式図であり、何れも、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接した二つの画素３０，３０の隣接部分における液晶分子２ａの配向状態を示している。
【０１２６】
なお、前記第二比較例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えていないが、他の構成は上記実施例の液晶表示装置と同じである。また、上記実施例及び第二比較例の液晶表示装置はＴＮ型液晶表示装置であるが、図１９〜図２１及び図２２では、液晶分子２ａのチルト方向を簡単に把握できるように、第一配向膜２３と第二配向膜２４を互いに平行で且つ反対方向にラビングした非ツイストのホモジニアス配向型における液晶分子２ａの配向状態を示している。
【０１２７】
前記第二比較例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えていないため、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５１と他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域と共通電極６との間は常に無電界状態である。
【０１２８】
そして、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されると、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に駆動電界が生じ、この駆動電界によって液晶分子２ａが基板３，４面に対して立ち上がるように配向する。
【０１２９】
前記駆動電界は、隣接する画素電極５ａ，５ｂの縁部間に生じる横電界の影響により、第一画素電極５ａの辺部付近及び第二画素電極５ｂの辺部付近において基板３，４の法線方向に対して斜めに傾いた方向に歪んだ電界である。すなわち、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図１９に等電位線Ｅ１で示したような電位分布の電界であり、また第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図１９に等電位線Ｅ２で示したような電位分布の電界である。
【０１３０】
そのため、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの互いに隣接する辺部のうち、第一配向膜２３のラビング方向２３ｒの上流側及び第二配向膜２４のラビング方向２４ｒの下流側に位置する画素電極の辺部付近の液晶分子２ａが、第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒによって規定されたプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がり、その部分にディスクリネーションを発生する。
【０１３１】
例えば第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図１９のような方向であるときは、図において右側に位置する第二画素電極５ｂの左側の辺部付近の液晶分子２ａがプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がってディスクリネーションを発生する。また、前記第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図１９とは反対方向であるときは、図において左側に位置する第一画素電極５ａの右側の辺部付近の液晶分子２ａがプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がってディスクリネーションを発生する。
【０１３２】
前記液晶分子２ａがプレチルト方向に対して順方向にチルトする領域と、プレチルト方向に対して反対方向にチルトする領域との境目は、ディスクリネーションラインと呼ばれている。このディスクリネーションラインＤＬは、殆んどの場合、第二基板４に設けられた遮光膜２２により隠された位置に生じるため、ディスクリネーションの発生は外部からは見えない。
【０１３３】
しかし、図２０のように、液晶表示装置の表示面に、指先の押付け等によって部分的に荷重Ｗが加わり、その荷重Ｗによって第二基板４が撓み変形すると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられてディスクリネーションラインＤＬが前記右側の画素３０の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。
【０１３４】
そして、上記第二比較例の液晶表示装置は、表示面に加えられた荷重Ｗが開放され、第二基板４が図２１のようにフラットな状態に復帰しても、直ぐには液晶分子２ａの配向状態が図１９の状態に戻らないため、ある程度の時間、前記ディスクリネーションによる異常表示が見える。
【０１３５】
上記第二比較例の液晶表示装置に対して、上記実施例の液晶表示装置は、前記補助電極１９を備えているため、この補助電極１９への補助電圧の印加により、該補助電極１９と共通電極６との間に電界を生じさせ、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に対応する部分の液晶分子２ａを基板３，４面に対して立ち上がり配向させることができる。
【０１３６】
前記補助電極１９と共通電極６との間に生じさせる電界は、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間の駆動電界の最大値よりも強い電界が良い。
【０１３７】
そのために、上記実施例の液晶表示装置は、前記駆動手段３１により、前記補助電極１９に対して、共通電極６との電位差が第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加するようにしている。
【０１３８】
前記補助電極１９に印加する補助電圧は、共通電極６との電位差が、液晶分子２ａを基板３，４面に対して最大チルト角で立ち上がり配向させる強さの電界を生じさせる値の電圧が好ましい。
【０１３９】
上記実施例では、前記補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加するようにしている。
【０１４０】
