【課題】電気光学装置において、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止し、高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、複数の画素電極と同一膜からなる導電部（６１０）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に設けられると共に、この絶縁膜に開口された開口部（８１０）から少なくとも一部が露出する端子（１０２ｃ）とを備える。更に、この端子にソースが電気的に接続されると共に導電部にドレインが電気的に接続された第１トランジスタ（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】写真製版工程を削減し、製造工程を短くし、ＴＦＴアレイのコストを低減すること。
【解決手段】ゲート配線・ゲート電極は上層の金属層と下層の透明導電体層の２層からなり、画素電極は、前記ゲート配線・ゲート電極の透明導電体層と同層の透明導電体層から形成され、保持容量電極はソース配線と同層の電極材料で形成されて画素電極に接続されており、画素電極部でゲート配線・ゲート電極の上層の金属層が除去されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることが可能で、干渉縞やモワレの発生を防ぎ、かつその特異な構造からフリンジ容量をも効率よく得ることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】信号線１０６への駆動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極１１１を介して印加され、これらの液晶セルによって画像を表示し、かつ画素部分の液晶印加電圧保持率を高めるために、保持容量を補うための蓄積容量Ｃｓを液晶容量Ｃ_ＬＣと液晶と並列に接続し、液晶を駆動する電界駆動液晶表示装置１００において、高開口率、低消費電力で蓄積容量Csに電荷を供給するために、Ｃｓ線ＬＣｓの構造を鍵型、櫛型、はしご型、穴型等の構造としてより多くのフリンジ容量を獲得する特徴を有し、Ｃｓ配線ＬＣｓの枝配線、穴型構造部をランダムな周期で配置する。 （もっと読む）

【課題】 表示エリアの開口率の向上が可能であり、ムラシミ・残像の発生を抑制できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ＴＦＴ基板１には第１の共通電極１１が、対向基板２には第１の共通電極１１と対向する第２の共通電極２３が、それぞれ形成されている。第２の共通電極２３と第１の共通電極１１とを相互に電気的に接続する導通部３０が、各表示画素の近傍、又は、所定の表示画素の近傍に形成されている。第２の共通電極２３には共通電位が入力され、該共通電極が導通部３０を介して第１の共通電極１１に入力される。従来必要であった共通電極配線が不要となるため、その分だけ表示エリア１３の開口率が向上する。第２の共通電極２３により、対向基板２の構成要素をＴＦＴ基板１からの電界からシールドし、ムラシミ・残像を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】透過領域の光透過率の向上と配線交差領域の低容量化とを確実に両立する。
【解決手段】互いに平行に延びる複数の第１配線と、各第１配線に交差して互いに平行に延びる複数の第２配線１９ａと、各第１配線と各第２配線１９ａとの間に設けられた窒化シリコン膜１６を含む第１層間絶縁膜１８と、各第２配線１９ａの第１層間絶縁膜１８の反対側に設けられた第２層間絶縁膜１９と、第２層間絶縁膜１９の各第２配線１９ａの反対側にマトリクス状に設けられた複数の画素電極２１とを備え、隣り合う各第１配線及び隣り合う各第２配線１９ａにより囲まれた透過領域Ｔと、各第１配線及び各第２配線１９ａが交差する配線交差領域Ｙとが規定されたＴＦＴ基板３０であって、透過領域Ｔの窒化シリコン膜１６の膜厚は、配線交差領域Ｙの窒化シリコン膜１６の膜厚よりも薄く、１３０ｎｍ以上且つ１６０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の構成要素の必要とする面積を削減して、各画素の有効利用可能面積の割合を増加させたアクティブマトリクス基板の提供。
【解決手段】マトリクス状に配列した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板であって、各画素に含まれる画素構成電極のうち少なくともソース電極、ゲート電極、保持容量電極のいずれかひとつは、隣接する画素間で共有していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ液晶パネルにおいても、開口率を犠牲にすることなく、容量結合駆動とし、液晶層にかかる電圧を増加できるようにする。
【解決手段】互いに一定の距離を挟んで対向配置される第１及び第２の基板と、第１及び第２の基板間に封止された液晶層と、第１の基板上に層違いに形成される画素電極及び対向電極と、画素電極と前記対向電極との間に電界を発生させ、液晶層の配列方向を可変制御するゲート電極配線とを有する液晶パネルに、以下の構造を適用する。すなわち、各段の画素列を駆動するゲート電極配線に、その各次段の画素列の画素電極と電気的に接続された半導体配線層との間でカップリング容量を構成するカップリング構造を追加する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を増大させることなく、画質を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素を有する液晶表示装置であって、前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、前記面状の対向電極よりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、前記面状の画素電極よりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、前記画素Ａと前記画素Ｂとを、市松模様に配置する。 （もっと読む）

