【課題】高画質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１のフレーム期間中に、第１の映像信号が、第１の画素電極に供給され、第２のフレーム期間中に、第１の映像信号と逆の極性の第２の映像信号が、第１の画素に供給され、第１のフレーム期間中に、第１の映像信号と同じ極性の第３の映像信号が、第２の画素電極に供給され、第２のフレーム期間中に、第１の映像信号と逆の極性の第４の映像信号が、第２の画素電極に供給され、第１のフレーム期間中に、第１の映像信号と同じ極性の第５の映像信号が、第３の画素電極に供給され、第２のフレーム期間中に、第１の映像信号と逆の極性の第６の映像信号が、第３の画素に供給され、第１のフレーム期間中に、第１の映像信号と同じ極性の第７の映像信号が、第４の画素電極に供給され、第２のフレーム期間中に、第１の映像信号と逆の極性の第８の映像信号が、第４の画素電極に供給され、１２０Ｈｚで駆動される。 （もっと読む）

【課題】液晶分子を配向させる配向膜の形成工程を合理化可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶層４０６を介して対向配置される第１基板１０１及び第２基板３０１を備え、第１基板側１０１に、少なくとも各画素内に面状又は複数の線状に形成された第１電極と、第１電極の上層に絶縁層を介して形成され、画素毎に第１電極に重畳して形成される線状の複数の第２電極とを有し、第１電極と第２電極とで生じる電界で液晶層を駆動する液晶表示装置であって、基板１０１及び３０１の内の少なくとも一方の基板の対向面側に、配向膜１１２を形成する工程と、その工程で形成される配向膜の周縁部と表示領域との間の領域に形成される配向膜を所定幅で除去し、表示領域を囲む溝部Ａを形成する工程と、溝部にシール材４０４を塗布し、基板１０１と３０１とを固着する共に液晶層４０６を密封する工程とからなる液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シールド用の導電膜と遮光膜との間の短絡を抑制した横電界方式の液晶表示装置
を提供すること。
【解決手段】他方の基板２６の液晶３２と接する側に金属製の遮光膜２８が形成され、液
晶３２と接する面と反対側の面には導電膜３１が形成され、前記遮光膜２８は、一方の基
板１１に配設されている共通配線１４と導電性部材３６で接続され、導電膜３１は接続体
３８でグラウンド電位と接続されている横電界方式の液晶表示装置１０において、他方の
基板２６に形成された遮光膜２８は、接続体３８が形成される辺側の一部に平面視で接続
体３８より幅広な切り欠き部２８ａが接続体３８の形成される位置に対応して設けられ、
遮光膜２８の切り欠き部２８ａに沿って、遮光膜２８より厚さが厚い絶縁性樹脂からなる
突起３０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶素子を従来よりも高速に交流駆動する構成とした場合に、画素小型化と極性切り替え用ドライバの削減と消費電力の低減ができ、１ライン毎の上下輝度差も解消する。
【解決手段】液晶表示装置は、上下２画素（隣接する２ラインの垂直方向に隣接する２つの画素）を反転して形成し、極性切り替え配線Ｓ+とＳ-とをこれら２画素で共用する構成である。上側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ５１と下側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ５２をスイッチングするための第１のゲート制御信号を伝送する極性切り替え配線Ｓ+と、上側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ６１と下側の一画素内のスイッチングトランジスタＱ６２をスイッチングするための第２のゲート制御信号を伝送する極性切り替え配線Ｓ-とが、それぞれ上下２画素で共用されている。 （もっと読む）

【課題】第１引き回し配線と第２引き回し配線との間のブリッジ接続部において、透明導
電性部材からなる接続電極の表面を被覆する有機樹脂膜のカバレッジ不良を抑制して、接
続電極の腐食を抑制した液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜１７及びパッシベーション膜２０及び平坦化膜ＯＶＬで被覆さ
れた第１引き回し配線１６ａと、ゲート絶縁膜１７の表面に形成され、パッシベーション
膜２０及び平坦化膜ＯＶＬで被覆された第２引き回し配線１６ｂとを有し、第１引き回し
配線１６ａの表面を露出させる第１コンタクトホール２１と、第２引き回し配線１６ｂの
表面を露出させる第２コンタクトホール２２とを被覆した接続電極２３によりブリッジ接
続する際、配線切り替え領域のブリッジ接続部分Ａでは平坦化膜を除去しておき、その接
続電極２３の表面を配向膜２４で被覆する。 （もっと読む）

