【課題】輝点を滅点化した場合の黒表示において視角方向に依存しない視認性を確保した液晶パネルを提供する。
【解決手段】輝点となった画素Ｇに対しては、薄膜トランジスタ14のゲート電極15とドレイン電極25との間を電気的に短絡し、蓄積容量電極31と画素電極35とを電気的に切り離し、蓄積容量電極31から電極容量形成部41を電気的に切り離し、ソース線23と薄膜トランジスタ14のソース電極24とを電気的に切り離し、薄膜トランジスタ14のドレイン電極25と画素電極35とを電気的に切り離す。滅点化した画素Ｇに印加する電圧を、正常な画素の黒表示時の印加電圧と同等にして、黒表示において視角方向に依存しない視認性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造工程の単純化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、平坦化された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に設けられた画素電極９ａと、画素電極９ａより下層側に形成され、層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと接続された中継層９３と、中継層９３よりも下層側に形成され、平面的に見てコンタクトホール８５と部分的に重なると共に、下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａが積層されてなる蓄積容量７０とを備える。更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量を備えたアクティブマトリックス表示装置のクロストークを防止する。
【解決手段】平面表示装置は、複数の表示画素と複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と複数のゲート電極と複数のソース電極と複数の蓄積容量素子と複数の第１蓄積容量電極と複数の第２蓄積容量電極とを具備しており、各第１蓄積容量電極へ印加される第１補償電圧と各第２蓄積容量電極へ印加される第２補償電圧とは、互いに異なる電圧極性を有しており、同一のゲート電極に接続された複数の薄膜トランジスタのうち第１蓄積容量電極に接続された薄膜トランジスタに設けられたソース端子にソース電極を介して印加される画像信号電圧と、第２蓄積容量電極に接続された薄膜トランジスタに設けられたソース端子にソース電極を介して印加される画像信号電圧とは、互いに異なる電圧極性を有している。 （もっと読む）

