平面表示装置
【課題】 半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得る。
【解決手段】 平面表示装置において、透過電極と走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極１５ｂ、１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極１５ｂ、１７ｂに対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定する。
【解決手段】 平面表示装置において、透過電極と走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極１５ｂ、１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極１５ｂ、１７ｂに対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置としては、液晶を用いる液晶表示装置が様々な分野で使用されている。液晶表示装置は、薄型で軽量及び低消費電力であるため、携帯情報端末、コンピュータ及びテレビ等に用いられている。
【０００３】
この液晶表示装置は、複数の画素電極を有するアレイ基板、各画素電極に共通して対向する共通電極を有する対向基板、及びアレイ基板と対向基板との間に保持された液晶層等を備えている。なお、共通電極には、一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【０００４】
このような液晶表示装置の中には、室内外での良好な表示を得るため、様々な半透過型の液晶表示装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。この半透過型の液晶表示装置の中には、複数の透過画素を有する透過領域と複数の反射画素を有する反射領域とを備える液晶表示装置や、複数の透過画素を有する透過領域と複数の半透過画素を有する半透過領域とを備える液晶表示装置等が開発されている。
【０００５】
透過画素は、画素電極として光が透過する透過電極を有する透過部から構成されており、反射画素は、画素電極として光を反射する反射電極を有する反射部から構成されている。また、半透過画素は、画素電極の一部として透過電極を有する透過部及び画素電極の一部として反射電極を有する反射部から構成されている。
【０００６】
このような半透過型の液晶表示装置は、室内等の暗い場所において、透過部によりバックライトからの光を表示に使用する透過型の液晶表示装置として機能し、室外等の明るい場所において、反射部により外光を反射させて表示に使用する反射型の液晶表示装置として機能する。これにより、明るい場所では、バックライトを用いずに画像を表示することが可能になるため、消費電力を大幅に削減することができる。
【０００７】
一般的に、半透過型の液晶表示装置では、良好な表示特性を得るため、反射部の液晶層は透過部の液晶層より薄く形成されており、反射部の液晶容量は透過部の液晶容量より大きくなる。このため、反射部を有する反射画素や半透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＢは、透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＡに比べて大きくなる（ＣｌｏａｄＢ＞ＣｌｏａｄＡ）。
【特許文献１】特開２００２−３０３８６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述したように透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、反射画素や半透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＢとが異なるため、フリッカ（ちらつき）率が最小になる最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値は各部で異なってしまう。このため、透過画素の透過部、半透過画素の透過部又は反射部のどれか１つに対応する最適な電圧値に共通電圧Ｖｃｏｍを設定した場合には、他の部分のフリッカが悪化してしまう。
【０００９】
通常、図９に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、主表示領域を構成する透過画素の透過部（図９中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になるように最適な電圧値Ｖ１０１に設定される。これにより、透過領域のフリッカは十分に抑えられる。このとき、半透過画素の透過部（図９中の点線Ｂ１）及び反射部（図９中の点線Ｂ２）のフリッカ率は大きく、特に反射部のフリッカ率は非常に大きくなる。このため、半透過領域のフリッカは悪化してしまう。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、平面表示装置において、基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、第１表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、第２表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極と共通電極との間に設けられた表示層と、を備え、透過電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されていることである。
【００１２】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴では、寄生容量ＣｇＡ、全寄生容量ＣｌｏａｄＡ、寄生容量ＣｇＢ及び全寄生容量ＣｌｏａｄＢを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定することによって、共通電極に印加する共通電圧を第１表示領域のフリッカが最小になる最適な電圧値に設定した場合でも、第２表示領域のフリッカが十分に抑えられる。
