液晶表示装置
【課題】発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成して、薄型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】発光素子10は、TFT4が設けられた第1の基板1に配置されている。このように、発光素子10は、液晶表示装置を構成する2枚の基板1,2のうちの一方の基板1に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。
【解決手段】発光素子10は、TFT4が設けられた第1の基板1に配置されている。このように、発光素子10は、液晶表示装置を構成する2枚の基板1,2のうちの一方の基板1に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、例えば、直下型のバックライトを有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、液晶表示装置は、液晶パネルと、この液晶パネルを照射するバックライト装置とを有している。
【0003】
上記液晶パネルは、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板とを有し、この両方の基板は、互いに平行に対向して配置され、この両方の基板の間には、液晶が充填されている。
【0004】
上記バックライト装置は、上記液晶パネルの直下に配置され、液晶パネルの基板とは別の基板と、この別の基板に配置された発光素子とを有していた(特開2009−181883号公報:特許文献1参照)。
【0005】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、バックライト装置の基板は、液晶パネルの基板とは別の基板を用いていたため、バックライト装置が厚くなって、液晶表示装置が厚くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2009−181883号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
そこで、この発明の課題は、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成して、薄型の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、この発明の液晶表示装置は、
光を透過する第1の基板と、
光を透過する第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板との間に充填されている液晶と、
上記第1の基板における上記液晶側と反対側の面に配置されている発光素子と
を備えることを特徴としている。
【0009】
ここで、この明細書では、例えば、上記第1の基板は、TFT(薄膜トランジスタ)基板またはカラーフィルタ基板の一方の基板であり、上記第2の基板は、TFT基板またはカラーフィルタ基板の他方の基板である。上記TFT基板には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられている。上記カラーフィルタ基板には、発光素子から発せられた光を遮るブラックマトリクスが設けられており、または、ブラックマトリクスに加えて、赤色、緑色および青色の着色層が設けられている。
【0010】
この発明の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、上記第1の基板に配置されているので、発光素子は、液晶表示装置を構成する2枚の基板のうちの一方の基板に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。
【0011】
したがって、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0012】
また、一実施形態の液晶表示装置では、
上記発光素子は、
棒状の第1導電型の半導体コアと、
上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層と
を有し、
上記発光素子は、上記発光素子の軸が上記第1の基板の上記面に略平行となるように、上記第1の基板に配置されている。
【0013】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子から発せられた光は、発光素子の軸を中心として360度方向に照射される。このため、発光素子を第1の基板上に配置させる工程において、上記軸を中心とした回転方向を制御する必要がない。したがって、発光素子の配列を容易に行うことが可能となる。
【0014】
また、上記発光素子は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子の体積当りの発光面積を大きくすることができる。このため、所望の光量を得るための発光素子のサイズを小さくし、発光素子の材料費を低減することができる。したがって、液晶表示装置のコストを低減することができる。
【0015】
また、一実施形態の液晶表示装置では、
上記第1の基板または上記第2の基板には、上記発光素子から発せられた光が通過する光通過領域が設けられ、
上記発光素子は、上記第1の基板の上記面に直交する方向からみて、上記光通過領域に重なる位置に配置され、上記発光素子は、上記光通過領域よりも小さい。
【0016】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記光通過領域に重なる位置に、この光通過領域よりも小さい上記発光素子を配置しているので、発光素子から発せられた光を効率良く利用することができる。すなわち、光通過領域に重ならない位置には発光素子を配置しないことにより、表示に寄与しない光の照射を抑えることができ、低消費電力化が図れる。
【0017】
また、1つの光通過領域に対して1つの発光素子を配置することができて、発光素子と光通過領域との位置関係を同じにできる。したがって、バックライトの光は画素ごとに一定で、輝度むらは生じない。これに対して、従来のバックライト装置では、発光素子の数量は、液晶パネルの画素数に対して一般的に少ない。このため、発光素子の位置と画素の位置との関係は、画素ごとに異なるため、発光素子からの光強度は画素ごとに異なり、バックライトの光に輝度むらが生じる。
【0018】
また、液晶パネルを形成する上記第1の基板と同一基板上に発光素子を形成しているため、上記光通過領域に合わせて、制御性良く発光素子を配置できる。すなわち、光通過領域と発光素子のアライメントを制御良く行うことができる。
【0019】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有する。
【0020】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有するので、発光素子から第1の基板の液晶側と反対の向きに照射された光を効率良く液晶に向かって反射させることができる。したがって、発光素子から発せられた光を効率良く利用することができる。
【0021】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されている。
【0022】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されているので、保護膜の膜厚および形状を調整することにより、第1の基板または第2の基板に設けられた光通過領域に無駄なく光を照射することができる。
【0023】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられている。
【0024】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられているので、発光素子から発せられた光は、TFTが形成された基板側から液晶に入射される。
【0025】
そして、TFTが形成されている基板の側から光を入射するという点で、一般的な液晶表示装置と同様である。それゆえ、液晶表示装置の構成を大きく変えることなく薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0026】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられている。