すなわち、上記実施例では、走査信号電源３８のオフ電圧ＶｇＬの出力端子を、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された補助電圧入力端子２９ｃに接続し、制御部３７により、液晶表示素子１の駆動中継続して前記走査信号電源３８は前記補助電圧入力端子２９ｃにオフ電圧ＶｇＬを出力させるようにしている。
【０１４１】
なお、前記オフ電圧ＶｇＬは、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍ（＝Ｖ１）の振幅の中心電位に対して１０〜１５Ｖの電位差をもった電圧である。一方、前記コモン信号Ｖｃｏｍの振幅（ハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの差）は５Ｖ±１Ｖ程度である。従って、前記オフ電圧ＶｇＬは、前記コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの両方に対して７Ｖ以上の電位差を有している。
【０１４２】
上記実施例の液晶表示装置においても、第一画素電極５ａと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図２２に等電位線Ｅ１で示したような電位分布の電界であり、また第二画素電極５ｂと共通電極６との間に生じる駆動電界は、図２２に等電位線Ｅ２で示したような電位分布の電界である。
【０１４３】
そのため、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの互いに隣接する辺部のうち、第一配向膜２３のラビング方向２３ｒの上流側及び第二配向膜２４のラビング方向２４ｒの下流側に位置する画素電極の辺部付近（図２２では右側に位置する第二画素電極５ｂの左側の辺部付近）の液晶分子２ａが、第一配向膜２３及び第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒによって規定されたプレチルト方向とは反対方向にチルトするように立ち上がり、その部分にディスクリネーションを発生する。
【０１４４】
そして、液晶表示装置の表示面に部分的に荷重Ｗが加わると、ディスクリネーションを発生した部分が周囲に押し広げられてディスクリネーションラインＤＬが前記右側の画素３０の開口部内に入り込み、異常表示を生じさせる。
【０１４５】
しかし、上記実施例の液晶表示装置は、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に配置された補助電極１９と共通電極６との間に常に強い電界Ｅａが生じているため、表示面に加えられた荷重Ｗが開放されると、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域の液晶分子２ａが、速やかに前記電界Ｅａによって立ち上がり配向し、それに伴って、液晶分子２ａの配向状態が図２２の状態に戻る。
【０１４６】
従って、上記実施例の液晶表示装置によれば、表示面に加えられた荷重Ｗが開放される表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１４７】
なお、図１９〜図２１及び図２２には、非ツイストのホモジニアス配向型における液晶分子２ａの配向状態を示したが、第一配向膜２３と第二配向膜２４を画面エリア１ａの横軸方向に対して４５°の角度で交差する方向にラビングしたＴＮ型液晶表示装置では、第一配向膜２３と第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図５及び図１０に示した方向であるときに、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂの隣り合う辺部のうち、第二画素電極５ｂの辺部付近にディスクリネーションが発生する。また、第一配向膜２３と第二配向膜２４のラビング方向２３ｒ，２４ｒが図５及び図１０に示した方向とは反対方向であるときは、第一画素電極５ａの辺部付近にディスクリネーションが発生する。
【０１４８】
しかしながら、上記実施例の液晶表示装置は、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域に補助電極１９を配置しているため、前記ディスクリネーションが、前記第二画素電極５ｂの辺部付近と、第一画素電極５ａの辺部付近の何れに発生しても、表示面に加えられた荷重Ｗが開放される表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消することができる。
【０１４９】
また、上記実施例では、前記補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加するようにしているため、前記補助電圧を新たに発生させる必要が無く、従って、駆動手段３１を図１のように簡易化することができる。
【０１５０】
さらに、上記実施例では、前記補助電極１９を、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成し、この補助電極１９を、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置しているため、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間に形成される容量と、前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に形成される容量は同じである。
【０１５１】
従って、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間及び前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に容量が形成されても、これらの容量が、第一画素電極５ａに前記第一補償容量Ｃｓ１を設け、第二画素電極５ｂに前記第二補償容量Ｃｓ２と第三補償容量Ｃｓ３とを設けたことによる広視野角効果に影響することはない。
【０１５２】
［第二実施例］
図２３に示した第二実施例の液晶表示装置は、第二容量電極１８ａを、第二画素電極５ｂの日二つの縦辺の一方（図では走査信号線７に隣接する縦辺）に重なる直線形状に形成に形成し、第三容量電極１８ｂを、前記第三容量電極１８ｂとの間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの他の各辺（図では走査信号線７に隣接する辺とは反対側の横辺と二つの縦辺）に重なる三方枠形状に形成に形成したしたものであり、他の構成は上記第一実施例と同じである。
