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Fターム[2H092JB68]の内容

Fターム[2H092JB68]に分類される特許

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【課題】 半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得る。
【解決手段】 平面表示装置において、透過電極と走査線Gnとの間の寄生容量CgAと、透過電極に対する全寄生容量CloadAと、画素電極15b、17bと走査線Gnとの間の寄生容量CgBと、画素電極15b、17bに対する全寄生容量CloadBとを、CgA/CloadA=CgB/CloadBの関係式が成り立つように設定する。 (もっと読む)


【課題】高い開効率と大容量の補助容量を有する表示装置と製造工程を増やすことなくその表示装置を製造する方法とを提供する。
【解決手段】
補助容量PCS1が走査線WLn上に形成されるいわゆるCSオンゲート構造において、スイッチング素子であるトランジスタNTr1の導電性は、補助容量PCS1の半導体膜からなる電極の導電性とは異なる。 (もっと読む)


【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、例えば、周辺回路に電源を供給するための配線等に必要な基板上の領域の面積を小さくし、更に外部回路接続端子に静電気が印加された場合にも周辺回路の静電破壊が発生するのを低減する。
【解決手段】 電気光学装置は、基板上に、複数の画素部と、該複数の画素部が配列された画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、走査線を介して画素部に走査信号を供給する走査線駆動回路と、複数の画素部の夫々にデータ線を介して画像信号を供給する画像信号供給回路とを備える。更に、走査線駆動回路に第1系統の電源を供給するための走査線駆動回路用電源配線と、該走査線駆動回路用電源配線の少なくとも一部と共通に形成された共通配線を含み、画像信号供給回路に第2系統の電源を供給するための画像信号供給回路用電源配線とを備える。 (もっと読む)


【課題】 駆動回路部において電源の電位を安定させる。
【解決手段】 TFTアレイ基板10上に層間絶縁膜12、41、42が形成されており、その上に分岐配線91y、層間絶縁膜43、分岐配線93y及び層間絶縁膜44がこの順で形成されている。層間絶縁膜43は、分岐配線93yを含む駆動電源線93及び分岐配線91yを含む共通電位線91間を電気的に絶縁すると共に容量C1の誘電体膜として兼用されている。したがって、TFTアレイ基板10上に駆動電源線93及び共通電位線91と、これら配線間に層間絶縁膜43を形成することによって、容量とされるコンデンサ素子を設けることなく、TFTアレイ基板10上に形成された多層構造をそのまま利用して容量を構成することが可能である。 (もっと読む)


【課題】 素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置1において、画素スイッチング素子としての非線形素子5、および保持容量9を構成するにあたって、窒素添加タンタルによって素子用下電極61および容量用下電極62を形成する際、データ線2も同時形成する。窒素添加タンタルは立方晶系(α相)であり、抵抗率が低いので、データ線2の配線抵抗を低く抑えたい場合でも膜厚を薄くできる。従って、容量用下電極62の表面に厚い容量用絶縁層72が形成された状態においても、容量用下電極62の膜厚が薄いので、素子基板20上に大きな段差が発生しない。 (もっと読む)


【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、ラビングムラ及び横電界を低減する。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、第1基板上における画素アレイ領域に、第1方向に延びる第1間隙領域及びこれに交差する第2方向に延びる第2間隙領域を隔てて相互に配置されることで、マトリクス状に配列された複数の画素電極を備え、第2基板上に対向電極を備える。複数の第1凸部は、第1基板上に、第2基板に向かって凸に夫々形成されると共に、第1間隙領域に夫々配置され、第1方向に相互に分離して島状に形成される。複数の第2凸部は、第2基板上に、第1基板に向かって凸に夫々形成されると共に、第2間隙領域と第1間隙領域との交差領域に夫々配置され、該交差領域毎に相互に分離してドット状に形成される。 (もっと読む)