【００１３】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、平面表示装置において、基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、第１表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、第２表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極と共通電極との間に設けられた表示層と、を備え、透過電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されており、走査線に印加する電圧の振幅をΔＶとすると、（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されていることである。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴では、寄生容量ＣｇＡ、全寄生容量ＣｌｏａｄＡ、寄生容量ＣｇＢ及び全寄生容量ＣｌｏａｄＢを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定することによって、共通電極に印加する共通電圧を第１表示領域のフリッカが最小になる最適な電圧値に設定した場合でも、第２表示領域のフリッカが十分に抑えられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図７を参照して説明する。
【００１７】
図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る平面表示装置１は、複数の画素電極２を有するアレイ基板３、各画素電極２に共通して対向する共通電極４を有する対向基板５、及びアレイ基板３と対向基板５との間にシール材６により設けられた表示層７等を備えている。表示層７は、例えば液晶材料により液晶層として形成されている。また、各画素電極２上及び共通電極４上には、液晶分子の配向方向を規定する配向膜８ａ、８ｂが設けられている。アレイ基板３の下方には、光を照射するバックライト等の光源９が設けられている。なお、共通電極４には、一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【００１８】
図２に示すように、この平面表示装置１は、第１表示領域である主表示領域として透過型の透過領域Ｒａと、第２表示領域である副表示領域として半透過型の半透過領域Ｒｂとを備えている。透過領域Ｒａは、光源９からの光だけを表示に利用する領域である。一方、半透過領域Ｒｂは、光源９からの光及び外光（例えば太陽光等）の両方を表示に利用する領域である。透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂの各表示領域は、液晶の配向状態の変化により画像を表示する領域である。
【００１９】
図３ないし図６に示すように、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのアレイ基板３上には、複数の走査線Ｇｎ及び複数の信号線Ｓｍがマトリクス状に交差させて設けられており、さらに、複数の補助容量線Ｃｎが各走査線Ｇｎに対応させて同数だけ設けられている。なお、各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍは、それぞれ駆動回路（図示せず）に接続されている。
【００２０】
図３及び図４に示すように、透過領域Ｒａには、複数の透過画素１１ａが各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍの交差点毎にそれぞれ設けられている。
【００２１】
透過画素１１ａは、走査線Ｇｎ及び信号線Ｓｍに接続されたトランジスタ１２ａ、そのトランジスタ１２ａに接続された透過部１３ａ及び補助容量１４ａ等により構成されている。透過部１３ａは画素容量として機能する。なお、透過部１３ａは光源９からの光を透過させて表示に用いる部分である。
【００２２】
トランジスタ１２ａは、例えば３端子を有する薄膜トランジスタである。このトランジスタ１２ａは、そのゲート電極を走査線Ｇｎに接続し、そのソース電極を信号線Ｓｍに接続し、さらに、そのドレイン電極を透過部１３ａ及び補助容量１４ａに接続することにより設けられている。
【００２３】
透過部１３ａは、トランジスタ１２ａに接続された画素電極２であって光が透過する透過電極１５ａ、その透過電極１５ａに対向する共通電極４、及び、透過電極１５ａと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。透過電極１５ａは、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性材料により形成されている。
【００２４】
補助容量１４ａは、トランジスタ１２ａと補助容量線Ｃｎとの間に接続されている。この補助容量１４ａは、透過電極１５ａに印加された電圧を保持するための容量である。なお、補助容量１４ａとしては、例えばコンデンサ（キャパシタ）を用いる。
【００２５】
図５及び図６に示すように、半透過領域Ｒｂには、複数の半透過画素１１ｂが各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍの交差点毎にそれぞれ設けられている。
【００２６】
半透過画素１１ｂは、走査線Ｇｎ及び信号線Ｓｍに接続されたトランジスタ１２ｂ、そのトランジスタ１２ｂに接続された透過部１３ｂ、反射部１６ｂ及び補助容量１４ｂ等により構成されている。透過部１３ｂ及び反射部１６ｂは画素容量として機能する。なお、透過部１３ｂは光源９からの光を透過させて表示に用いる部分である。また、反射部１６ｂは外光を反射して表示に用いる部分である。
【００２７】
トランジスタ１２ｂは、例えば３端子を有する薄膜トランジスタである。このトランジスタ１２ｂは、そのゲート電極を走査線Ｇｎに接続し、そのソース電極を信号線Ｓｍに接続し、さらに、そのドレイン電極を透過部１３ｂ、反射部１６ｂ及び補助容量１４ｂに接続することにより設けられている。
【００２８】
透過部１３ｂは、トランジスタ１２ｂに接続された画素電極２の一部であって光が透過する透過電極１５ｂ、その透過電極１５ｂに対向する共通電極４、及び、透過電極１５ｂと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。透過電極１５ｂは、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性材料により形成されている。
【００２９】