【０１５３】
この第二実施例の液晶表示装置によれば、第二補償容量Ｃｓ２の容量値に対して第三補償容量Ｃｓ３の容量値を大きくすることができるため、前記第三容量電極１８ｂに対して小さな電圧変動を与えるだけで、第二領域３０ｂの液晶層２での電圧−透過率特性を大きく変動させることができ、従って、視野角を大きく調整することができる。これは特に、製造された液晶表示装置相互間で液晶層２の厚さが大きくばらついてしまうような場合に有効である。
【０１５４】
そして、この第二実施例においても、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１５５】
また、この第二実施例においても、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと前記第二画素電極５ｂの隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１５６】
［第三実施例］
次に、この発明の第三実施例を図２４〜図２６を参照して説明する。なお、この第三実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０１５７】
この第三実施例において、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、各走査信号線７は、前記第一基板３上に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート絶縁膜１１により覆われている。そして、各データ信号線８は、ゲート絶縁膜１１の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、各データ信号線８は、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【０１５８】
一方、第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂは、前記ゲート絶縁膜１１上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び各データ信号線８を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜２０ａの上に、上記第一実施例と同じ形状（図５の同じ形状）に形成されている。
【０１５９】
そして、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記第一被覆絶縁膜２０ａ上に、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを覆って設けられた第二被覆絶縁膜２０ｂの上に、前記第一被覆絶縁膜２０ａ及び第二被覆絶縁膜２０ｂに設けられた第一及び第二のコンタクト孔２０１，２０２において前記第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６と前記第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に各々接続して形成されている。
【０１６０】
すなわち、この第三実施例において、第一画素電極５ａと第一容量電極１７との間の第一誘電層と、第二画素電極５ｂと第二容量電極１８ａとの間の第二誘電層と、前記第二画素電極５ｂと第三容量電極１８ｂとの間の第三誘電層はそれぞれ、第二被覆絶縁膜２０ｂからなっている。
【０１６１】
なお、この第三実施例では、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂが、前記コンタクト孔２０１，２０２内に入り込んだ部分（第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのドレイン電極１６との接続部）において各容量電極１７，１８ａ，１８ｂと短絡しないように、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂのコンタクト孔付近の部分を前記コンタクト孔２０１，２０２から充分に離間させた形状に形成している。
【０１６２】
さらに、前記第一被覆絶縁膜２０ａの上には、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと、他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間の領域にそれぞれ、前記共通電極６と対向させて、前記第一画素電極５ａと第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように形成された補助電極１９が設けられている。
【０１６３】
前記補助電極１９は、上記第一及び第二実施例と同様に、隣接する一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔よりも狭幅な直線形状に形成されており、前記第一画素電極５ａとの間隔と、前記第二画素電極５ｂとの間隔とが等しくなるように配置されている。そして、各補助電極１９は、行毎に、隣り合う補助電極１９，１９の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【０１６４】
この第三実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１６５】
また、この第三実施例においても、前記補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１６６】
［第四実施例］
図２７に示した第四実施例は、上記第三実施例の液晶表示装置において、補助電極１９を、走査信号線７の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素３０，３０のうちの一方の画素３０の第一画素電極５ａと他方の画素３０の第二画素電極５ｂとの間隔全体にわたる幅を有する形状に形成したものであり、他の構成は上記第三実施例と同じである。
【０１６７】