【0027】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられているので、発光素子から発せられた光は、TFTが形成された基板と反対の基板側から液晶に入射される。
【0028】
そして、発光素子とTFTとをそれぞれ別の基板上に形成することができるため、発光素子を配置する工程において、TFTにダメージを与えることを防ぐことができ、または、TFTを形成する工程において、発光素子にダメージを与えることを防ぐことができる。
【発明の効果】
【0029】
この発明の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、上記第1の基板に配置されているので、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明の液晶表示装置の第1実施形態を示す簡略断面図である。
【図2】発光素子の斜視図である。
【図3A】発光素子の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図3B】発光素子の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図3C】発光素子の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図3D】発光素子の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図3E】発光素子の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図4】液晶表示装置の電極を示す平面図である。
【図5】発光素子を電極に配列する方法を示すと共に図4のA−A線から見た断面図である。
【図6】発光素子を電極に配列した状態を示す平面図である。
【図7】発光素子を電極に配列した状態を示すと共に図6のB−B線から見た断面図である。
【図8】発光素子に反射膜を設けた状態を示す断面図である。
【図9】比較例を示す断面図である。
【図10】本発明の液晶表示装置の第2実施形態を示す簡略断面図である。
【図11】本発明の液晶表示装置の第3実施形態を示す簡略断面図である。
【図12】発光素子を電極に配列した状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0032】
(第1の実施形態)
図1は、この発明の液晶表示装置の第1実施形態である断面図を示している。図1に示すように、この液晶表示装置は、光を透過する第1の基板1と、光を透過する第2の基板2とを有する。第1の基板1と第2の基板2とは、互いに平行に対向して配置され、この両方の基板1,2の間には、液晶3が充填されている。第1の基板1、第2の基板2および液晶3は、液晶パネルを構成する。
【0033】
上記第1の基板1の液晶3側(下側)の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(以下、TFTという)4が設けられている。つまり、第1の基板1は、TFT基板である。
【0034】
上記TFT4は、第1の基板1側から順に配置されたゲート電極41、(アモルファスシリコン等からなる)半導体膜42、ソース電極43およびドレイン電極44を有する。ゲート電極41と半導体膜42との間には、窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜45が設けられている。ソース電極43とドレイン電極44とは、ゲート電極41下の半導体膜42の両側に相互に離隔して形成されている。ドレイン電極44は、コンタクトホールを介して、画素電極46に接続されている。
【0035】
上記TFT4は、ゲート電極41より供給される走査信号電圧によってオン/オフ制御される。また、ソース電極43より供給される画像表示信号電圧は、ドレイン電極44を介して画素電極46に供給される。
【0036】
上記TFT4は、ゲート絶縁膜45の下側に形成された絶縁膜47に覆われている。この絶縁膜47は、感光性樹脂からなり、ソース電極43と画素電極46との間に配置されて両電極間を絶縁する。画素電極46は、画素領域毎に、マトリクス状に形成されている。画素電極46は、例えばITO(indium-tin oxide:インジウム酸化スズ)等の透明導電体により形成されている。この画素電極46の下側には図示しない配向膜が形成され、液晶3がこの配向膜により所定の方向に配向規制される。
【0037】
上記第1の基板1における液晶3側と反対側(上側)の面に、第1の偏光膜17を介して、発光素子10が配置されている。発光素子10上に透明な保護膜8が積層され、この保護膜8上に反射膜9が積層されている。
【0038】
上記反射膜9は、発光素子10から発せられた光を第1の基板1側に反射させる。この反射膜9によって、発光素子10から第1の基板1の液晶3側と反対の向きに照射された光を効率良く液晶3に向かって反射させることができる。したがって、発光素子10から発せられた光を効率良く利用することができる。
【0039】
上記発光素子10は、例えば、青色のLED発光素子であり、この発光素子10上に、黄色の蛍光を発する蛍光体13で覆うことで、白色のバックライト部を構成する。上記保護膜8は、例えば樹脂などからなり、上記反射膜9は、例えばアルミニウムなどからなる。
【0040】
上記発光素子10は、棒状構造の発光素子であり、発光素子10の軸が第1の基板1の上面に略平行となるように、第1の基板1に配置されている。
【0041】
図2に示すように、上記発光素子10は、棒状の第1導電型の半導体コア11と、半導体コア11を覆うように形成された第2導電型の半導体層12とを有する。半導体コア11は、n型GaNからなり、断面六角形の棒状に形成されている。半導体層12は、p型GaNからなっている。半導体コア11は、一端側の外周面が露出する露出部分11aが形成されている。半導体コア11の他端側の端面は、半導体層12に覆われている。
【0042】
上記半導体コア11の露出部分11aにn側電極(図7の第2の電極52)が接続され、上記半導体層12にp側電極(図7の第1の電極51)が接続されて、半導体コア11の外周面と半導体層12の内周面とのpn接合部で電子と正孔の再結合が起きるようにp側電極からn側電極に電流を流すことにより、pn接合部から光が放出される。この発光素子10では、半導体層12で覆われた半導体コア11の全周から光が放出されることにより発光領域が広くなるので、発光効率が高い。
【0043】
ここで、上記発光素子10とは、例えば直径が1μmで長さ10μm〜30μmのマイクロオーダーサイズや、直径または長さのうちの少なくとも直径が1μm未満のナノオーダーサイズの素子である。
【0044】
上記発光素子10から発せられた光は、発光素子10の軸を中心として360度方向に照射される。このため、発光素子10を第1の基板1上に配置させる工程において、上記軸を中心とした回転方向を制御する必要がない。したがって、発光素子10の配列を容易に行うことが可能となる。
【0045】
また、上記発光素子10は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子10の体積当りの発光面積を大きくすることができる。このため、所望の光量を得るための発光素子10のサイズを小さくし、発光素子10の材料費を低減することができる。したがって、液晶表示装置のコストを低減することができる。
【0046】
ここで、上記発光素子10の製造方法を説明する。この実施形態では、Siをドープしたn型GaNとMgをドープしたp型GaNとを用いるが、GaNにドーピングする不純物はこれに限らない。
【0047】
まず、図3Aに示すように、n型GaNからなる基板21上に、成長穴22aを有するマスク22を形成する。マスク22には、酸化シリコン(SiO2)あるいは窒化シリコン(Si3N4)など半導体コアおよび半導体層に対して選択的にエッチング可能な材料を用いることができる。成長穴22aの形成は、通常の半導体プロセスに使用する公知のリソグラフィー法とドライエッチング法が利用できる。この際、成長する半導体コアの径は上記マスク22の成長穴22aのサイズに依存する。
【0048】
その後、図3Bに示すように、半導体コア形成工程において、マスク22の成長穴22aにより露出した基板21上に、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)装置を用いて、n型GaNを結晶成長させて棒状の半導体コア11を形成する。成長温度を950℃程度に設定し、成長ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)およびアンモニア(NH3)を使用し、n型不純物供給用にシラン(SiH4)を、さらにキャリアガスとして水素(H2)を供給することによって、Siを不純物としたn型GaNの半導体コアを成長させることができる。ここで、n型GaNは、六方晶系の結晶成長となり、基板21表面に対して垂直方向を軸方向にして成長させることにより、六角柱形状の半導体コアが得られる。
