【課題】反射領域と透過領域とを備えた液晶表示装置において、反射電極と透過電極とを工程数の増加を抑えて製造する。
【解決手段】透過領域と反射領域とを有する画素に対し、反射電極を形成する金属層と、透過電極を形成する透明導電膜とを連続して積層する。レジスト膜を露光現像して、第１のパターンを形成して金属層と透明導電膜とを同時にエッチングする。その後アッシングによりレジスト膜に第２のパターンを形成し、金属層をエッチングする。また、有機樹脂層をコンタクトホールを形成するマスクとして利用する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板５１０と、基板上５１０に配置され、ゲートライン、前記ゲートラインと連結されたゲート電極１３０、及び伝導体パターン１４０を含むゲート配線と、前記ゲート配線をカバーするゲート絶縁膜５２０と、ゲート絶縁膜５２０上に配置される活性パターン２１０と、活性パターン２１０上に配置され前記ゲートラインと交差されるデータライン３１０、ゲート電極１３０上に位置するソース電極３２０、及びドレイン電極３３０を含むデータ配線と、前記データ配線をカバーする保護膜５３０と、基板５１０と前記ゲート絶縁膜５３０上に配置される画素電極４１０と、を含んで構成される薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】最外郭に位置する液晶セルが明るく見える現象を防止できる液晶表示パネル及びその駆動方法並びに液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートライン及びデータラインのそれぞれに接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極を含む液晶セルと、前記液晶セルに接続される補助キャパシタとを備え、前記ゲートライン及びデータラインの少なくとも１つの信号ラインの最初と最後の信号ラインに対応する液晶セルに接続される前記補助キャパシタは、残りの信号ラインに対応する液晶セルに接続される補助キャパシタと異なる容量値を有する。 （もっと読む）

【課題】透過表示と反射表示における優れた表示品位が液晶層の段差無しに得られる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】反射電極１３２が配置されていない部分では、反射電極１３２の端部１３２ａと対向電極１７３との間の電界により液晶分子１９０が配列する。反射電極１３２が配置されている部分や透過表示部２０に比べ、反射電極１３２が配置されていない部分では、液晶分子１９０の傾きが異なるので、反射表示部１０での表示を行うための光に与えられる位相差と、透過表示部２０での表示を行うための光に与えられる位相差とを等しくできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は寄生キャパシタンスの偏差による垂直クロストークを防止できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は第１及び第２階調領域に分割された各サブ画素領域のうち前記第１階調領域に形成された第１画素電極と、前記第１画素電極で取り囲まれた前記第２階調領域に第１画素電極と分離して形成された第２画素電極を具備する。 （もっと読む）

【課題】信号電極の延長線が断線しにくい、クロストーク等が生じにくい、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２と、第２絶縁基板３と、両基板間に設けられた液晶４と、第１絶縁基板２上において行状に配置された複数の走査電極８と、走査電極８上および第１絶縁基板２上の第１絶縁層２ａ上に列状に配置された複数の信号電極９と、信号電極９上および第１絶縁層２ａ上に設けられた第２絶縁層７とを備え、第１絶縁基板２は第２絶縁基板３より突出した突出領域４０が設けられ、１端が各走査電極８に接続され、他端が突出領域４０上に位置する各走査延長線ｇ１ａ〜ｇ２２０ａが設けられ、１端が各信号電極９に接続され、他端が突出領域４０上に位置する各信号延長線ｓ１ａ〜ｓ５２８ａが設けられ、第１絶縁層２ａは各走査延長線上および各信号延長線上および突出領域上にも設けられ、第２絶縁層７は第１絶縁層２ａ上に設けられた。 （もっと読む）

【課題】複数の画素ユニットを組み合わせて大きなサイズのディスプレイパネルを製造する際、画素ユニット間で異なる寄生キャパシタＣ_ｐのキャパシタンスの影響を受ける電荷蓄積キャパシタのシフト値を固定する。
【解決手段】上記課題を解決するために、第一金属層と第二金属層とを備える画素ユニットにおいて、第一金属層でゲート電極及び第一電極とを構成し、第二金属層でドレイン電極、ソース電極及び第二電極とを構成する。この構成では、ドレイン電極は第一重畳領域でゲート電極と重なり合い、ソース電極は第二重畳領域でゲート電極と重なり合ってＴＦＴを形成し、第二電極は第三重畳領域で第一電極と重なり合って電荷蓄積キャパシタを形成する。そして、この電荷蓄積キャパシタを構成する前記第一電極と前記第二電極の大きさはほぼ等しくし、当該第一電極と当該第二電極との位置関係にはずれがある配置とする。 （もっと読む）

