【課題】液晶層が適正に交流駆動され、明るい表示が得られる液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００の画素７は、第１電極１９および第２電極９と、第１電極１９が接続されたＴＦＴ１１および第１保持容量１３と、第１データ線６ａと、第２電極９が接続されたＴＦＴ１２および第２保持容量１４と、第２データ線６ｂと、走査線３とを備え、第１電極１９と第２電極９とに与えられた電位によって液晶層５０が交流駆動されるものである。第１データ線６ａおよび第２データ線６ｂの延在方向における前段の走査線３Ｆが後段画素の第１保持容量１３および第２保持容量１４における一方の電極を兼ねており、後段画素の第１電極１９および第２電極９は、前段の走査線３Ｆに対向配置された第１保持容量１３および第２保持容量１４における他方の電極１３ａ，１４ａにそれぞれ繋がる引き回し配線部１９ｃ，９ｃを有している。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法において、効率的なレイアウトを有する積層構造を形成することによって、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、第１の導電層（７）を形成する工程と、第１の絶縁層（１４）を介して第２の導電層（８）を形成する工程と、第２の絶縁層（１５）を形成する工程と、第１及び第２の絶縁層並びに第２の導電層を貫通するようにコンタクトホール（３３）を形成する工程と、第２の導電層のうちコンタクトホールに面する領域を酸化することで、絶縁部（８ｂ）を形成する工程と、コンタクトホールを埋めるように第３の導電層（９）を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを利用して各画素別の２つの副画素の電圧差を一定に維持することによって、テクスチャなどの表示不良なしに側面視認性を高める液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に配置される複数の信号線と、前記複数の信号線に接続され、第１副画素電極及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置される液晶層と、前記第２副画素電極に接続されるスイッチング素子の出力端子と前記第１副画素電極との間に接続される昇圧キャパシタと、を含み、前記昇圧キャパシタは、前記スイッチング素子の出力端子と接続される第１導電体と前記第１副画素電極と接続される第２導電体とが、絶縁膜を介して重畳して形成され、前記第２導電体は、前記スイッチング素子の出力端子に対向する端部に形成される切開部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】開口率の向上を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】ｘ方向に第１画素、第２画素がこの順で繰り返して配置される画素群と、前記画素群に対し第１ゲート信号線と第２ゲート信号線を備える液晶表示装置であって、
画素電極と電気的に接続される中間電極がストレージ線との間に容量素子を形成し、
前記ストレージ線は、前記第１ゲート信号線に隣接した第１ストレージ線と、前記第２ゲート信号線に隣接した第２ストレージ線と、前記第１ストレージ線と前記第２ストレージ線と電気的に接続する第３ストレージ線とを有し、
前記第１画素の中間電極は、前記第３ストレージ線に重畳して延在する第１延在部と、前記第２ストレージ線に重畳して延在する第２延在部とを有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の一辺に駆動回路を有し、コモン転移を介して対向基板側へ共通電圧を供給するアクティブマトリクス型表示装置において、歩留まりを低下させることなく、額縁領域の面積を縮小する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０は、バスライン駆動回路１６が配置された一辺に対向する辺に設けられたコモン転移１５ａ，１５ｂへコモン信号を供給するコモン配線１４と、実画素領域の画素電極と当該画素電極を駆動する走査線に隣接する走査線との間で形成された補助容量とを備える。コモン配線の少なくとも一部が画素領域におけるダミー画素領域に配置されており、ダミー画素領域に配置されたコモン配線の部分の幅は補助容量を形成する走査線の幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置２は、第１基板１６に設けられた第１配向膜６０と、第２基板１８に設けられた第２配向膜４８と、第１配向膜６０と第２配向膜４８との間に挟持された液晶層４０と、第１基板１６に設けられ、液晶層４０に電界を印加して液晶層４０を調光駆動するための第１電極３６及び第２電極３８と、電界が発生する第１電極３６及び第２電極３８の各界面に設けられた第１絶縁膜９２と、第１基板１６に設けられ、画素スイッチング素子３４の表面を被覆する第２絶縁膜５８と、を含み、第１電極３６は、第２電極３８と同一の材料で構成され、第２配向膜４８は、第１配向膜６０よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１配向膜６０は、第１絶縁膜９２よりも比抵抗が高い材料で構成され、第１絶縁膜９２は、第２絶縁膜５８よりも比抵抗が低い材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】短絡が発生せず光の漏れ現象が効率的に防止され、画質を向上する。
【解決手段】絶縁第１基板と、走査信号を伝達するゲート線と、画像信号を伝達するデータ線と、第１基板と対向している第２基板と、第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、ゲート線とデータ線とによって区分される画素と、各画素を区画するブラックマトリックスと、画素ごとに別途に形成されている画素電極とを含み、画素電極と前段のゲート線との間で維持容量を形成する液晶表示装置において、第１画素行の各画素の開口率は他の画素行の各画素の開口率と異なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置と光センサとを備えた電気光学装置において、回路規模の増大や開
口率の低下を招くことなく、外光および表示すべき映像が暗くても、画面と指示物との接
触や近接を検出可能とする。
【解決手段】電気光学装置５００は、液晶素子ＬＣとこれを照らすバックライト２とを有
し、バックライト２から発して液晶素子ＬＣを透過した光を画面から出射させて画面に画
像を表示する液晶表示装置と、液晶表示装置の画面から入射した光を受光し、受光した光
の強度を検出するセンシング単位回路ＵＢとを備え、センシング単位回路ＵＢに検出され
た強度に基づいて、指示物で指示された位置を検出する。さらに、電気光学装置５００は
、表示単位回路ＵＡに、水平有効走査期間では映像データに応じた階調を、水平帰線期間