【課題】ディスクリネーションの影響を減らし高い光透過率を有する液晶表示装置と、この液晶表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶層を挟持する一対の基板と、所定の配列軸に沿って設けられ表示領域を構成する複数の画素と、画素を構成する複数のサブ画素と、一対の基板の内の一方の基板上に設けられ、複数のサブ画素の各々に対応して設けられた複数の画素電極と、複数の画素電極上に絶縁膜を介して設けられた共通電極と、を備え、共通電極は、配列軸に対して斜めに交差する方向に延在する複数の第１電極２００ａと、複数の第１電極２００ａに対して斜めに交差する部分を有して配置され、複数の第１電極２００ａの一端部同士を接続する第２電極２００ｂと、複数の第１電極２００ａに対して斜めに交差する部分を有して配置され、複数の第１電極２００ａの他端部同士を接続する第３電極と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を実現する。
【解決手段】３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、互いに異なる角度にて複数の画素Ｐにおいて３原色の光束のそれぞれに対応する画素Ｐに集光されるように、マイクロレンズ２４を、マイクロレンズアレイ基板２１に形成する。そして、そのマイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、互いに平行に変換されて出射されるように、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、トランジスタに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）に電気的に接続されたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、トランジスタの半導体層を覆うように設けられた遮光部（１１）と、遮光部と重なるように設けられ、画素電極より下層側且つ半導体層より上層側に形成された第１導電膜（７１）と、第１導電膜より層間絶縁膜（４２）を介して上層側に形成されると共にコンタクトホール（８４）を介して第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜（９１）とを備える。更に、遮光部は、画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分（１１ｔ）を有しており、コンタクトホールは、基板上で平面的に見て、張出部分と少なくとも部分的に重なる。 （もっと読む）

【課題】平面内を進む平行光が反射電極に入射して反射光も同じ平面内を進むとき、虹ムラを発生しにくくできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】コンタクトホールに相当する部分の周囲の絶縁層をテーパ状に形成し、テーパ状部の上側に形成された反射電極１１の前面部がせりだすように湾曲し、画素の横断面を含む平面内を進む平行光が、反射電極１１で反射し、反射光が平面内を進むときに、反射光が平行光にならないようにする。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置用のアレイ基板１０及びその製造方法において、信号線３１が補助容量線１２等と交差する領域で断線部３１Ａを生じた場合に、容易にリペアが可能なものを提供する。
【解決手段】信号線３１及び島状金属パターン３２を形成した際に、断線部３１Ａを検出したならば、断線部３１Ａの両側の配線部分３１Ｂ，３１Ｃから島状金属パターン３２へ延びる第１及び第２ブリッジ配線８１，８２を、レーザーＣＶＤにより形成する。また、レーザー照射により、この島状金属パターン３２とＴＦＴ７-1との間の配線１４Ｃに切断部９１を設ける。厚型樹脂膜５及び画素電極パターンの形成後、バイパス配線８に用いた島状金属パターン３２を、一の画素電極６-1から切り離す切断部９３をレーザー照射により設ける。また、この一の画素電極６-1を隣の画素電極６-2に電気的に接続する第３ブリッジ配線８３をレーザーＣＶＤにより形成する。 （もっと読む）