【課題】光学補償複屈折液晶ディスプレイ（OCB-LCD）での液晶分子をスプレイ状態からベンド状態へ速く変換することができる画素構造および液晶ディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】この画素構造は、能動素子、画素電極、絶縁層、および転移電極を含んでいる。能動素子は、走査線およびデータ線に電気的に接続されている。画素構造は、能動素子に電気的に接続されている。絶縁層は、走査線、データ線、および画素電極上に配置される。転移電極は、絶縁層に配置され、転移電極と画素電極との間に横電場が生じる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単一セルギャップを有すると同時に、透過領域及び反射領域での電気光学特性を一致させ低消費電力を具現できる半透過型液晶表示装置、及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明による半透過型液晶表示装置は、第１サブ画素の反射領域及び透過領域それぞれに形成された第１及び第２液晶セルと、前記第１及び第２液晶セルそれぞれに接続された第１及び第２薄膜トランジスタと、前記第１及び第２液晶セルそれぞれに接続された第１及び第２ストレージキャパシタと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 周辺領域を狭くした液晶表示装置を提供する。特に、周辺領域に配置した接続線の断線、または短絡を抑制した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は画素電極を有する画素領域と画素領域を囲む周辺領域とを有し、画素領域にはゲート線とドレイン線が配線され、周辺領域にはゲートドライバとドレインドライバが配置されている。ゲートドライバと複数のゲート線とを接続する複数のゲート接続線は周辺領域で積層されている。 （もっと読む）

【課題】 各画素が、ストア容量とストレージ容量とを有するフィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置において、画素の開口率を低下させることなく、ストア容量とストレージ容量とを形成する。
【解決手段】 液晶表示パネルと、複数色の光を順次照射するバックライトとを備え、前記液晶表示パネルは、それぞれ画素電極を有する画素を複数有し、前記各画素は、ストア容量と、前記画素電極に一方の端子が接続されるストレージ容量とを有し、第１期間に、前記各画素のストア容量に書き込まれた映像電圧を一括して各画素の画素電極に印加し、前記第１期間に続く第２期間に、前記各画素のストア容量に映像電圧を順次書き込むとともに、前記バックライトが、前記各画素電極に印加された映像信号に対応する色の光を発光させる液晶表示装置であって、前記ストア容量と、前記ストレージ容量とは、積層されている。 （もっと読む）

【課題】保持容量の容量値を低下させることなく、画素開口率を高めることのできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１において、下電極３ｃにおいて上電極６ｃの張り出し領域６ｄが位置する側の端部３ｅと、下層側の絶縁基板１１との層間にタンタル酸化物などからなる高誘電率層５１が形成されているため、下電極３ｃの端部３ｅから延びる電気力線は、比誘電率の低い絶縁基板１１を通らず、高誘電体層５１を通って上電極６ｃの張り出し領域６ｄに届くので、かかる張り出し領域６ｄおよび下電極３ｃの端部３ｅも保持容量１ｈの容量値に寄与する。 （もっと読む）