この第四実施例において、前記補助電極１９は、その両側縁が、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとにそれぞれ極く僅かな重なり幅で重なる幅を有する形状に形成されており、第一画素電極５ａとの重なり幅と、第二画素電極５ｂとの重なり幅とが等しくなるように配置されている。
【０１６８】
なお、この第四実施例では、第一容量電極１７と、第二及び第三容量電極１８ａ，１８ｃのうちの補助電極１９と隣接する第三容量電極１８ｂとをそれぞれ、前記補助電極１９と隣接する辺を第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの外縁よりもある程度、画素電極５ａ，５ｂの内側に入り込ませた形状に形成し、前記補助電極１９を、前記第一容量電極１７との間及び前記第三容量電極１８ｂとの間に間隔をあけて配置している。
【０１６９】
この第四実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａとに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極１８ｂに前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができ、また、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１７０】
また、この第四実施例においても、前記補助電極１９を備えているため、第一実施例と同様に、前記補助電極１９に補助電圧を印加することにより、表示面に荷重が加わったときの異常表示を、荷重の開放と殆んど同時に解消し、常に高品質の表示を行うことができる。
【０１７１】
さらに、この第四実施例では、前記補助電極１９を、第一画素電極５ａとの重なり幅と、第二画素電極５ｂとの重なり幅とが等しくなるように配置しているため、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間に形成される容量と、前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に形成される容量は同じである。従って、補助電極１９と第一画素電極５ａとの間及び前記補助電極１９と第二画素電極５ｂとの間に容量が形成されても、これらの容量が、第一画素電極５ａに前記第一補償容量Ｃｓ１を設け、第二画素電極５ｂに前記第二補償容量Ｃｓ２と第三補償容量Ｃｓ３とを設けたことによる広視野角効果に影響することはない。
【０１７２】
［他の実施例］
なお、上記各実施例では、第三容量電極１８ｂに、一定レベルの直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加しているが、第三容量電極１８ｂに印加する第二電圧は、第一容量電極１７と第二容量電極１８ａに印加する第一電圧（共通電極６への印加電圧と同じ電圧）Ｖ１と異なる値の電圧であれば、他の電圧でもよい。
【０１７３】
その場合、前記第二電圧は、電圧レベルが前記第一電圧Ｖ１と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧でもよい。また、この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１と同位相の矩形波交流電圧でも、前記第一電圧Ｖ１とは逆位相の矩形波交流電圧でもよい。
【０１７４】
さらに、上記各実施例では、補助電極１９に、補助電圧として、走査信号線７に印加する走査信号のうちの第一及び第二薄膜トランジスタ９ａ，９ｂをオフさせる電圧値の直流電圧を印加しているが、前記補助電圧は、共通電極６との電位差が、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に印加する電圧の最大値よりも大きい電圧であれば、他の電圧でもよい。なお、補助電圧は、共通電極６との電位差が、液晶分子２ａを最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧が好ましい。
【０１７５】
その場合、前記補助電圧は、直流電圧に限らず、例えば、電圧レベルが共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍ（第一及び第二容量電極１７，１８ａに印加する第一電圧Ｖ１と同じ電圧）と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも大きい矩形波交流電圧でもよい。
【０１７６】
また、上記各実施例では、第一、第二及び第三容量電極１７，１８ａ，１８ｂと補助電極１９を、同じ面上（第一基板３上または第一被覆絶縁膜２０ａ上）に形成しているが、前記各容量電極１７，１８ａ，１８ｂと補助電極１９は、異なる面上に形成してもよい。すなわち、例えば上記第三および第四実施例において、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを第一基板３上に形成し、補助電極１９を第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成してもよい。また、補助電極１９を第一基板３上に形成し、各容量電極１７，１８ａ，１８ｂを第一被覆絶縁膜２０ａ上に形成してもよい。
【０１７７】
また、前記液晶表示素子１は、ＴＮ型液晶表示素子に限らず、液晶分子を１８０°〜２７０°の範囲の捩れ角でツイスト配向させたＳＴＮ型液晶表示素子、非ツイストのホモジニアス配向型液晶表示素子等でもよい。
【符号の説明】
【０１７８】