【課題】高精細度表示に対応でき、反射型表示に最低限必要な反射型表示の輝度を確保し、透過型の表示装置と同等の透過型表示の輝度を確保し得る液晶表示装置を提供する。
【解決手段】Ｃｓオンゲート構造を採用し、補助容量配線（Ｃｓ線）の配線領域等を透過領域に充当して透過領域を増加させ、外部から取り入れた周囲光の反射による反射型表示を行う反射領域Ａと、内部に設けられた光源からの光の透過による透過型表示を行う透過領域Ｂとを有する画素領域が複数マトリクス状に配列されてなり、前記各画素領域には、反射領域と透過領域とが並列に配置されており、上記透過領域の開口率が上記画素領域全体の４０％以上、１００％未満である。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶の応答や、光源の発光時間が比較的長くなった場合でも、フィールドシーケンシャル駆動やインパルス駆動を行うことが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００は、信号線３１と、ゲートライン３２およびゲートライン３３と、液晶３９を含む画素３４とを備え、画素３４は、信号線３１がソースおよびドレインの一方に接続されるとともに、ゲートライン３２にゲートが接続されるトランジスタ３５と、トランジスタ３５のソースおよびドレインの他方に一方電極３６ａが接続される信号記憶容量３６と、信号記憶容量３６の一方電極３６ａにソースおよびドレインの一方が接続されるとともに、ゲートライン３３にゲートが接続されるトランジスタ３７と、トランジスタ３７のソースおよびドレインの他方に一方電極３８ａが接続される表示画素容量３８とを含む。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に半導体基板を接合、分離することで大面積基板上に半導体領域を形成して製造される半導体装置において、半導体基板の使用効率の向上、および接合境界における不良素子の発生の抑制を課題とする。
【解決手段】半導体基板を正六角形またはこれに準じる形に形成し、大面積基板に半導体基板を接合、分離する。さらに、接合された半導体の境界が、フォトリソグラフィ等によるパターニングの際に、エッチングによって除去される領域に位置するようなレイアウトとする。 （もっと読む）

【課題】部分モードにおいても横方向の表示むらを抑える。
【解決手段】画素１１０は、一端が画素電極に接続され、他端がコモン電極に接続された液晶容量と蓄積容量とを含む。コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、コモン電極駆動回路１７０ａは、各行のそれぞれにおいてＴＦＴ１７１〜１７４を有する。部分モードにおいて走査信号がＨレベルとなる間隔が長くなる場合に、その途中で制御信号Ｖg-cをＨレベルとし、ＴＦＴ１７５をオンさせて、コモン電極１０８の電位を信号線１６７のコモン信号Ｖcに確定させる。ここで、コモン信号Ｖcの電圧は、全行について正極性書込が指定された後においては低位側の電圧であり、負極性書込が指定された後においては高位側の電圧である。 （もっと読む）

【課題】開口率を損なうことなくセンシング回路を液晶表示装置に組み込む。
【解決手段】表示領域Ａには、複数の画素回路が形成され画像を表示する。この表示領域Ａの外延に沿ってセンシング領域Ｂ１およびＢ２が形成される。センシング領域Ｂ１およびＢ２では画像を表示せず、そこには、静電容量検出素子を備えたセンシング回路が形成される。さらに、センシング領域Ｂ１およびＢ２の隣接する表示領域Ａの辺に沿って個別領域Ｑ１およびＱ２がある。そこには、メニューボタンが表示される。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型のＴＦＴ液晶表示装置における画質むらを低減する。
【解決手段】 ある１本の走査信号線に沿って並んだ複数の画素は、２つの隣接する画素のうち該走査信号線の信号入力端に近いほうの画素の保持容量をＣｓｔ１、遠いほうの画素の保持容量をＣｓｔ２とするとＣｓｔ１≧Ｃｓｔ２であり、かつ、該走査信号線の前記信号入力端に最も近い画素の保持容量をＣｓｔ３、最も遠い画素の保持容量をＣｓｔ４とするとＣｓｔ３＞Ｃｓｔ４であり、ある１本の映像信号線に沿って並んだ複数の画素は、２つの隣接する画素のうち該映像信号線の信号入力端に近いほうの画素の保持容量をＣｓｔ５、遠いほうの画素の保持容量をＣｓｔ６とするとＣｓｔ５≧Ｃｓｔ６であり、かつ、該映像信号線の前記信号入力端に最も近い画素の保持容量をＣｓｔ７、最も遠い画素の保持容量をＣｓｔ８とするとＣｓｔ７＞Ｃｓｔ８である表示装置。 （もっと読む）