反射部１６ｂは、トランジスタ１２ｂに接続された画素電極２の一部であって光を反射する反射電極１７ｂ、その反射電極１７ｂに対向する共通電極４、及び、反射電極１７ｂと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。反射電極１７ｂは、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射可能な導電性材料により形成されている。なお、半透過領域Ｒｂにおける１つの画素電極２は、透過電極１５ｂと反射電極１７ｂとにより構成されている。
【００３０】
補助容量１４ｂは、トランジスタ１２ｂと補助容量線Ｃｎとの間に接続されている。この補助容量１４ｂは、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂに印加された電圧を保持するための容量である。なお、補助容量１４ｂとしては、例えばコンデンサ（キャパシタ）を用いる。
【００３１】
ここで、共通電極４と反射電極１７ｂとの間の距離（セルギャップ）は、例えば反射電極１７ｂに対向させて段差部等を設けることにより、共通電極４と透過電極１５ａ、１５ｂとの間の距離に比べ短く設定されている。これにより、反射部１６ｂの表示層７の厚さは透過部１３ａ、１３ｂの表示層７の厚さより薄くなる。したがって、反射部１６ｂの表示層７を往復して透過する外光の位相差（リタデーション）と、光源９から透過部１３ａ、１３ｂの表示層７を一方向に通過する光の位相差との差が小さくなるので、平面表示装置１の表示特性を向上させることができる。
【００３２】
このような平面表示装置１は、室内等の暗い場所において、透過画素１１ａ及び半透過画素１１ｂの透過部１３ａ、１３ｂにより光源９からの光を表示に使用する透過型の液晶表示装置として機能し、室外等の明るい場所において、半透過画素１１ｂの反射部１６ｂにより外光を反射させて表示に使用する反射型の液晶表示装置として機能し、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂに画像を表示する。このとき、平面表示装置１は、透過電極１５ａ、１５ｂ及び反射電極１７ｂと共通電極４との間への電圧印加により、透過部１３ａ、１３ｂ及び反射部１６ｂの表示層７の透過光量を変化させる。
【００３３】
次に、共通電極４に印加する共通電圧Ｖｃｏｍの設定について説明する。なお、走査線Ｇｎには、振幅がΔＶであるゲート電圧が駆動回路により供給される。
【００３４】
図４に示すように、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡは、ＣｌｏａｄＡ＝ＣｌｃＡ＋ＣｓＡ＋ＣｇＡ＋ＣｄＡ（ＣｌｃＡ：透過部１３ａの容量、ＣｓＡ：補助容量１４ａ、ＣｇＡ：透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量、ＣｄＡ：透過電極１５ａと信号線Ｓｍとの間の寄生容量）となる。
【００３５】
図６に示すように、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢは、ＣｌｏａｄＢ＝ＣｌｃＢ＋ＣｓＢ＋ＣｇＢ＋ＣｄＢ（ＣｌｃＢ：透過部１３ｂの容量＋反射部１６ｂの容量、ＣｓＢ：補助容量１４ｂ、ＣｇＢ：透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量、ＣｄＢ：透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと信号線Ｓｍとの間の寄生容量）となる。ここで、透過部１３ｂの容量をＣｌｃＢ１とし、反射部１６ｂの容量をＣｌｃＢ２とすると、ＣｌｃＢ＝ＣｌｃＢ１＋ＣｌｃＢ２となる。
【００３６】
ここで、透過画素１１ａでのゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡは、ΔＶｇＡ＝ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ×ΔＶ（ΔＶ：ゲート電圧の振幅）となる。また、半透過画素１１ｂでのゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢは、ΔＶｇＢ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ×ΔＶ（ΔＶ：ゲート電圧の振幅）となる。このゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡ、ΔＶｇＢの分だけ共通電圧Ｖｃｏｍは変動する。
【００３７】
そこで、透過画素１１ａの透過部１３ａ及び半透過画素１１ｂの透過部１３ｂの両方に共通する最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値を設定するためには、ゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡとゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢとを同じにする必要がある（ΔＶｇＡ＝ΔＶｇＢ）。
【００３８】
このため、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素２ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素２ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ΔＶｇＡ＝ΔＶｇＢの関係式が成り立つように、すなわちＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されている。
【００３９】
このとき、各部の様々な設計値等が変更される。例えば、寄生容量ＣｇＡ及び寄生容量ＣｇＢは、ゲート電極及びソース電極の面積や配置、走査線Ｇｎの線幅、使用する材料等を変更することにより設定される。なお、寄生容量ＣｇＡ及び寄生容量ＣｇＢは、トランジスタ１２ａ、１２ｂのアレイ構造上、主にゲート電極とソース電極の重なり部分によって形成される。
【００４０】