１…液晶表示素子、２…液晶層、３，４…基板、５ａ…第一画素電極、５ｂ…第二画素電極、６…共通電極、７…走査信号線、８…データ信号線、９ａ…第一ＴＦＴ、９ｂ…第二ＴＦＴ、１７…第一容量電極、１８ａ…第二容量電極、１８ｂ…第三容量電極、Ｃｓ１…第一補償容量、Ｃｓ２…第二補償容量、Ｃｓ３…第三補償容量、１９…補助電極、３０…画素、３０ａ…第一領域、３０ｂ…第二領域、３１…駆動手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一の画素電極と共通電極との間及び前記第二の画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように前記走査信号線が配置されると共に、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて配置され、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極との間の領域に、前記共通電極と対向させて、前記第一画素電極と前記第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加し、前記補助電極に、前記共通電極との電位差が、前記第一画素電極及び第二画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助電圧は、前記共通電極との電位差が、液晶分子を最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記補助電圧は、前記走査信号線に印加する走査信号のうちの前記第一及び第二薄膜トランジスタをオフさせる電圧値の直流電圧であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔よりも狭幅な形状に形成され、前記第一画素電極との間隔と、前記第二画素電極との間隔とが等しくなるように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔全体にわたる幅を有する形状に形成され、前記第一画素電極との重なり幅と、前記第二画素電極との重なり幅とが等しくなるように配置されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第一画素電極及び第二画素電極を覆って形成された第一配向膜と、前記共通電極を覆って形成された第二配向膜がそれぞれ、前記補助電極の延伸方向に対して交差する方向にラビングされていることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第二容量電極と前記第三容量電極は、その一方の容量電極が、前記第二画素電極の所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、他方の容量電極が、前記一方の容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１】
第一の薄膜トランジスタに接続された第一の画素電極と第二の薄膜トランジスタに接続された第二の画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一の薄膜トランジスタと前記第二の薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一の画素電極と共通電極との間及び前記第二の画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一の画素電極と前記第二の画素電極との間を延伸するように前記走査信号線が配置されると共に、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二容量電極との間に所定の間隔をあけて配置され、前記第二画素電極との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極との間の領域に、前記共通電極と対向させて、前記第一画素電極と前記第二画素電極の隣り合う辺に沿う方向に延伸するように配置された補助電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加し、前記補助電極に、前記共通電極との電位差が、前記第一画素電極及び第二画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧の最大値よりも大きい補助電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助電圧は、前記共通電極との電位差が、液晶分子を最大チルト角で立ち上がり配向させる電圧値以上の電圧であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記補助電圧は、前記走査信号線に印加する走査信号のうちの前記第一及び第二薄膜トランジスタをオフさせる電圧値の直流電圧であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔よりも狭幅な形状に形成され、前記第一画素電極との間隔と、前記第二画素電極との間隔とが等しくなるように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記一方の画素の第一画素電極と前記他方の画素の第二画素電極との間隔全体にわたる幅を有する形状に形成され、前記第一画素電極との重なり幅と、前記第二画素電極との重なり幅とが等しくなるように配置されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第一画素電極及び第二画素電極を覆って形成された第一配向膜と、前記共通電極を覆って形成された第二配向膜がそれぞれ、前記補助電極の延伸方向に対して交差する方向にラビングされていることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように形成されていることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第二容量電極と前記第三容量電極は、その一方の容量電極が、前記第二画素電極の所定の一辺に沿う方向に延伸し、且つ前記所定の一辺に重なるように形成され、他方の容量電極が、前記一方の容量電極との間に所定の間隔をあけて、前記第二画素電極の前記所定の一辺を除く他の辺に重なるように形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１１−１９７４５４（Ｐ２０１１−１９７４５４Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６４８６５（Ｐ２０１０−６４８６５）
【出願日】平成２２年３月１９日（２０１０．３．１９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１９日（２０１０．３．１９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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