【課題】 保持容量に用いる容量用酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置1において、画素スイッチング素子としての非線形素子5、および保持容量9を構成するにあたって、タンタル膜からなる素子用下電極61および容量用下電極62を陽極酸化してなる素子用酸化膜71および容量用酸化膜72の上層に、ITOなどの金属酸化物層や、酸化物標準生成エンタルピーがクロムよりも高い金属層からなる素子用上電極81a、81bおよび容量用上電極84を形成する。 (もっと読む)


【課題】反射モード及び透過モードで動作できる半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透過部Bと反射部Dとを有する画素領域Pが定義された基板が設けられる。透明電極161は、薄膜トランジスタTのドレイン電極137とストレージ電極Cとの間の第1絶縁層上に形成される。ストレージ電極Cは、データライン139と同一層に同一物質で形成される。反射部Dに凸凹型パターンを有する第2絶縁層が形成される。反射部Dの第2絶縁層上に反射電極149が形成される。反射電極149は、透過部Bで透明電極161と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】工程の単純化を可能にする液晶表示装置とその製造方法に関する。
【解決手段】基板上でゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、前記ゲートライン及び前記データラインの間に形成された絶縁膜と、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を含み前記ゲートライン及び前記データラインと接続された薄膜トランジスタと、前記画素領域それぞれで前記薄膜トランジスタと接続される複数の画素電極と、前記画素領域でそれぞれ前記画素電極と並べて形成された複数の共通電極と、前記複数の共通電極と接続された共通ラインと、前記ゲートライン、前記データライン及び前記共通ラインのうちの少なくとも一つと接続されたパッドを備え、前記ゲートライン、前記ゲート電極、前記画素電極、前記共通電極、前記共通ライン及び前記パッドは透明導電層を含む。 (もっと読む)


【課題】モリブデン/銅/窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン/銅/窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素10ないし20重量%、有機酸1ないし5重量%、トリアゾール系化合物0.1ないし1重量%、ふっ素化合物0.01ないし0.5重量%及び残量の超純水を含む。 (もっと読む)


【課題】マスクの枚数を増やすことなく、ストレージキャパシタの電極間から半導体パターンを除去して高画質化を実現させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるTFTパネルの製造では、半導体パターンとTFTのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。 (もっと読む)


【課題】遮光性を保持しつつ、浮遊容量の発生によるクロストークを防止できる反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板1表面には形成された複数のMOSトランジスタ3及び補助容量部4上に反射画素電極6と、液晶と、透明電極を有する透明基板と、が順次積層され、MOSトランジスタ3のドレイン領域3Cに接続されたドレイン金属配線11とゲート電極3Bとの間の距離をXd、ソース領域3Aに接続された接続線8とゲート電極3Bとの間の距離をXsとするとき、Xd>Xsであり、かつ補助容量部4の容量個別電極4A、ゲート電極3B及びソース領域3Aを取り囲み、かつ各容量個別電極4Aの容量共通配線14に接続するシールド用金属配線15が形成されている。 (もっと読む)


【課題】均一な画素電圧を維持できる液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示素子は、第1及び第2基板と、第1基板と第2基板の間に形成された液晶層と、第1基板上にマトリックス状に定義された複数の画素と、第1基板上に第1方向に配置され、各画素を上下に隣接する第1及び第2画素に区画する複数のゲートラインと、ゲートラインと直交する第2方向に配置され、ゲートラインと共に第1及び第2画素を区画する複数のデータラインと、第1及び第2画素内に横電界を発生させる複数の第1及び第2電極と、データラインと交差するゲートライン上に形成され、第1及び第2画素を駆動させるスイッチング素子とを含み、スイッチング素子は、ゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極から構成され、ドレイン電極は、第1画素の第2電極に接続する第1ドレイン電極、第2画素の第2電極に接続する第2ドレイン電極から構成される。 (もっと読む)