では最高輝度の階調を表示させる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】開口率を高め、改善された視認性と透過率を実現することができる表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネル及びこれを有する液晶表示装置において、表示パネルは、ゲート線、ゲート線と交差するデータ線、ゲート線及びデータ線と接続される第１トランジスタ、ゲート線及びデータ線と接続される第２トランジスタ、ゲート線と離間して配置される維持電極線、維持電極線及び第２トランジスタと接続される第３トランジスタ、第１トランジスタと接続される第１画素電極、並びに第２トランジスタ及び第３トランジスタと接続される第２画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】画素信号による物体検出の精度低下を防止または抑止する。
【解決手段】液晶層は印加電圧に応じて表示を画素ごとに変化させる。複数の駆動電極は、一方向に分離して配置され、一方向に沿った画素配列で表示を行う１Ｈ期間中は一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、これが検出走査時に異なる電位に変化して検出駆動信号が付与される。複数のソース線ＳＬは、Ｖｃｏｍとの電位差で印加電圧を液晶層に付与するための画素信号が印加される。複数のセンサ線ＳＮＬは、一方向と異なる方向に分離して配置され、複数の駆動電極の各々と静電容量で結合し、検出駆動信号に応答して検出電位が発生し、検出電位が被検出物の近接にともなって変化する。表示制御回路２００、ソースドライバ３００およびゲートドライバ４００は、１Ｈ期間中に、複数の画素信号に対し極性が異なる画素信号を含む制御を行う。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、各々透過領域と反射領域とを含む複数の画素を含む第１基板と、第１基板に対向する第２基板と、第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、を含む。画素の各々は、第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第１画素電圧が充電される透過画素電極と、第２画素電圧が充電される反射画素電極と、第１画素電圧及び第２画素電圧を調節する電圧調節部と、を含む。透過画素電極及び反射画素電極の電圧を調節することによって、単一セルギャップの実現が可能であり、これによって、表示品質が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テレビ受像機や電子機器の表示部に用いられる液晶表示装置に関し、視野角が広く視角特性に優れる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容量結合ＨＴ法により低階調側の視角特性が改善される（▲印）。駆動ＨＴ法により中階調から高階調側の視角特性が改善される（■印）。容量結合ＨＴ法と、駆動ＨＴ法とを組み合わせて液晶を駆動することにより、両ＨＴ法の改善効果が加算され、液晶表示装置の視角特性は低階調から高階調の広い範囲で向上する（○印）。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、比較的簡易な構成で、各画素の残存電圧を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の表示領域（１０ａ）で互いに交差する走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）と、走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極及び画素電極に絶縁膜（７５）を介して対向配置される導電膜（９ｂ）からなる蓄積容量（７０）と、画素電極及び導電膜の少なくとも一方を延在し、画素電極及び導電膜を互いに電気的に接続する抵抗部（２００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増加やソフトの複雑化を行うことなく、指等の指示手段の位置を精度良く特定することができる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】任意の個数の画素部７２毎に配置され、光強度を検出する複数の光センサー部１５０ａと、光センサー部１５０ａの検出値を、当該光センサー部１５０ａに対応する画素部７２の表示階調に応じて補正する補正部１５０ｂとを備える。補正部１５０ｂは、画素部７２の蓄積容量（保持容量）Ｃｓと光センサー部１５０ａの蓄積容量Ｃｋとを一定期間接続して、蓄積容量Ｃｓの電荷に応じて蓄積容量Ｃｋを充電することで、光センサー部１５０ａの検出値を補正する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の額縁領域において光漏れを信頼性よく防止する。
【解決手段】画像表示領域と、シール材ＳＬと、第２基板の液晶側の面であって画像表示領域よりも外側に形成された遮光膜ＢＭｆと、第１基板の画像表示領域に、第１方向に伸長されるドレイン信号線ＤＬと、第２方向に伸長されるゲート信号線ＧＬと、薄膜トランジスタＴＦＴと、画素電極ＰＸとを備え、画素電極と対向電極ＣＴ間に電界が印加されていない状態で明表示がなされる液晶表示装置であって、ドレイン信号線は、第２基板の遮光膜と重なる領域まで伸長され、かつ、画像表示領域より外側であってシール材よりも内側の領域のうち、隣接するドレイン信号線の間の領域の１つあたりに、２つ以上の遮光セグメントＳＨＳが、ドレイン信号線と同層で形成され、ドレイン信号線と遮光セグメントとの間隔および隣接する遮光セグメント同士の間隔は、それぞれ３０μｍ未満の値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、パターニング後、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力をパターン側面を含めて開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成し、ＳｉＯ₂膜を緻密化するため成膜温度より高い温度でアニールを行った場合、ＳｉＯ₂膜中にクラックが入る欠陥が生じる場合がある。このクラックの発生を抑えるために、アニール時の温度変化速度を抑え、急激な熱膨張／熱収縮を避けているが、クラック欠陥を十分抑えられないという課題がある。
【解決手段】ＷＳｉ膜を用いた、走査線前駆体１１ｃをスパッタリングにより２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、無機絶縁膜１００としてＳｉＯ₂膜を堆積する。そして、約７００℃で熱処理を行う。そして、無機絶縁膜１００を除去する。走査線前駆体１１ｃの改質に伴い、無機絶縁膜１００との間には応力が掛かっている。ここで、無機絶縁膜１００を除去することで、走査線前駆体１１ｃの改質に伴う応力を開放することが可能となり、クラック欠陥の発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）