【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】装置の第１の金属レベル上に形成されたソースアドレスラインおよびＴＦＴドレイン電極を備えるアクティブマトリックスディスプレイ画素の装置アーキテクチャである。画素電極は第２の隔離された金属レベル上に形成されており、ＴＦＴゲート電極およびゲートアドレスラインは第１のレベルおよび第２のレベルの両方から少なくとも１つの誘電体層によって分離されている第３の金属レベル上に形成されている。第２のレベルの上にある画素電極は第１のレベルの上にあるドレイン電極とヴィアホール接続を介して電気的に接続されており、画素コンデンサは第２のレベル上にある画素電極の一部を第３のレベル上にある画素の隣接するラインのゲートアドレスラインの一部と重ね合わせることによって形成されている。装置は好ましくは印刷を用いる方法を使って形成される。
（もっと読む）

【課題】 ＴＦＴアレイ基板への入射光が画素ＴＦＴのチャネル領域に照射されることを防止し、表示画面におけるコントラストの低下を抑制することができる薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 画素ＴＦＴの下方に、画素毎に行方向１５及び列方向１６に配置され対応する画素ＴＦＴのドレイン領域７ｂに接続されている複数個の下部電極２を備えた補助容量２４が設けられているＴＦＴアレイ基板において、行方向１５に隣接する下部電極２間に形成される分離領域３ａと、これらの下部電極２に対応する２つの画素ＴＦＴのチャネル領域７ｃとの距離Ｌ１及びＬ２を略等しくすると共に、列方向１６に隣接する下部電極２間に形成される分離領域３ｂと、これらの下部電極２に対応する２つの画素ＴＦＴのチャネル領域７ｃとの距離Ｌ３及びＬ４を略等しくする。更に、分離領域３ａ及び３ｂの上方に上部電極５を配置する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域およびその近傍への迷光の入射を防ぐことが可能で光リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた配線パターン５と、配線パターン５を覆う層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に設けられた半導体層９と、ゲート絶縁膜１１を介して半導体層９上を横切る状態で設けられ層間絶縁膜７に形成された接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されたゲート電極１３とを備えた薄膜半導体装置１において、ゲート電極１３は、ゲート電極１３が上部に重ねて配置された半導体層９のチャネル領域９ａを挟んだ両側において、接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート線の両端から電位を印加してもゲート線の断線不良を検知できるアレイ基板の検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１０内の書込回路１１は、アレイ基板１上の複数の信号線の中から信号線Ｄｃを選択し、書込期間中、信号線Ｄｃに書込電位ＶＤを印加する。さらに、書込期間中、ゲート駆動回路１２が選択されたゲート線Ｇ１の一端に駆動電位ＶＧＨを印加し、かつ、ゲート駆動回路１３がゲート線Ｇ１の他端に保持電位ＶＧＬを印加することによりスイッチングトランジスタＴｒｃ１をオンにする。書込期間経過後、検査装置１０はスイッチングトランジスタＴｒｃ１を再びオンにし、電荷量測定回路１８は保持キャパシタＣｃ１に蓄積された電荷量を測定する。判断部１６は測定した電荷量に基づいてゲート線Ｇ１の断線不良を判断する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＡＬ方式等対応の解像度が低く画素面積が大きい液晶表示装置であって、画質が向上され画素欠陥が目立たないような液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置の各画素を２分割あるいは３分割し、分割されたそれぞれの副画素は液晶層にそれぞれ異なる電圧を印加することができる電極からなる。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化しながら開口率を増加させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクを用いてゲートライン、ゲート電極及び共通ラインを含む第１のマスクパターン群を形成する段階と、第２のマスクを用いて前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンと、その上に重畳されたデータライン及びソース電極とドレイン電極を含むソース/ドレインパターンを含む第２のマスクパターン群を形成する段階と、第３のマスクを用いて前記保護膜を貫通する画素ホールを形成し、該画素ホール内に前記保護膜と境界をなして位置し、前記ドレイン電極と接続され、前記共通電極と水平電界を形成する画素電極を含むことを特徴とする第３のマスクパターンを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】着弾した液滴を確実に溝内に塗れ拡がらせて細線化を可能にする
【解決手段】基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、第１の工程及び第４の工程及び第６の工程の少なくとも一つの工程では、機能液３２が塗布される被塗布領域３１と、被塗布領域３１を囲んで形成されたバンクＢとを有し、被塗布領域に対する機能液の接触角と、バンクに対する機能液の接触角との差が４０°以上であり、バンク間の溝幅Ｗが、吐出された機能液の液滴の直径Ｄよりも小さい基板Ｐに対して機能液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、側面の視認性を向上させ、コントラストの低下を防止する。
【解決手段】絶縁基板上に、ゲート線１２１、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線１７１、ゲート線及びデータ線が交差して画定する各画素領域に形成されている画素電極１９０、並びに、ゲート線、データ線、及び画素電極にゲート電極１２４、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５が接続されている薄膜トランジスタが形成されている。画素電極は、第１サブ画素電極１９０ａ及び第２サブ画素電極１９０ｂを含み、第１サブ画素電極は薄膜トランジスタと直接接続されており、第２サブ画素電極は第１サブ画素電極と接続されている結合電極１７６と重畳して容量性結合されている。結合電極は、偏光板の偏光方向に対して垂直または平行にのびていて、偏光板の偏光方向に対して垂直または平行な境界を有する。 （もっと読む）