【課題】 レジスト膜に付着した異物を除去し、パターン異常を低減する。
【解決手段】 洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄し、レジスト膜301に付着した臭化カリウム等の異物を除去する(S6)。尚、臭化カリウムに限定されず、各種工程の諸条件に応じてレジスト膜301に付着する異物が異なるため、これら異物をレジスト膜301から除去するのに適した洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄することが可能である。例えば、レジスト膜301に付着した異物に除去できるようにph値が調整された洗浄液を用いてレジスト膜301を洗浄してもよい。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の静電破壊強度を向上する。
【解決手段】保持容量ライン13AにL字形の窪み部分R1を形成し、この窪み部分R1のスペースの中に収まるようにコンタクトホールC2Aを配置したので、メタル配線14が通されたコンタクトホールC2Aと保持容量ライン13Aの間での電界は、窪み部分R1のエッジに沿って分散される。このため、コンタクトホールC2Aの部分から保持容量ライン13Aへの静電気の放電が一箇所に集中なくなる。また、窪み部分R1のエッジがコンタクトホールC2Aを中心として円弧を描いていることが好ましい。窪み部分R1のエッジは、概ね1/4の円を描いている。 (もっと読む)


【課題】バックライトから反射領域に入射した光を透過領域に誘導し、光利用効率を向上させることにより、全体の輝度を更に向上させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による半透過型液晶表示装置は反射領域に反射部材を含む。反射部材は好ましくは維持電極、またはドレイン電極と同じ層に形成され、更に好ましくは反射領域と透過領域との間の境界まで拡がっている。反射部材は維持電極やドレイン電極と共に反射電極の背面側で反射領域のほぼ全体を覆い、バックライト部から入射する光を反射電極に達する前に反射してバックライト部に戻す。それにより、バックライト部から反射領域に入射した光が、反射部材とバックライト部との間で反射を繰り返しながら、透過領域に誘導される。 (もっと読む)


【課題】白茶けが抑制されるとともに表示むらや焼き付きの発生を回避できて、表示品質が良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素毎に、副画素電極122a,122bと、バッファ容量126と、TFT116,117,118とが形成されている。TFT116,117はn番目のゲートバスライン111に供給される信号により駆動され、TFT118はn+1番目のゲートバスライン111に供給される信号により駆動される。副画素電極122aはTFT116,118に接続され、副画素電極122bはTFT117に接続されている。また、TFT118のドレイン電極118aは、バッファ容量126の上部電極118cに接続されている。このバッファ容量126の下部電極118cは、n+1番目のゲートバスライン111に接続されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置に関し、優れた視角特性と高い輝度の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】微細スリットを有する画素電極16を備えたTFT基板とTFT基板に対向配置された対向基板との間に重合可能なモノマーを含んだ液晶を挟持させ、液晶に電圧を印加した状態でモノマーを重合させて、液晶の配向方向を微細スリットの延伸方向に規定する液晶表示装置であって、画素電極16は、スイッチング素子に電気的に接続された直結部16aと、スイッチング素子から電気的に絶縁され、かつスイッチング素子のソース電極と同電位になる制御容量電極と静電容量を形成する容量結合部16bと、直結部16aと容量結合部16bとの間の間隙部17とを有し、隣接する直結部16aと容量結合部16bのそれぞれの微細スリット30a、30bの延伸方向が互いに直交している。 (もっと読む)


【課題】 ソース配線2からの漏れ電界による液晶300の配向の乱れを低減すると共に、開口率が大きく、かつ、製造工程を増加することなくソース配線2と対向電極6との短絡が発生しにくい液晶表示装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】 ソース配線2より下層にゲート絶縁膜8を介して、ソース配線2に沿って配置された第1の電極パターン11と、ソース配線2より上層に層間絶縁膜9を介して、ソース配線2に沿って、且つ前記ソース配線2に実質的に重なり合わない位置に配置された第2の電極パターン12とによって、ソース配線2からの漏れ電界を上下層に配置された電極パターン11、12により効果的に遮蔽する。また、第1の電極パターン11はゲート配線1と、第2の電極パターン12は対向電極6と同一層の導電膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、データ線及び走査線と、基板上でデータ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、基板上で平面的に見て薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域にデータ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置され且つ蓄積容量よりも上層側に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを備える。固定電位側電極及び画素電位側電極の少なくとも一方は、第1の導電性遮光膜を含んでなる。 (もっと読む)


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