ここで、通常、主表示領域である透過領域Ｒａは、副表示領域である半透過領域Ｒｂより大きいので、透過領域Ｒａのフリッカを主として抑える必要がある。このため、図７に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図７中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定される。このように共通電圧Ｖｃｏｍが、透過画素１１ａに最適な電圧値Ｖ１に設定された場合でも、半透過領域Ｒｂの透過部１３ｂ（図７中の点線Ｂ１）のフリッカ率及び反射部１６ｂ（図７中の点線Ｂ２）のフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａのフリッカを十分に抑えるとともに、半透過領域Ｒｂのフリッカを抑えることが可能になる。
【００４１】
以上説明したように、第１の実施の形態によれば、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定することによって、ゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡとゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢが同じになるので、透過画素１１ａの透過部１３ａのフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定した場合でも、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂのフリッカ率及び反射部１６ｂのフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのどちらの領域でもフリッカを十分に抑えることが可能になるので、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図８を参照して説明する。
【００４３】
本発明の第２の実施の形態は、基本的に第１の実施の形態と同様である。第２の実施の形態では、第１の実施の形態との相違点について説明する。なお、第１の実施の形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００４４】
半透過画素１１ｂにおいては、透過部１３ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値と反射部１６ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値とが異なる。反射部１６ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値は、一般的に透過部１３ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値より２００ｍＶ程度高くなる。
【００４５】
第２の実施の形態では、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されている。
【００４６】
これにより、図８に示すように、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図８中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ２を、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂ（図８中の点線Ｂ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖａと反射部１６ｂ（図８中の点線Ｂ２）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖｂとの間に設定することが可能になる。
【００４７】
なお、ＣｌｃＡはＣｌｃＢより小さいので、ＣｌｏａｄＡ＜ＣｌｏａｄＢの関係式は成立している。このため、寄生容量ＣｇＡと寄生容量ＣｇＢとをＣｇＡ＜ＣｇＢの関係式が成り立つように設定することにより、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成立される。
【００４８】
ここで、通常、主表示領域である透過領域Ｒａは、副表示領域である半透過領域Ｒｂより大きいので、透過領域Ｒａのフリッカを主として抑える必要がある。このため、図８に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図８中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ２に設定される。このように共通電圧Ｖｃｏｍが、透過画素１１ａに最適な電圧値Ｖ２に設定された場合でも、半透過領域Ｒｂの透過部１３ｂ（図８中の点線Ｂ１）のフリッカ率及び反射部１６ｂ（図８中の点線Ｂ２）のフリッカ率は確実に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａのフリッカを十分に抑えるとともに、半透過領域Ｒｂのフリッカを抑えることが可能になる。
【００４９】
以上説明したように、第２の実施の形態によれば、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定することによって、透過画素１１ａの透過部１３ａのフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定した場合でも、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂのフリッカ率及び反射部１６ｂのフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのどちらの領域でもフリッカを十分に抑えることが可能になるので、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【００５０】
（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００５１】