【0049】
その後、図3Cに示すように、半導体層形成工程において、棒状の半導体コア11を覆うようにマスク22全面にp型GaNからなる半導体層12を形成する。形成温度を960℃程度に設定し、成長ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)およびアンモニア(NH3)を、p型不純物供給用にビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることによってマグネシウム(Mg)を不純物とするp型GaNを成長させることができる。
【0050】
その後、図3Dに示すように、露出工程において、リフトオフにより半導体コア11を覆う半導体層12の部分を除く領域とマスク22を除去して、棒状の半導体コア11の基板21側に基板側の外周面を露出させて露出部分11aを形成する。この状態で、上記半導体コア11の基板21と反対の側の端面は、半導体層12により覆われている。
【0051】
上記マスク22を酸化シリコン(SiO2)あるいは窒化シリコン(Si3N4)で構成している場合、フッ酸(HF)を含んだ溶液を用いることにより、容易に半導体コア11および半導体コア11を覆う半導体層12部分に影響を与えずにマスク22をエッチングすることができ、マスク22とともに半導体コア11を覆う半導体層12の部分を除く領域をリフトオフにより除去することができる。この実施形態の露出工程では、リフトオフを用いたがエッチングにより半導体コア11の一部を露出させてもよい。ドライエッチングの場合、CF4やXeF2を用いることにより、容易に半導体コア11および半導体コア11を覆う半導体層12部分に影響を与えずにマスク22をエッチングすることができ、マスク22とともに半導体コアを覆う半導体層12の部分を除く領域を除去することができる。
【0052】
その後、切り離し工程において、イソプロピルアルコール(IPA)水溶液中に基板を浸し、超音波(例えば数10KHz)を用いて基板21を基板平面に沿って振動させることにより、基板21上に立設する半導体コア11の基板21側に近い根元を折り曲げるように、半導体層12に覆われた半導体コア11に対して応力が働いて、図3Eに示すように、半導体層12に覆われた半導体コア11が基板21から切り離される。
【0053】
こうして、基板21から切り離なされた微細な棒状構造の発光素子10を製造することができる。例えば、直径が1μmであり、長さが10μmである発光素子10を製造できる。
【0054】
図1に示すように、上記第2の基板2の液晶3側(上側)の面には、ブラックマトリクス5および着色層6が設けられている。つまり、第2の基板2は、カラーフィルタ基板である。
【0055】
上記ブラックマトリクス5は、発光素子10から発せられた光を遮る。このブラックマトリクス5により、第1の基板1のTFT4が形成された領域が遮光されるようになっている。
【0056】
上記着色層6は、赤色、緑色、青色の何れか一色に着色されている。画素毎に、赤色、緑色、青色の何れか一色の着色層6が形成されている。この実施の形態では、水平方向に赤色、緑色、青色の着色層6が順番に繰り返し並んでいる。
【0057】
上記着色層6の上には、各画素共通の対向電極7が形成されている。この対向電極7も、ITO等の透明導電体により形成されている。また、対向電極7の上側には図示しない配向膜が形成され、液晶3がこの配向膜により所定の方向に配向規制される。第2の基板2の下側の面には、第2の偏光膜27が設けられている。
【0058】
上記第2の基板2には、発光素子10から発せられた光が通過する光通過領域Zが設けられている。この光通過領域Zは、ブラックマトリクス5を除く領域、つまり着色層6の領域に相当する。そして、発光素子10から発せられた光は、光通過領域Zを介して、第2の偏光膜27から外部に出射する。
【0059】
上記発光素子10は、第1の基板1の上面に直交する方向からみて、光通過領域Zに重なる位置に配置され、発光素子10は、光通過領域Zよりも小さい。このため、発光素子10から発せられた光を効率良く利用することができる。すなわち、光通過領域Zに重ならない位置には発光素子10を配置しないことにより、表示に寄与しない光の照射を抑えることができ、低消費電力化が図れる。
【0060】
また、1つの光通過領域Zに対して1つの発光素子10または複数の発光素子10を配置することができて、発光素子10と光通過領域Zとの位置関係を同じにできる。したがって、発光素子10にて構成されるバックライト部の光は画素ごとに一定で、輝度むらは生じない。これに対して、従来のバックライト装置では、発光素子10の数量は、液晶パネルの画素数に対して一般的に少ない。このため、発光素子10の位置と画素の位置との関係は、画素ごとに異なるため、発光素子10からの光強度は画素ごとに異なり、バックライトの光に輝度むらが生じる。
【0061】
また、液晶パネルを形成する上記第1の基板1と同一基板上に発光素子10を形成しているため、上記光通過領域Zに合わせて、制御性良く発光素子を配置できる。すなわち、光通過領域Zと発光素子10のアライメントを制御良く行うことができる。
【0062】
次に、上記構成の液晶表示装置の作成方法について説明する。
【0063】
まず、第1の工程において、例えば、本願出願人の出願した特開2008−304538公報に示されるように一般的に知られている通常の工程で、液晶パネルを作成する。なお、詳細については、特開2008−304538公報と同じであるため、省略する。
【0064】
つまり、図1に示すように、第1の基板1に、ゲート電極41、ゲート絶縁膜45、半導体膜42、ソース電極43、ドレイン電極44、絶縁膜47および画素電極46を形成して、TFT4を形成する。第2の基板2に、ブラックマトリクス5、着色層6および対向電極7を形成する。そして、第1の基板1と第2の基板2とを張り合わせ、第1の基板1と第2の基板2との間に液晶3を注入する。第1の基板1の液晶3側と反対側の面に、第1の偏光膜17を形成し、第2の基板2の液晶3側と反対側の面に、第2の偏光膜27を形成する。このようにして、液晶パネルを作成する。
【0065】
その後、第2の工程において、上記液晶パネルの第1の基板1上にバックライト部を形成する。
【0066】
つまり、図4に示すように、第1の基板1上に形成した第1の偏光膜17上に、第1の電極51および第2の電極52を形成する。第1の電極51および第2の電極52は、上記液晶パネルの光通過領域Zに対応する位置で、第1の電極51と第2の電極52との間の距離が短くなるように形成される。このようにすると、以下の工程(発光素子10を配置する工程)で、第1の電極51と第2の電極52との間に交流電圧を印加した際、電極間の距離が短い部分のみに、発光素子10を配置することができる。
【0067】
そして、本願出願人の出願した特開2008−260073号公報に示される方法で、発光素子10を電極51,52に配列する。つまり、図5に示すように、図3A〜図3Eに示す方法で作成した発光素子10をイソプロピルアルコール61に含ませ、この発光素子10を含んだイソプロピルアルコール61を第1の偏光膜17上に薄く塗布する。そして、第1の電極51と第2の電極52との間に交流電圧を加えて、図6に示すように、発光素子10を配列する。なお、詳細については、特開2008−260073公報と同じであるため、省略する。
【0068】
その後、図7に示すように、配列した発光素子10の両端部を第1の電極51および第2の電極52に接続する。このとき、発光素子10は、導電性接着剤71によって、電極51,52に固定される。
【0069】
ここで、上記発光素子10は、第1の電極51および第2の電極52間に交流電圧を印加することにより駆動する。そのため、この電極51、52に対して発光素子10の極性が統一されていなくても、複数の発光素子10を均一に発光させることができる。したがって、発光素子10の極性を統一するための制御をする必要がないため、製造工程が複雑になるのを防ぐことができる。
【0070】
その後、図8に示すように、蛍光体13をインクジェット方式などにより発光素子10上に形成する。この蛍光体13の厚さは、例えば10um〜200um程度である。蛍光体13は、例えば、黄色に着色され、青色に発光する発光素子10とともに、白色のバックライト部を形成する。