【課題】光リーク電流の発生を抑制しつつ、半導体膜のアライメント要求精度を緩和した薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板の上側に積層されたゲート電極と、ゲート電極の上側に積層されるソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極の上側に積層されて、ゲート電極が発生させる電界によりソース電極及びドレイン電極間の電流を制御する半導体膜とを含み、半導体膜は、ゲート電極と平面的に重複する第１の領域と、ゲート電極と平面的に重複しない第２の領域とを有する平面的形状で形成され、ソース電極とドレイン電極は、第２の領域において半導体膜と接続せず、第１の領域において半導体膜と接続する、ことを特徴とする薄膜トランジスタを有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 （もっと読む）

【課題】ラビングロールの周辺部材に粉塵が付着しにくい液晶装置の製造装置を提供する
。
【解決手段】素子基板と対向基板とに挟持された液晶層と、それぞれの基板において液晶
層に面する側に設けられ配向処理が施される配向膜とを有する液晶装置の製造装置（ラビ
ング装置７１）であって、ラビング布が捲回されたラビングロール７５と、ラビングロー
ル７５の周辺に設けられた周辺部材（ラビングロールガイド８６、ステージ７３）と、を
有し、周辺部材は、フッ素樹脂のコーティング処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】Ｄ／Ａ変換回路の構成を複雑にすることなく、小型化された表示装置を提供する。
【解決手段】赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤとが順次点灯する期間を有することによりフィールドシーケンシャル駆動が行われ、赤のＬＥＤが点灯する期間、緑のＬＥＤが点灯する期間、及び青のＬＥＤが点灯する期間のそれぞれにおいて、複数のサブフレーム期間を有し、サブフレーム期間に書き込まれたアナログビデオデータの階調電圧の総和を時間平均したものを用いて表示を行う。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一化された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板と、第１の基板及び第２の基板の間に挟持された液晶層と、第１の基板の一方の面上に設けられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う有機膜からなる層間絶縁膜と、第２の基板上に設けられた、表面が平坦な反射層と、反射層に設けられたカラーフィルターと、カラーフィルターを覆うオーバーコート層と、第１及び第２の基板を均一な間隔で保持するスペーサとを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】高開口率な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、保持容量とが設けられた画素と、走査線と、走査線に直交して設けられた信号線と、を有し、走査線の上方には、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成される部分と保持容量の下部電極となる部分とを有する半導体膜が設けられ、半導体膜上には絶縁膜が設けられ、半導体膜のチャネル形成領域となる部分の上方には、絶縁膜を介して走査線と電気的に接続されたゲート電極が設けられ、半導体膜の下部電極となる部分の上方には、絶縁膜を介して保持容量の上部電極が設けられ、半導体膜は、基板に平行であり、ゲート電極は、保持容量の上部電極より半導体膜を基準に高い場所に設けられ、ゲート電極及び上部電極の上方には、信号線が設けられている表示装置。 （もっと読む）