液晶表示装置用アクティブ・プレートが、複数の列として配置された絶縁層（７６）を有し、各絶縁層の配列は、２つの隣接する画素列からなる画素電極（１２）と重なり合う。不透明な導体層が基板上に形成され、パターン形成されて絶縁層の最上部の列導体（３４）と、薄膜トランジスタ層（６６）の最上部上のトランジスタ用ソース電極およびドレイン電極とを画定する。それゆえ、絶縁層（７６）は列導体（３４）の下に画定されるので、交差する行導体と列導体の間にある。さらに、絶縁層（７６）の列は隣接する対になった画素電極（１２）と重なり合うので、列導体が画素電極と重なり合うことが可能であり、これにより画素の開口が増加する。しかしながら、透明な画素電極（１２）は堆積される第１の層である。これによってプロセス簡便化の利益が与えられ、これに対応する高品質なアクティブ・マトリックスＬＣＤ（ＡＭＬＣＤ）表示装置の製造コストが低減される。
（もっと読む）

【課題】 開口率が高く、且つ電界を印加したときの配向の安定性を向上させた、高コントラストで広視野角を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に負の誘電異方性を有する液晶２１が封入され、ＴＦＴ基板２側に、画素電極１１と、画素電極１１の周囲に形成されたＣＳ電極１３とを備える。画素電極１１は、ＩＴＯ膜から構成される透明電極であり、四隅から画素中心部に向かって形成され、且つ互いに交差しない複数のスリット１７を有する。液晶２１は、画素のほぼ中心に配向の中心を一致させた単一の配向状態に配列する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子の単位画素を第１及び第２画素部に２分割し、各画素部に第１及び第２スイッチング素子を別途に形成することにより、１つのスイッチング素子に不良が発生したとき、単位画素全体が不良になる可能性を排除する。
【解決手段】液晶表示素子は、第１基板及び第２基板と、前記第１基板の上に交差配置されて単位画素を定義し、前記単位画素を第１及び第２画素部に２分割するゲートライン及びデータラインと、前記第１及び第２画素部にそれぞれ備えられ、同一の走査信号が印加される第１及び第２スイッチング素子と、前記第１及び第２画素部に対応して形成される複数の第１及び第２共通電極と、前記第１及び第２画素部に対応して形成される複数の第１及び第２画素電極と、前記単位画素と隣接する単位画素に共有されて共通的に信号を印加する共通ラインと、前記第１と第２基板間に形成される液晶層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出法を用いてゲート配線あるいはゲート配線と同一工程で形成される配線を形成しかつ絶縁膜を薄膜化した場合における絶縁不良を防止する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ３０の少なくともゲート電極４１を兼ねるゲート配線４０の形成方法であって、上記ゲート配線４０の構成材料を含む液体材料を液滴として吐出する液滴吐出法を用いることによって、上記ゲート配線４０の一部４１を他の上記ゲート配線４０の部分よりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＣＯＭ電圧の変動を抑制して、画質を向上させる。
【解決手段】マトリクス状に配置された画素電極に信号線を介して供給される画像信号と共通電極に供給される基準電圧とに基づいて画素を駆動する表示部１０ａと、前記共通電極に基準電圧を供給する基準電圧配線ＬＦ１，ＬＦ２と、所定の固定電位を与える電源配線ＬＶ１，ＬＶ２と、前記基準電圧配線と前記電源配線との間にコンデンサを構成する容量形成領域１１３，１１４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】１つの画素に対応して２本の補助容量ライン２６ａ，２６ｂを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン２６を利用して補助容量３２ａ，３２ｂを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン２６を利用していない画素にも自画素の補助容量３２を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性異物の付着に起因する上下リーク発生箇所を微小欠陥にすることで欠陥として認識しにくくすると共に、高い表示品位を維持し、歩留りを向上することができ、また、Ｄ−Ｃｓリークや、補助容量配線上に形成された容量電極と信号線間の電気的短絡等の不良モードに対しても対応可能な表示装置用基板を提供する。
【解決手段】表示媒体層を挟んで互いに対向するアクティブマトリクス基板及び対向基板とを備え、上記アクティブマトリクス基板が表示媒体層側にマトリクス状に配置された画素電極を有し、上記対向基板が表示媒体層側に画素電極に対向する共通電極を有する構造をもつ表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、画素電極又は共通電極に形成された電極スリットを有し、上記電極スリットの電気的接続部は、少なくとも１つが遮光領域外に設けられたものである表示装置用基板。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）