【0071】
その後、図8に示すように、樹脂などからなる透明な保護膜8を形成して、この保護膜8上に、アルミニウムなどからなる反射膜9を積層する。この保護膜8の膜厚および形状を調整することにより、矢印の光路に示すように、光通過領域Zに無駄なく光を照射することができる。ここで、比較例として、図9に示すように、反射膜9Aを保護膜8に積層しないで第1の基板1に平行な板状に形成すると、矢印の光路に示すように、光通過領域Zに発光素子10から出た光を集め難くなる。つまり、光通過領域Z以外にも光が反射されることになって、光の利用効率が悪くなる。
【0072】
このようにして、上記液晶パネル上に、発光素子10、保護膜8および反射膜9から構成されるバックライト部を形成する。
【0073】
上記構成の液晶表示装置によれば、上記発光素子10は、上記第1の基板1に配置されているので、発光素子10は、液晶表示装置を構成する2枚の基板のうちの一方の基板に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。したがって、発光素子10にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0074】
また、上記第1の基板1の上記液晶3側の面に、スイッチング素子としてのTFT4が設けられているので、発光素子10から発せられた光は、TFT4が形成された基板1側から液晶3に入射される。TFT4が形成されている基板1の側から光を入射するという点で、一般的な液晶表示装置と同様である。それゆえ、液晶表示装置の構成を大きく変えることなく薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0075】
(第2の実施形態)
図10は、この発明の液晶表示装置の第2の実施形態を示している。上記第1の実施形態と相違する点を説明すると、この第2の実施形態では、第1の基板1は、カラーフィルタ基板であり、第2の基板2は、TFT基板である。なお、この第2の実施形態において、上記第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【0076】
図10に示すように、第1の基板1の液晶3側(下側)の面には、ブラックマトリクス5および着色層6が設けられている。この着色層6は、光通過領域Zを形成する。このように、発光素子10は、カラーフィルタ基板と同一の基板上に設けられている。
【0077】
一方、第2の基板2の液晶3側(上側)の面に、スイッチング素子としてのTFT4が設けられている。このため、発光素子10から発せられた光は、TFT4が形成された基板2と反対の基板1側から液晶に入射される。そして、発光素子10とTFT4とをそれぞれ別の基板上に形成することができるため、発光素子10を配置する工程において、TFT4にダメージを与えることを防ぐことができ、または、TFT4を形成する工程において、発光素子10にダメージを与えることを防ぐことができる。
【0078】
(第3の実施形態)
図11は、この発明の液晶表示装置の第3の実施形態を示している。上記第1の実施形態と相違する点を説明すると、この第3の実施形態では、発光素子10A,10B,10Cが3種類存在し、図1の着色層6が存在しない。なお、この第3の実施形態において、上記第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【0079】
図11に示すように、第1の発光素子10Aは、赤色の光を発し、第2の発光素子10Bは、緑色の光を発し、第3の発光素子10Cは、青色の光を発する。このため、各発光素子10A,10B,10Cの直下の光通過領域Zには、着色層6を設ける必要がない。つまり、第2の基板2の液晶3側(上側)の面には、ブラックマトリクス5のみが設けられ、第2の基板2は、遮光の機能を有するフィルタ基板となる。
【0080】
そして、図12に示すように、発光素子10A,10B,10Cが3種類あるため、4つの電極51A,52A,53A,54Aが必要になる。つまり、各発光素子10A,10B,10Cの一端は、第1の電極51Aに接続され、第1の発光素子10Aの他端は、第2の電極52Aに接続され、第2の発光素子10Bの他端は、第3の電極53Aに接続され、第3の発光素子10Cの他端は、第4の電極54Aに接続される。各電極51A,52A,53A,54Aは、駆動電極を兼ねる。
【0081】
なお、この第3の実施形態では、上記第1の実施形態の発光素子を3種類としかつ着色層を省略したが、上記第2の実施形態の発光素子を3種類としかつ着色層を省略するようにしてもよい。
【0082】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、上記第1から上記第3の実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。また、発光素子として、上記実施形態に示すいわゆる筒状の発光層を有する発光素子以外に、平面状の発光層を有する通常の発光素子を用いてもよい。
【0083】
また、上記第1から上記第3の実施形態では、半導体コア11の一端側の外周面が露出した露出部分11aを有する発光素子について説明したが、これに限らず、半導体コアの両端の外周面が露出した露出部分を有するものでもよいし、半導体コアの中央部分の外周面が露出した露出部分を有するものでもよい。
【0084】
また、上記第1から上記第3の実施形態では、半導体コア11と半導体層12に、GaNを母材とする半導体を用いたが、GaAs,AlGaAs,GaAsP,InGaN,AlGaN,GaP,ZnSe,AlGaInPなどを母材とする半導体を用いた発光素子にこの発明を適用してもよい。また、半導体コアをn型とし、半導体層をp型としたが、導電型が逆の発光素子にこの発明を適用してもよい。また、六角柱形状の半導体コアを有する発光素子について説明したが、これに限らず、断面が円形または楕円の棒状であってもよいし、断面が三角形などの他の多角形状の棒状の半導体コアを有する発光素子にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【0085】
1 第1の基板
2 第2の基板
3 液晶
4 TFT(薄膜トランジスタ)
5 ブラックマトリクス
6 着色層
8 保護膜
9 反射膜
10、10A,10B,10C 発光素子
11 半導体コア
11a 露出部分
12 半導体層
13 蛍光体
51,52,51A,52A,53A,54A 電極
Z 光通過領域
【技術分野】
【0001】
この発明は、例えば、直下型のバックライトを有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、液晶表示装置は、液晶パネルと、この液晶パネルを照射するバックライト装置とを有している。
【0003】
上記液晶パネルは、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板とを有し、この両方の基板は、互いに平行に対向して配置され、この両方の基板の間には、液晶が充填されている。
【0004】
上記バックライト装置は、上記液晶パネルの直下に配置され、液晶パネルの基板とは別の基板と、この別の基板に配置された発光素子とを有していた(特開2009−181883号公報:特許文献1参照)。
【0005】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、バックライト装置の基板は、液晶パネルの基板とは別の基板を用いていたため、バックライト装置が厚くなって、液晶表示装置が厚くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2009−181883号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
そこで、この発明の課題は、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成して、薄型の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、この発明の液晶表示装置は、
光を透過する第1の基板と、
光を透過する第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板との間に充填されている液晶と、
上記第1の基板における上記液晶側と反対側の面に配置されている発光素子と