【課題】反射部のコントラス比を向上させる。
【解決手段】半透過型液晶表示装置であって、各々のサブピクセルは、画素電極が、透過部と反射部とで共有し、対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、前記対向電極に印加される電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっており、前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有し、前記反射部における前記液晶層の厚さは、前記透過部における前記液晶層の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】ゲート線とコモン線との間の隙間からの光リークの発生を抑え、表示品質の向上を図る。
【解決手段】ゲート線１とデータ線２とが互いに交差して画素領域が定義された液晶表示装置であって、画素領域の交差部近傍に設けられ、ゲート線１に接続されたゲート電極と、データ線２に接続されたドレイン電極７と、画素領域に形成された画素ＩＴＯ電極に接続されたソース電極６とを有する薄膜トランジスタと、画素領域に設けられたコモン線３と、ゲート線１とコモン線３との間に設けられ、バックライト光を遮光する遮光手段４０，４１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】表示領域の周囲に見栄えを良くするための見切り領域を備えた液晶表示パネルに
おいて、走査線配線に沿った暗視現象が生じないようにした液晶表示パネルを提供するこ
と。
【解決手段】本発明の液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数の信号線及び走
査線に囲まれたそれぞれの領域に画素電極が形成された表示領域１４を備えたアレイ基板
と、対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板及び対向基板の周縁部がシール材３５
によってシールされているとともに両基板間に封入された液晶層と、を有する液晶表示パ
ネル１０において、前記アレイ基板の表示領域１４の周囲は反射板３７ａ及び連続な透明
電極３８ａを備えた見切り領域３４により被覆されているとともに、前記見切り領域３４
の周縁部が前記シール材３５によりシールされており、前記見切り領域３４の透明電極３
８ａは前記対向電極と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程数を低減することで製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し得るカラー表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板７１０上にソース線７０５、ドレイン電極７０８となる線状遮光体７０１、７０１ｋを形成した後、開口部７１１に色素材７０２を定着させてカラーフィルターとする。次に、色素材を覆う透明保護膜７２３を成膜し、その上に多結晶シリコン薄膜７１７を形成する。そして、画素マトリックス外のソース線端子を覆うポリイミド膜を形成した後、ゲート絶縁膜７１９を成膜し、ポリイミド膜を除去する。次に、ゲート絶縁膜上にゲート線７０７を形成する。本方法におけるフォトリソグラフィー工程は、線状遮光体形成、多結晶シリコン薄膜形成、ゲート電極形成、の３工程のみとなる。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】超大型広視野角超高速応答液晶表示装置を３回のホトリソグラフィー工程で製造する。
【解決手段】Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。ソース電極とドレイン電極と配向制御電極は、ノーマル露光技術を用いて形成する。
パッシベーション層は、マスキングデポジッション法を用いてＰ−ＣＶＤ装置で成膜するか、インクジェット塗布法を用いて保護層を局所領域に塗布することで、３回のホトマスク工程で超大型広視野角超高速応答液晶表示用ＴＦＴアレイ基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】下部容量電極７１ｍは、非開口領域に形成された複数の金属膜であるデータ
線６ａ、上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍのうち最も下層側に形成された金属
膜である。したがって、データ線６ａ等の蓄積容量７０ａ上に配置された金属膜によって
半導体層１ａを遮光する場合に比べて、光源等から出射された光のうち半導体層１ａに到
達する光を低減できる。より具体的には、下部容量電極７１ｍの幅Ｗ１及び上部容量電極
３００の幅Ｗ２の大きさが、非開口領域に形成されたデータ線６ａの幅Ｗ０の大きさより
大きいだけでなく、下部容量電極７１ｍの幅Ｗ１がこれら金属膜の幅の中で最も大きいた
め、光源等から半導体層１ａに向かって半導体層１ａの法線方向に対して大きい角度で入
射する入射光を効果的に遮ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは、交差部Ｃｄに重なっ
ている。より具体的には、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃの夫々の領
域のうちチャネル領域１ａ´に近い側の領域が交差部Ｃｄに部分的に重なっている。低濃
度ドレイン領域１ｃ上に位置する交差部Ｃｄから図中Ｘ方向に沿って第２部分Ｐｘが延び
ているため、低濃度ドレイン領域１ｃが交差部Ｃｄに重ならない場合に比べて低濃度ドレ
イン領域１ｃに入射する光を低減できる。第２部分Ｐｘの長さ、即ちＸ方向に沿った寸法
は、第１部分Ｐｙの幅の大きさより大きいため、Ｘ方向に沿って低濃度ドレイン領域１ｃ
の法線方向に対して大きな角度で低濃度ドレイン領域１ｃに入射する光は、Ｘ方向に延び
る第２部分Ｐｘの長さに応じて遮られ、光リーク電流の発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の低コスト化を図る。
【解決手段】絶縁基板上に、複数のゲート線と、該複数のゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線と、複数の薄膜トランジスタを有し、複数のゲート線を積層電極とする。複数の薄膜トランジスタを、ｎチャネル伝導型およびｐチャネル伝導型の２種類で構成し、一方の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記ゲート線と同じ構成の積層電極で、他方の薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲート線の下層電極と同層の電極で構成した。 （もっと読む）

【課題】より広い範囲で表示輝度を変化させることが可能で、階調反転の発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することが可能で、且つ、配線構造の複雑化を抑制することが可能な液晶表示パネル、液晶表示装置および液晶表示システムを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルＸは、矢印ＡＢ方向に配列されるソース配線２２ａ，２２ｂおよび矢印ＣＤ方向に配列されるゲート配線２３ａ，２３ｂを備え、複数の画素Ｇが構成されている。これらの複数の画素Ｇの各々は複数の副画素を含んでなり、複数の副画素における第１副画素はスイッチング素子２６ａを介してソース配線２２ａおよびゲート配線２３ａに接続され、第２副画素はスイッチング素子２６ｂを介して第１副画素およびゲート配線２３ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示パネルの色に対する視野角の影響を減少する駆動方法及び画素構造を提供する。
【解決手段】 透過型液晶ディスプレイ装置は、サブピクセルのそれぞれが少なくとも第１領域と少なくとも第２領域とに分けられる画素構造を有し、各領域は、電極ペアを有する。第１領域の電極ペアは、スイッチング素子ＴＦＴによってゲートライン及びデータラインの少なくとも１つに電気的に接続された第１電極と、第１コモンラインによって第１電圧が印加されるように電気的に接続された第２電極とを含む。第２領域の電極ペアは、もう１つのＴＦＴによってゲートライン及びデータラインの少なくとも１つに電気的に接続された第１電極及び第２コモンラインによって第２電圧が印加されるように電気的に接続された第２電極を含む。 （もっと読む）