【課題】絵素電極に形成された配向規制手段としての開口部の周辺のフリンジフィールド効果による配向規制力を高めることにより開口部面積の縮小化を可能にする液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶層を挟んで互いに対向する１対の基板のうち、少なくとも一方の基板上の電極には、液晶層の配向規制手段としての開口部が形成され、液晶層は、電極間に電圧が印加されていないときに垂直配向状態をとり、且つ、電極間に電圧が印加されたときに開口部内への等電位線の落ち込みにより開口部エッジ近傍に生成される斜め電界によって傾斜配向状態をとる液晶表示装置において、開口部が形成された領域に対応する位置には、等電位線の落ち込みを更に大きくさせるための開口部下電極を更に備えると共に、この開口部下電極エッジ部分には、開口部領域内において開口部エッジに沿った複数の凸凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】回折露光工程を通した二重段差のフォトレジスト及びフォトレジストのリフト-ストリップ工程を適用し、３回のマスク工程で薄膜トランジスタアレイ基板を形成することで、工程時間及び工程単価を節減できる液晶表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート配線１１２、ゲート電極１１２ａ及びゲートパッド電極１２２と；前記ゲート配線と垂直に交差するデータ配線１１５、前記ゲート電極の上部に形成されるソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂ及び前記データ配線の終端に形成されるデータパッド電極１２５と；前記データ配線、前記ソース／ドレイン電極及び前記データパッド電極の下部に形成されるゲート絶縁膜及び半導体層と；前記ソース電極とドレイン電極との間の半導体層チャネル領域上に形成される保護膜と；前記ドレイン電極にコンタクトされる画素電極１１７と；を含んで液晶表示素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、駆動回路一体型の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。また、第２マスク工程及び第３マスク工程によって、ｐ型及びｎ型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成して、前記各薄膜トランジスタの多結晶半導体層にｐ＋イオンと、ｎ＋イオンのドーピング工程及びｎ-イオンのドーピング工程を行い、第２ストレージ電極を形成する。さらに、前記各多結晶薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と画素電極を単一マスク工程によって形成する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増やすことなく、対向基板側のブラックマトリクスによる開口率の低下を解消した液晶表示パネルおよび該液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、複数の画像信号配線２と、複数の走査信号配線１と、スイッチング素子５と、画素電極３と、対向電極１１と、液晶材料１０とを有しており、画素電極３よりも画像信号配線２側に張り出し且つ画素毎に分離された光反射性の金属膜４を、画素電極３の裏面側に絶縁膜８を介して設けてなる。また、金属膜４は、各画素で画像信号配線２と垂直方向において重なっている。 （もっと読む）

【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示装置であって、前記第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子の上層に順次形成された第１の絶縁膜1３Ａ、第１の電極ＩＴＯ２、塗布型絶縁膜からなる第２の絶縁膜２０、画素電極である第２の電極ＩＴＯ１の積層膜を有し、かつ前記第２の電極ＩＴＯ１は、前記第１の絶縁膜１３Ａに設けられた第１のコンタクトホールＳＨ３内を一旦第２の絶縁膜２０で充填し平坦化した後に、改めて該部位に設けられた第２のコンタクトホールＳＨ４を介して前記アクティブ素子に電気的に接続されており、また前記第１の電極ＩＴＯ２と、前記第２の電極ＩＴＯ１と、前記第２の絶縁膜２０とによって、保持容量が形成されている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動基板として使われる薄膜半導体装置の画素開口率を改善する。
【解決手段】遮光帯５は、第一の導電層からなり少なくとも一部がゲート配線に使用されている。ゲート電極Ｇは、第一の導電層とは異なる第二の導電層からなる。ゲート配線に使用される第一の導電層と、ゲート電極Ｇになる第二の導電層とが、各画素内で互いにコンタクトＧＣＮを介して電気的に接続されている。ゲート電極Ｇになる第二の導電層は各画素毎に分断されており、分断された個々の第二の導電層の部分は各画素内でゲート配線に使用される第一の導電層と電気的に接続されている。補助容量１３は第一の導電層の上に重ねて形成されている。 （もっと読む）

【課題】共通電位を第１の基板側から第２の基板側に供給する液晶表示装置において、その信頼性を向上させると共に狭額縁化を図る。
【解決手段】第１の基板１０側に形成された透明電極パッド１６は、コンタクトホールＨ１を通して保持容量線ＳＬと接続され、平坦化膜１５上を垂直駆動回路１０２上に重畳するように延在している。垂直駆動回路１０２上に重畳する透明電極パッド１６は、同径もしくは略同径のスペーサ粒子１８及び導電粒子１９を含むシール樹脂３０を介して、第２の基板２０の対向電極２１と接続されている。即ち、第１及び第２の基板１０，２０は、シール樹脂３０により、同一箇所で貼りあわされると共に、電気的に良好に接続される。これにより、液晶表示装置の信頼性が向上すると共に、その狭額縁化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することと共に開口率を増加させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明な第１導電層１０１と不透明な第２導電層１０３が積層された二重構造のゲートライン１０２と、ゲートライン１０２と交差し、画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲートライン１０２及びデータライン１０４と接続された薄膜トランジスタと、ゲートライン１０２と並行して第１導電層１０１と第２導電層１０３を有する共通ライン１２０と、画素領域に共通ライン１２０の第１導電層１０１が延長され形成された共通電極１２２と、薄膜トランジスタと接続され、画素領域に共通電極１２２と水平電界を成すように形成された画素電極１１８とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）