を備えることを特徴としている。
【0009】
ここで、この明細書では、例えば、上記第1の基板は、TFT(薄膜トランジスタ)基板またはカラーフィルタ基板の一方の基板であり、上記第2の基板は、TFT基板またはカラーフィルタ基板の他方の基板である。上記TFT基板には、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられている。上記カラーフィルタ基板には、発光素子から発せられた光を遮るブラックマトリクスが設けられており、または、ブラックマトリクスに加えて、赤色、緑色および青色の着色層が設けられている。
【0010】
この発明の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、上記第1の基板に配置されているので、発光素子は、液晶表示装置を構成する2枚の基板のうちの一方の基板に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。
【0011】
したがって、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0012】
また、一実施形態の液晶表示装置では、
上記発光素子は、
棒状の第1導電型の半導体コアと、
上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層と
を有し、
上記発光素子は、上記発光素子の軸が上記第1の基板の上記面に略平行となるように、上記第1の基板に配置されている。
【0013】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子から発せられた光は、発光素子の軸を中心として360度方向に照射される。このため、発光素子を第1の基板上に配置させる工程において、上記軸を中心とした回転方向を制御する必要がない。したがって、発光素子の配列を容易に行うことが可能となる。
【0014】
また、上記発光素子は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子の体積当りの発光面積を大きくすることができる。このため、所望の光量を得るための発光素子のサイズを小さくし、発光素子の材料費を低減することができる。したがって、液晶表示装置のコストを低減することができる。
【0015】
また、一実施形態の液晶表示装置では、
上記第1の基板または上記第2の基板には、上記発光素子から発せられた光が通過する光通過領域が設けられ、
上記発光素子は、上記第1の基板の上記面に直交する方向からみて、上記光通過領域に重なる位置に配置され、上記発光素子は、上記光通過領域よりも小さい。
【0016】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記光通過領域に重なる位置に、この光通過領域よりも小さい上記発光素子を配置しているので、発光素子から発せられた光を効率良く利用することができる。すなわち、光通過領域に重ならない位置には発光素子を配置しないことにより、表示に寄与しない光の照射を抑えることができ、低消費電力化が図れる。
【0017】
また、1つの光通過領域に対して1つの発光素子を配置することができて、発光素子と光通過領域との位置関係を同じにできる。したがって、バックライトの光は画素ごとに一定で、輝度むらは生じない。これに対して、従来のバックライト装置では、発光素子の数量は、液晶パネルの画素数に対して一般的に少ない。このため、発光素子の位置と画素の位置との関係は、画素ごとに異なるため、発光素子からの光強度は画素ごとに異なり、バックライトの光に輝度むらが生じる。
【0018】
また、液晶パネルを形成する上記第1の基板と同一基板上に発光素子を形成しているため、上記光通過領域に合わせて、制御性良く発光素子を配置できる。すなわち、光通過領域と発光素子のアライメントを制御良く行うことができる。
【0019】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有する。
【0020】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有するので、発光素子から第1の基板の液晶側と反対の向きに照射された光を効率良く液晶に向かって反射させることができる。したがって、発光素子から発せられた光を効率良く利用することができる。
【0021】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されている。
【0022】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されているので、保護膜の膜厚および形状を調整することにより、第1の基板または第2の基板に設けられた光通過領域に無駄なく光を照射することができる。
【0023】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられている。
【0024】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられているので、発光素子から発せられた光は、TFTが形成された基板側から液晶に入射される。
【0025】
そして、TFTが形成されている基板の側から光を入射するという点で、一般的な液晶表示装置と同様である。それゆえ、液晶表示装置の構成を大きく変えることなく薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0026】
また、一実施形態の液晶表示装置では、上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられている。
【0027】
この実施形態の液晶表示装置によれば、上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)が設けられているので、発光素子から発せられた光は、TFTが形成された基板と反対の基板側から液晶に入射される。
【0028】
そして、発光素子とTFTとをそれぞれ別の基板上に形成することができるため、発光素子を配置する工程において、TFTにダメージを与えることを防ぐことができ、または、TFTを形成する工程において、発光素子にダメージを与えることを防ぐことができる。
【発明の効果】
【0029】
この発明の液晶表示装置によれば、上記発光素子は、上記第1の基板に配置されているので、発光素子にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明の液晶表示装置の第1実施形態を示す簡略断面図である。
【図2】発光素子の斜視図である。
【図3A】発光素子の製造方法の第1工程を示す断面図である。
【図3B】発光素子の製造方法の第2工程を示す断面図である。
【図3C】発光素子の製造方法の第3工程を示す断面図である。
【図3D】発光素子の製造方法の第4工程を示す断面図である。
【図3E】発光素子の製造方法の第5工程を示す断面図である。
【図4】液晶表示装置の電極を示す平面図である。
【図5】発光素子を電極に配列する方法を示すと共に図4のA−A線から見た断面図である。
【図6】発光素子を電極に配列した状態を示す平面図である。
【図7】発光素子を電極に配列した状態を示すと共に図6のB−B線から見た断面図である。
【図8】発光素子に反射膜を設けた状態を示す断面図である。
【図9】比較例を示す断面図である。
【図10】本発明の液晶表示装置の第2実施形態を示す簡略断面図である。
【図11】本発明の液晶表示装置の第3実施形態を示す簡略断面図である。
【図12】発光素子を電極に配列した状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0032】
(第1の実施形態)
図1は、この発明の液晶表示装置の第1実施形態である断面図を示している。図1に示すように、この液晶表示装置は、光を透過する第1の基板1と、光を透過する第2の基板2とを有する。第1の基板1と第2の基板2とは、互いに平行に対向して配置され、この両方の基板1,2の間には、液晶3が充填されている。第1の基板1、第2の基板2および液晶3は、液晶パネルを構成する。
【0033】
上記第1の基板1の液晶3側(下側)の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(以下、TFTという)4が設けられている。つまり、第1の基板1は、TFT基板である。
【0034】