例えば、前述の実施の形態においては、表示層７として液晶材料により形成された液晶層を用いているが、これに限るものではなく、例えば発光体により形成された発光層を用いて、平面表示装置１を有機ＥＬディスプレイとして形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、前述の実施の形態においては、第２表示領域として半透過領域Ｒｂを設けているが、これに限るものではなく、例えば半透過領域Ｒｂにかえて全反射領域を設けるようにしてもよい。すなわち、半透過領域Ｒｂの画素電極２を透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂにより構成しているが、これに限るものではなく、例えば、半透過領域Ｒｂの画素電極２を反射電極１７ｂだけで構成するようにしてもよい。この場合には、画素電極２が反射電極１７ｂを全体に有していることから、第２表示領域は全反射領域となるので、半透過領域Ｒｂを用いる場合に比べより消費電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る平面表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す平面表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図３】図１及び図２に示す平面表示装置の透過領域の概略構成を拡大して示す平面図である。
【図４】図３に示す透過領域の概略構成を示す回路図である。
【図５】図１及び図２に示す平面表示装置の半透過領域の概略構成を拡大して示す平面図である。
【図６】図５に示す半透過領域の概略構成を示す回路図である。
【図７】図１及び図２に示す平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【図９】先行技術に係る平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１ 平面表示装置
２ 画素電極
３ 基板（アレイ基板）
４ 共通電極
７ 表示層
１２ａ、１２ｂ トランジスタ
１５ａ、１５ｂ 透過電極
１７ｂ 反射電極
Ｒａ 第１表示領域（透過領域）
Ｒｂ 第２表示領域（半透過領域）
Ｇｎ 走査線
Ｓｍ 信号線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置としては、液晶を用いる液晶表示装置が様々な分野で使用されている。液晶表示装置は、薄型で軽量及び低消費電力であるため、携帯情報端末、コンピュータ及びテレビ等に用いられている。
【０００３】
この液晶表示装置は、複数の画素電極を有するアレイ基板、各画素電極に共通して対向する共通電極を有する対向基板、及びアレイ基板と対向基板との間に保持された液晶層等を備えている。なお、共通電極には、一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【０００４】
このような液晶表示装置の中には、室内外での良好な表示を得るため、様々な半透過型の液晶表示装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。この半透過型の液晶表示装置の中には、複数の透過画素を有する透過領域と複数の反射画素を有する反射領域とを備える液晶表示装置や、複数の透過画素を有する透過領域と複数の半透過画素を有する半透過領域とを備える液晶表示装置等が開発されている。
【０００５】
透過画素は、画素電極として光が透過する透過電極を有する透過部から構成されており、反射画素は、画素電極として光を反射する反射電極を有する反射部から構成されている。また、半透過画素は、画素電極の一部として透過電極を有する透過部及び画素電極の一部として反射電極を有する反射部から構成されている。
【０００６】
このような半透過型の液晶表示装置は、室内等の暗い場所において、透過部によりバックライトからの光を表示に使用する透過型の液晶表示装置として機能し、室外等の明るい場所において、反射部により外光を反射させて表示に使用する反射型の液晶表示装置として機能する。これにより、明るい場所では、バックライトを用いずに画像を表示することが可能になるため、消費電力を大幅に削減することができる。
【０００７】
一般的に、半透過型の液晶表示装置では、良好な表示特性を得るため、反射部の液晶層は透過部の液晶層より薄く形成されており、反射部の液晶容量は透過部の液晶容量より大きくなる。このため、反射部を有する反射画素や半透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＢは、透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＡに比べて大きくなる（ＣｌｏａｄＢ＞ＣｌｏａｄＡ）。
【特許文献１】特開２００２−３０３８６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述したように透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、反射画素や半透過画素の全寄生容量ＣｌｏａｄＢとが異なるため、フリッカ（ちらつき）率が最小になる最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値は各部で異なってしまう。このため、透過画素の透過部、半透過画素の透過部又は反射部のどれか１つに対応する最適な電圧値に共通電圧Ｖｃｏｍを設定した場合には、他の部分のフリッカが悪化してしまう。
【０００９】
通常、図９に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、主表示領域を構成する透過画素の透過部（図９中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になるように最適な電圧値Ｖ１０１に設定される。これにより、透過領域のフリッカは十分に抑えられる。このとき、半透過画素の透過部（図９中の点線Ｂ１）及び反射部（図９中の点線Ｂ２）のフリッカ率は大きく、特に反射部のフリッカ率は非常に大きくなる。このため、半透過領域のフリッカは悪化してしまう。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、平面表示装置において、基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、第１表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、第２表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極と共通電極との間に設けられた表示層と、を備え、透過電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されていることである。