【課題】クロックノイズに起因する画質の低下を抑制する。
【解決手段】データ線駆動回路１０１を構成するシフトレジスタ５１、位相差補正回路１０８及び論理回路５２の夫々を互いに異なる電源である電源ＶＤＤＸ１〜３及びＶＳＳＸ１〜３によって駆動する。シフトレジスタ５１、位相差補正回路１０８及び論理回路５２を互いに異なる電源で駆動することにより、例えばシフトレジスタ５１に供給されるクロック信号ＣＬＸ及び反転クロック信号ＣＬＸＢに起因するクロックノイズが論理回路５２に伝播することがなく、クロックノイズに起因して発生するイネーブル信号の波形の歪みを低減できる。 （もっと読む）

【課題】アクティブ素子アレイ基板のピクセル構造を提供する。
【解決手段】ピクセル構造はスキャンラインおよびデータライン、該スキャンラインおよび該データラインと電気的に結合したアクティブ素子、アクティブ素子と電気的に結合したピクセル電極であって、該ピクセル電極は内部に少なくとも一つの開口部を有するもの、ならびに前記開口部内部に配置した少なくとも一つの島電極であって、該島電極は電圧Ｖに電気的に結合されたものを含み、前記ピクセル電極は電圧Ｖと異なる駆動電圧Ｖｄに電気的に結合されている。このため、島電極とピクセル電極の間に横断電界が形成される。 （もっと読む）

【課題】反射透過両用型ディスプレイを利用しつつ、高速応答性、広視野角特性を実現した液晶表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１には、反射電極１８ａ及び透過電極１８ｂそれぞれに、スプレイ配向からπツイスト配向もしくはベント配向への液晶分子の配向転移を促す電極開口部３０ａ・３０ｂが設けられていることから、液晶層に含まれるスプレイ配向をなしている液晶分子の配向を、表示領域全体にわたって容易にπツイスト配向もしくはベント配向へ転移させることができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に高速駆動を可能とする高性能なスイッチング素子を形成できる、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板２００の一方の面に貼着膜２１０を形成し、貼着膜２１０が形成された側を支持基板１０Ａに貼り合わせる。単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。そして、半導体層を用いることでスイッチング素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】非表示領域に位置するキャパシタが占める面積を最小化しながら高容量のキャパシタを具現することができ、別の追加工程なしに高容量を有するキャパシタを具現することができる構造を有するアレイ基板を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、多数の画素部を含む表示領域及び該表示領域の外郭に位置する周辺領域を有する基板と、基板の表示領域に形成されゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、基板の周辺領域に形成され下部に位置する第１サブキャパシタ及び上部に位置する第２サブキャパシタが電気的に並列接続される構造を有するキャパシタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】反射領域と透過領域とを備えた液晶表示装置において、反射電極と透過電極とを工程数の増加を抑えて製造する。
【解決手段】透過領域と反射領域とを有する画素に対し、反射電極を形成する金属層と、透過電極を形成する透明導電膜とを連続して積層する。レジスト膜を露光現像して、第１のパターンを形成して金属層と透明導電膜とを同時にエッチングする。その後アッシングによりレジスト膜に第２のパターンを形成し、金属層をエッチングする。また、有機樹脂層をコンタクトホールを形成するマスクとして利用する。 （もっと読む）