上記TFT4は、第1の基板1側から順に配置されたゲート電極41、(アモルファスシリコン等からなる)半導体膜42、ソース電極43およびドレイン電極44を有する。ゲート電極41と半導体膜42との間には、窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜45が設けられている。ソース電極43とドレイン電極44とは、ゲート電極41下の半導体膜42の両側に相互に離隔して形成されている。ドレイン電極44は、コンタクトホールを介して、画素電極46に接続されている。
【0035】
上記TFT4は、ゲート電極41より供給される走査信号電圧によってオン/オフ制御される。また、ソース電極43より供給される画像表示信号電圧は、ドレイン電極44を介して画素電極46に供給される。
【0036】
上記TFT4は、ゲート絶縁膜45の下側に形成された絶縁膜47に覆われている。この絶縁膜47は、感光性樹脂からなり、ソース電極43と画素電極46との間に配置されて両電極間を絶縁する。画素電極46は、画素領域毎に、マトリクス状に形成されている。画素電極46は、例えばITO(indium-tin oxide:インジウム酸化スズ)等の透明導電体により形成されている。この画素電極46の下側には図示しない配向膜が形成され、液晶3がこの配向膜により所定の方向に配向規制される。
【0037】
上記第1の基板1における液晶3側と反対側(上側)の面に、第1の偏光膜17を介して、発光素子10が配置されている。発光素子10上に透明な保護膜8が積層され、この保護膜8上に反射膜9が積層されている。
【0038】
上記反射膜9は、発光素子10から発せられた光を第1の基板1側に反射させる。この反射膜9によって、発光素子10から第1の基板1の液晶3側と反対の向きに照射された光を効率良く液晶3に向かって反射させることができる。したがって、発光素子10から発せられた光を効率良く利用することができる。
【0039】
上記発光素子10は、例えば、青色のLED発光素子であり、この発光素子10上に、黄色の蛍光を発する蛍光体13で覆うことで、白色のバックライト部を構成する。上記保護膜8は、例えば樹脂などからなり、上記反射膜9は、例えばアルミニウムなどからなる。
【0040】
上記発光素子10は、棒状構造の発光素子であり、発光素子10の軸が第1の基板1の上面に略平行となるように、第1の基板1に配置されている。
【0041】
図2に示すように、上記発光素子10は、棒状の第1導電型の半導体コア11と、半導体コア11を覆うように形成された第2導電型の半導体層12とを有する。半導体コア11は、n型GaNからなり、断面六角形の棒状に形成されている。半導体層12は、p型GaNからなっている。半導体コア11は、一端側の外周面が露出する露出部分11aが形成されている。半導体コア11の他端側の端面は、半導体層12に覆われている。
【0042】
上記半導体コア11の露出部分11aにn側電極(図7の第2の電極52)が接続され、上記半導体層12にp側電極(図7の第1の電極51)が接続されて、半導体コア11の外周面と半導体層12の内周面とのpn接合部で電子と正孔の再結合が起きるようにp側電極からn側電極に電流を流すことにより、pn接合部から光が放出される。この発光素子10では、半導体層12で覆われた半導体コア11の全周から光が放出されることにより発光領域が広くなるので、発光効率が高い。
【0043】
ここで、上記発光素子10とは、例えば直径が1μmで長さ10μm〜30μmのマイクロオーダーサイズや、直径または長さのうちの少なくとも直径が1μm未満のナノオーダーサイズの素子である。
【0044】
上記発光素子10から発せられた光は、発光素子10の軸を中心として360度方向に照射される。このため、発光素子10を第1の基板1上に配置させる工程において、上記軸を中心とした回転方向を制御する必要がない。したがって、発光素子10の配列を容易に行うことが可能となる。
【0045】
また、上記発光素子10は、棒状構造の発光素子であるので、発光素子10の体積当りの発光面積を大きくすることができる。このため、所望の光量を得るための発光素子10のサイズを小さくし、発光素子10の材料費を低減することができる。したがって、液晶表示装置のコストを低減することができる。
【0046】
ここで、上記発光素子10の製造方法を説明する。この実施形態では、Siをドープしたn型GaNとMgをドープしたp型GaNとを用いるが、GaNにドーピングする不純物はこれに限らない。
【0047】
まず、図3Aに示すように、n型GaNからなる基板21上に、成長穴22aを有するマスク22を形成する。マスク22には、酸化シリコン(SiO2)あるいは窒化シリコン(Si3N4)など半導体コアおよび半導体層に対して選択的にエッチング可能な材料を用いることができる。成長穴22aの形成は、通常の半導体プロセスに使用する公知のリソグラフィー法とドライエッチング法が利用できる。この際、成長する半導体コアの径は上記マスク22の成長穴22aのサイズに依存する。
【0048】
その後、図3Bに示すように、半導体コア形成工程において、マスク22の成長穴22aにより露出した基板21上に、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)装置を用いて、n型GaNを結晶成長させて棒状の半導体コア11を形成する。成長温度を950℃程度に設定し、成長ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)およびアンモニア(NH3)を使用し、n型不純物供給用にシラン(SiH4)を、さらにキャリアガスとして水素(H2)を供給することによって、Siを不純物としたn型GaNの半導体コアを成長させることができる。ここで、n型GaNは、六方晶系の結晶成長となり、基板21表面に対して垂直方向を軸方向にして成長させることにより、六角柱形状の半導体コアが得られる。
【0049】
その後、図3Cに示すように、半導体層形成工程において、棒状の半導体コア11を覆うようにマスク22全面にp型GaNからなる半導体層12を形成する。形成温度を960℃程度に設定し、成長ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)およびアンモニア(NH3)を、p型不純物供給用にビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることによってマグネシウム(Mg)を不純物とするp型GaNを成長させることができる。
【0050】
その後、図3Dに示すように、露出工程において、リフトオフにより半導体コア11を覆う半導体層12の部分を除く領域とマスク22を除去して、棒状の半導体コア11の基板21側に基板側の外周面を露出させて露出部分11aを形成する。この状態で、上記半導体コア11の基板21と反対の側の端面は、半導体層12により覆われている。
【0051】
上記マスク22を酸化シリコン(SiO2)あるいは窒化シリコン(Si3N4)で構成している場合、フッ酸(HF)を含んだ溶液を用いることにより、容易に半導体コア11および半導体コア11を覆う半導体層12部分に影響を与えずにマスク22をエッチングすることができ、マスク22とともに半導体コア11を覆う半導体層12の部分を除く領域をリフトオフにより除去することができる。この実施形態の露出工程では、リフトオフを用いたがエッチングにより半導体コア11の一部を露出させてもよい。ドライエッチングの場合、CF4やXeF2を用いることにより、容易に半導体コア11および半導体コア11を覆う半導体層12部分に影響を与えずにマスク22をエッチングすることができ、マスク22とともに半導体コアを覆う半導体層12の部分を除く領域を除去することができる。
【0052】
その後、切り離し工程において、イソプロピルアルコール(IPA)水溶液中に基板を浸し、超音波(例えば数10KHz)を用いて基板21を基板平面に沿って振動させることにより、基板21上に立設する半導体コア11の基板21側に近い根元を折り曲げるように、半導体層12に覆われた半導体コア11に対して応力が働いて、図3Eに示すように、半導体層12に覆われた半導体コア11が基板21から切り離される。
【0053】
こうして、基板21から切り離なされた微細な棒状構造の発光素子10を製造することができる。例えば、直径が1μmであり、長さが10μmである発光素子10を製造できる。
【0054】
図1に示すように、上記第2の基板2の液晶3側(上側)の面には、ブラックマトリクス5および着色層6が設けられている。つまり、第2の基板2は、カラーフィルタ基板である。
【0055】