【課題】ポジ型フォトレジストを用い近接露光を行っても、３〜５μｍの微細な幅の十字形状の配向制御用開口部を形成できるフォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタを提供する。
【解決手段】フォトマスク上のパターンは、市松模様開口部Ｋ１４と４個の平行線開口部Ｋ１５とで構成され、他の部分は遮光部Ｓであり、市松模様開口部の中心は、直交する第１軸と第２軸の交点Ｏに位置し、その長手方向ｄは、第３軸又は第４軸と平行に設けられ、４個の平行線開口部は、第１軸のプラス方向とマイナス方向、及び第２軸のプラス方向とマイナス方向の、市松模様開口部に隣接した各位置に、長手方向ｆを当該軸と平行に設けられている。上記フォトマスクを用い透明導電膜４３に十字形状の配向制御用開口部４５Ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】参照配線や参照幹線に不良があった場合であっても、表示欠陥を防止できる基板、この基板を備える表示パネル、表示パネルの修正方法を提供すること。
【解決手段】参照配線１１３ａに不良の有無を検出する工程と、不良が検出された場合には不良参照配線１１３ｓを特定して不良箇所Ｓを特定する工程とを有するとともに、不良が断線である場合には、不良参照配線１１３ｓと予備配線１２４とを短絡する工程と、不良参照配線１１３ｓが伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線１１３ｍと予備配線１２４とを短絡する工程とを有し、不良が他の導体との短絡である場合には、不良参照配線１１３ｖの不良箇所Ｕの前後両側の箇所を切断する工程と、不良参照配線１１３ｖと予備配線１２４とを短絡する工程と、不良参照配線１１３ｖが伝送する信号と同じ信号を伝送する所定の参照配線１１３ｗと予備配線１２４とを短絡する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シールド層を用いずに物体の検出精度を向上させることが可能な静電容量型のタッチセンサを備えた表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】静電容量の変化に応じてタッチ検出電極から得られる検出信号Ｖdetに基づいて、物体の接触位置を検出する。このとき、検出回路８において、検出信号Ｖdetの取得時における画像信号の階調に応じて、その検出信号Ｖdetを補正して検出動作を行う。これにより、従来のようなシールド層を用いることなく、内部ノイズの影響を低減（除去）しつつ検出動作を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板のグランドパターンと金属製ベゼルとの間に挟み込まれて両者を導通接続する導電体の位置ずれを簡便に確認することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示パネルと、該表示パネルの周縁部の上面および側面を覆うように被着される断面逆Ｌ字状の上壁と側壁を有した枠状の金属製ベゼルと、表示パネルの周縁部と金属製ベゼルの側壁との間で該側壁に対して略平行に離間して配置されるパネル駆動用のプリント回路基板と、金属製ベゼルの側壁とプリント回路基板に形成されたグランドパターンのランド部とを導通接続する帯状の導電体とを備え、金属製ベゼルの側壁には、外部から導電体を視認可能にする開口窓が設けられている。 （もっと読む）

【課題】焼き付き、シミなどの発生を防止して画像品質の向上を実現すると共に、非表示領域の面積を狭くして装置を小型化する。
【解決手段】複数の画素電極１１１が形成された表示領域Ｄの周囲に沿うように、ダミー配線電極５０１を非表示領域Ｎに形成する。そして、表示領域Ｄにて画像を表示する際には、対向電極２３に印加する電位と同じ電位をダミー配線電極５０１に印加し、対向電極２３とダミー配線電極５０１との間において液晶層３１に印加される電位差を無くす。 （もっと読む）

【課題】他のパネルと接続されていない単独の状態の液晶表示パネルでも、ソースバスライン容量に依存する消費電流の低減を可能とする。
【解決手段】液晶表示パネルは、アクティブマトリックス型の液晶表示パネルであって、上記液晶表示パネル内における複数の画素領域の少なくとも１つに、当該画素領域内に設けられているソースバスラインＳ１〜ＳｘのＯＮ／ＯＦＦを切り換える切換部Ｔｒ１１〜Ｔｒｘｙが備えられている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は押圧位置を直接に検出できるタッチパネル式液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】データ信号電圧を生成するソースドライバー１０４と、スキャン信号を生成するゲートドライバー１０２と、マトリックス型に配列される複数の画素ユニット２００と、複数の検知回路２１０と、複数の検知回路２１０に出力された動的電流を比較してその発信元を判断する判断ユニット１０８とを含む液晶表示器において、該複数の画素ユニット２００はいずれも、データ信号電圧を導通させるスイッチトランジスター２０２と、データ信号電圧に基づいて複数の液晶分子の配列を調整する液晶容量とを含み、該複数の検知回路２１０はいずれも、固定電圧端による所定の固定電圧を導通させる第一トランジスター２１１と、動的電圧を生成する感知ユニットと、動的電圧に基づいて動的電流を生成する第二トランジスター２１２と、動的電流を導通させる第三トランジスターと２１３を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動回路におけるトランジスタの特性劣化を抑制することを課題の一つとする。
【解決手段】回路２００と、トランジスタ１０１＿１と、トランジスタ１０１＿２と、を有し、トランジスタ１０１＿１及びトランジスタ１０１＿２は、ゲートに回路２００から信号が選択的に入力されることでオン又はオフが制御され、トランジスタ１０１＿１またはトランジスタ１０１＿２がオン又はオフになることにより、配線１１２と配線１１１とが導通状態または非導通状態になる。 （もっと読む）