上記ブラックマトリクス5は、発光素子10から発せられた光を遮る。このブラックマトリクス5により、第1の基板1のTFT4が形成された領域が遮光されるようになっている。
【0056】
上記着色層6は、赤色、緑色、青色の何れか一色に着色されている。画素毎に、赤色、緑色、青色の何れか一色の着色層6が形成されている。この実施の形態では、水平方向に赤色、緑色、青色の着色層6が順番に繰り返し並んでいる。
【0057】
上記着色層6の上には、各画素共通の対向電極7が形成されている。この対向電極7も、ITO等の透明導電体により形成されている。また、対向電極7の上側には図示しない配向膜が形成され、液晶3がこの配向膜により所定の方向に配向規制される。第2の基板2の下側の面には、第2の偏光膜27が設けられている。
【0058】
上記第2の基板2には、発光素子10から発せられた光が通過する光通過領域Zが設けられている。この光通過領域Zは、ブラックマトリクス5を除く領域、つまり着色層6の領域に相当する。そして、発光素子10から発せられた光は、光通過領域Zを介して、第2の偏光膜27から外部に出射する。
【0059】
上記発光素子10は、第1の基板1の上面に直交する方向からみて、光通過領域Zに重なる位置に配置され、発光素子10は、光通過領域Zよりも小さい。このため、発光素子10から発せられた光を効率良く利用することができる。すなわち、光通過領域Zに重ならない位置には発光素子10を配置しないことにより、表示に寄与しない光の照射を抑えることができ、低消費電力化が図れる。
【0060】
また、1つの光通過領域Zに対して1つの発光素子10または複数の発光素子10を配置することができて、発光素子10と光通過領域Zとの位置関係を同じにできる。したがって、発光素子10にて構成されるバックライト部の光は画素ごとに一定で、輝度むらは生じない。これに対して、従来のバックライト装置では、発光素子10の数量は、液晶パネルの画素数に対して一般的に少ない。このため、発光素子10の位置と画素の位置との関係は、画素ごとに異なるため、発光素子10からの光強度は画素ごとに異なり、バックライトの光に輝度むらが生じる。
【0061】
また、液晶パネルを形成する上記第1の基板1と同一基板上に発光素子10を形成しているため、上記光通過領域Zに合わせて、制御性良く発光素子を配置できる。すなわち、光通過領域Zと発光素子10のアライメントを制御良く行うことができる。
【0062】
次に、上記構成の液晶表示装置の作成方法について説明する。
【0063】
まず、第1の工程において、例えば、本願出願人の出願した特開2008−304538公報に示されるように一般的に知られている通常の工程で、液晶パネルを作成する。なお、詳細については、特開2008−304538公報と同じであるため、省略する。
【0064】
つまり、図1に示すように、第1の基板1に、ゲート電極41、ゲート絶縁膜45、半導体膜42、ソース電極43、ドレイン電極44、絶縁膜47および画素電極46を形成して、TFT4を形成する。第2の基板2に、ブラックマトリクス5、着色層6および対向電極7を形成する。そして、第1の基板1と第2の基板2とを張り合わせ、第1の基板1と第2の基板2との間に液晶3を注入する。第1の基板1の液晶3側と反対側の面に、第1の偏光膜17を形成し、第2の基板2の液晶3側と反対側の面に、第2の偏光膜27を形成する。このようにして、液晶パネルを作成する。
【0065】
その後、第2の工程において、上記液晶パネルの第1の基板1上にバックライト部を形成する。
【0066】
つまり、図4に示すように、第1の基板1上に形成した第1の偏光膜17上に、第1の電極51および第2の電極52を形成する。第1の電極51および第2の電極52は、上記液晶パネルの光通過領域Zに対応する位置で、第1の電極51と第2の電極52との間の距離が短くなるように形成される。このようにすると、以下の工程(発光素子10を配置する工程)で、第1の電極51と第2の電極52との間に交流電圧を印加した際、電極間の距離が短い部分のみに、発光素子10を配置することができる。
【0067】
そして、本願出願人の出願した特開2008−260073号公報に示される方法で、発光素子10を電極51,52に配列する。つまり、図5に示すように、図3A〜図3Eに示す方法で作成した発光素子10をイソプロピルアルコール61に含ませ、この発光素子10を含んだイソプロピルアルコール61を第1の偏光膜17上に薄く塗布する。そして、第1の電極51と第2の電極52との間に交流電圧を加えて、図6に示すように、発光素子10を配列する。なお、詳細については、特開2008−260073公報と同じであるため、省略する。
【0068】
その後、図7に示すように、配列した発光素子10の両端部を第1の電極51および第2の電極52に接続する。このとき、発光素子10は、導電性接着剤71によって、電極51,52に固定される。
【0069】
ここで、上記発光素子10は、第1の電極51および第2の電極52間に交流電圧を印加することにより駆動する。そのため、この電極51、52に対して発光素子10の極性が統一されていなくても、複数の発光素子10を均一に発光させることができる。したがって、発光素子10の極性を統一するための制御をする必要がないため、製造工程が複雑になるのを防ぐことができる。
【0070】
その後、図8に示すように、蛍光体13をインクジェット方式などにより発光素子10上に形成する。この蛍光体13の厚さは、例えば10um〜200um程度である。蛍光体13は、例えば、黄色に着色され、青色に発光する発光素子10とともに、白色のバックライト部を形成する。
【0071】
その後、図8に示すように、樹脂などからなる透明な保護膜8を形成して、この保護膜8上に、アルミニウムなどからなる反射膜9を積層する。この保護膜8の膜厚および形状を調整することにより、矢印の光路に示すように、光通過領域Zに無駄なく光を照射することができる。ここで、比較例として、図9に示すように、反射膜9Aを保護膜8に積層しないで第1の基板1に平行な板状に形成すると、矢印の光路に示すように、光通過領域Zに発光素子10から出た光を集め難くなる。つまり、光通過領域Z以外にも光が反射されることになって、光の利用効率が悪くなる。
【0072】
このようにして、上記液晶パネル上に、発光素子10、保護膜8および反射膜9から構成されるバックライト部を形成する。
【0073】
上記構成の液晶表示装置によれば、上記発光素子10は、上記第1の基板1に配置されているので、発光素子10は、液晶表示装置を構成する2枚の基板のうちの一方の基板に直接に形成されている。このため、従来のバックライト装置で必要であった、発光素子を配置するための基板が不要となる。したがって、発光素子10にて構成されるバックライト部を薄く形成することができて、薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0074】
また、上記第1の基板1の上記液晶3側の面に、スイッチング素子としてのTFT4が設けられているので、発光素子10から発せられた光は、TFT4が形成された基板1側から液晶3に入射される。TFT4が形成されている基板1の側から光を入射するという点で、一般的な液晶表示装置と同様である。それゆえ、液晶表示装置の構成を大きく変えることなく薄型の液晶表示装置を実現できる。
【0075】
(第2の実施形態)
図10は、この発明の液晶表示装置の第2の実施形態を示している。上記第1の実施形態と相違する点を説明すると、この第2の実施形態では、第1の基板1は、カラーフィルタ基板であり、第2の基板2は、TFT基板である。なお、この第2の実施形態において、上記第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【0076】
図10に示すように、第1の基板1の液晶3側(下側)の面には、ブラックマトリクス5および着色層6が設けられている。この着色層6は、光通過領域Zを形成する。このように、発光素子10は、カラーフィルタ基板と同一の基板上に設けられている。
【0077】
一方、第2の基板2の液晶3側(上側)の面に、スイッチング素子としてのTFT4が設けられている。このため、発光素子10から発せられた光は、TFT4が形成された基板2と反対の基板1側から液晶に入射される。そして、発光素子10とTFT4とをそれぞれ別の基板上に形成することができるため、発光素子10を配置する工程において、TFT4にダメージを与えることを防ぐことができ、または、TFT4を形成する工程において、発光素子10にダメージを与えることを防ぐことができる。
【0078】
(第3の実施形態)
図11は、この発明の液晶表示装置の第3の実施形態を示している。上記第1の実施形態と相違する点を説明すると、この第3の実施形態では、発光素子10A,10B,10Cが3種類存在し、図1の着色層6が存在しない。なお、この第3の実施形態において、上記第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
【0079】
図11に示すように、第1の発光素子10Aは、赤色の光を発し、第2の発光素子10Bは、緑色の光を発し、第3の発光素子10Cは、青色の光を発する。このため、各発光素子10A,10B,10Cの直下の光通過領域Zには、着色層6を設ける必要がない。つまり、第2の基板2の液晶3側(上側)の面には、ブラックマトリクス5のみが設けられ、第2の基板2は、遮光の機能を有するフィルタ基板となる。
【0080】
そして、図12に示すように、発光素子10A,10B,10Cが3種類あるため、4つの電極51A,52A,53A,54Aが必要になる。つまり、各発光素子10A,10B,10Cの一端は、第1の電極51Aに接続され、第1の発光素子10Aの他端は、第2の電極52Aに接続され、第2の発光素子10Bの他端は、第3の電極53Aに接続され、第3の発光素子10Cの他端は、第4の電極54Aに接続される。各電極51A,52A,53A,54Aは、駆動電極を兼ねる。
【0081】
なお、この第3の実施形態では、上記第1の実施形態の発光素子を3種類としかつ着色層を省略したが、上記第2の実施形態の発光素子を3種類としかつ着色層を省略するようにしてもよい。
【0082】
なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、上記第1から上記第3の実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。また、発光素子として、上記実施形態に示すいわゆる筒状の発光層を有する発光素子以外に、平面状の発光層を有する通常の発光素子を用いてもよい。
【0083】
また、上記第1から上記第3の実施形態では、半導体コア11の一端側の外周面が露出した露出部分11aを有する発光素子について説明したが、これに限らず、半導体コアの両端の外周面が露出した露出部分を有するものでもよいし、半導体コアの中央部分の外周面が露出した露出部分を有するものでもよい。
【0084】
また、上記第1から上記第3の実施形態では、半導体コア11と半導体層12に、GaNを母材とする半導体を用いたが、GaAs,AlGaAs,GaAsP,InGaN,AlGaN,GaP,ZnSe,AlGaInPなどを母材とする半導体を用いた発光素子にこの発明を適用してもよい。また、半導体コアをn型とし、半導体層をp型としたが、導電型が逆の発光素子にこの発明を適用してもよい。また、六角柱形状の半導体コアを有する発光素子について説明したが、これに限らず、断面が円形または楕円の棒状であってもよいし、断面が三角形などの他の多角形状の棒状の半導体コアを有する発光素子にこの発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【0085】
1 第1の基板
2 第2の基板
3 液晶
4 TFT(薄膜トランジスタ)
5 ブラックマトリクス
6 着色層
8 保護膜
9 反射膜
10、10A,10B,10C 発光素子
11 半導体コア
11a 露出部分
12 半導体層
13 蛍光体
51,52,51A,52A,53A,54A 電極
Z 光通過領域
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光を透過する第1の基板と、
光を透過する第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板との間に充填されている液晶と、
上記第1の基板における上記液晶側と反対側の面に配置されている発光素子と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記発光素子は、
棒状の第1導電型の半導体コアと、
上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層と
を有し、
上記発光素子は、上記発光素子の軸が上記第1の基板の上記面に略平行となるように、上記第1の基板に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項3】
請求項1または2に記載の液晶表示装置において、
上記第1の基板または上記第2の基板には、上記発光素子から発せられた光が通過する光通過領域が設けられ、
上記発光素子は、上記第1の基板の上記面に直交する方向からみて、上記光通過領域に重なる位置に配置され、上記発光素子は、上記光通過領域よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項4】
請求項1から3の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項5】
請求項4に記載の液晶表示装置において、
上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項6】
請求項1から5の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1から5の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項1】
光を透過する第1の基板と、
光を透過する第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板との間に充填されている液晶と、
上記第1の基板における上記液晶側と反対側の面に配置されている発光素子と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記発光素子は、
棒状の第1導電型の半導体コアと、
上記半導体コアを覆うように形成された第2導電型の半導体層と
を有し、
上記発光素子は、上記発光素子の軸が上記第1の基板の上記面に略平行となるように、上記第1の基板に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項3】
請求項1または2に記載の液晶表示装置において、
上記第1の基板または上記第2の基板には、上記発光素子から発せられた光が通過する光通過領域が設けられ、
上記発光素子は、上記第1の基板の上記面に直交する方向からみて、上記光通過領域に重なる位置に配置され、上記発光素子は、上記光通過領域よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項4】
請求項1から3の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記発光素子から発せられた光を上記第1の基板側に反射させる反射膜を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項5】
請求項4に記載の液晶表示装置において、
上記反射膜は、上記発光素子上に積層された透明な保護膜上に積層されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項6】
請求項1から5の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記第1の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1から5の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
上記第2の基板の上記液晶側の面に、スイッチング素子としての薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2011−197347(P2011−197347A)
【公開日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−63449(P2010−63449)
【出願日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【出願人】(000005049)シャープ株式会社 (33,933)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【出願人】(000005049)シャープ株式会社 (33,933)
【Fターム(参考)】
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