【００１２】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴では、寄生容量ＣｇＡ、全寄生容量ＣｌｏａｄＡ、寄生容量ＣｇＢ及び全寄生容量ＣｌｏａｄＢを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定することによって、共通電極に印加する共通電圧を第１表示領域のフリッカが最小になる最適な電圧値に設定した場合でも、第２表示領域のフリッカが十分に抑えられる。
【００１３】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、平面表示装置において、基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、第１表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、第２表示領域内の複数の走査線及び複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、複数の透過電極及び複数の画素電極と共通電極との間に設けられた表示層と、を備え、透過電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、画素電極と走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されており、走査線に印加する電圧の振幅をΔＶとすると、（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されていることである。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴では、寄生容量ＣｇＡ、全寄生容量ＣｌｏａｄＡ、寄生容量ＣｇＢ及び全寄生容量ＣｌｏａｄＢを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定することによって、共通電極に印加する共通電圧を第１表示領域のフリッカが最小になる最適な電圧値に設定した場合でも、第２表示領域のフリッカが十分に抑えられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半透過型の平面表示装置において、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図７を参照して説明する。
【００１７】
図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る平面表示装置１は、複数の画素電極２を有するアレイ基板３、各画素電極２に共通して対向する共通電極４を有する対向基板５、及びアレイ基板３と対向基板５との間にシール材６により設けられた表示層７等を備えている。表示層７は、例えば液晶材料により液晶層として形成されている。また、各画素電極２上及び共通電極４上には、液晶分子の配向方向を規定する配向膜８ａ、８ｂが設けられている。アレイ基板３の下方には、光を照射するバックライト等の光源９が設けられている。なお、共通電極４には、一定の共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【００１８】
図２に示すように、この平面表示装置１は、第１表示領域である主表示領域として透過型の透過領域Ｒａと、第２表示領域である副表示領域として半透過型の半透過領域Ｒｂとを備えている。透過領域Ｒａは、光源９からの光だけを表示に利用する領域である。一方、半透過領域Ｒｂは、光源９からの光及び外光（例えば太陽光等）の両方を表示に利用する領域である。透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂの各表示領域は、液晶の配向状態の変化により画像を表示する領域である。
【００１９】
図３ないし図６に示すように、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのアレイ基板３上には、複数の走査線Ｇｎ及び複数の信号線Ｓｍがマトリクス状に交差させて設けられており、さらに、複数の補助容量線Ｃｎが各走査線Ｇｎに対応させて同数だけ設けられている。なお、各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍは、それぞれ駆動回路（図示せず）に接続されている。
【００２０】
図３及び図４に示すように、透過領域Ｒａには、複数の透過画素１１ａが各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍの交差点毎にそれぞれ設けられている。
【００２１】
透過画素１１ａは、走査線Ｇｎ及び信号線Ｓｍに接続されたトランジスタ１２ａ、そのトランジスタ１２ａに接続された透過部１３ａ及び補助容量１４ａ等により構成されている。透過部１３ａは画素容量として機能する。なお、透過部１３ａは光源９からの光を透過させて表示に用いる部分である。
【００２２】
トランジスタ１２ａは、例えば３端子を有する薄膜トランジスタである。このトランジスタ１２ａは、そのゲート電極を走査線Ｇｎに接続し、そのソース電極を信号線Ｓｍに接続し、さらに、そのドレイン電極を透過部１３ａ及び補助容量１４ａに接続することにより設けられている。
【００２３】
透過部１３ａは、トランジスタ１２ａに接続された画素電極２であって光が透過する透過電極１５ａ、その透過電極１５ａに対向する共通電極４、及び、透過電極１５ａと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。透過電極１５ａは、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性材料により形成されている。
【００２４】
補助容量１４ａは、トランジスタ１２ａと補助容量線Ｃｎとの間に接続されている。この補助容量１４ａは、透過電極１５ａに印加された電圧を保持するための容量である。なお、補助容量１４ａとしては、例えばコンデンサ（キャパシタ）を用いる。
【００２５】
図５及び図６に示すように、半透過領域Ｒｂには、複数の半透過画素１１ｂが各走査線Ｇｎ及び各信号線Ｓｍの交差点毎にそれぞれ設けられている。
【００２６】
半透過画素１１ｂは、走査線Ｇｎ及び信号線Ｓｍに接続されたトランジスタ１２ｂ、そのトランジスタ１２ｂに接続された透過部１３ｂ、反射部１６ｂ及び補助容量１４ｂ等により構成されている。透過部１３ｂ及び反射部１６ｂは画素容量として機能する。なお、透過部１３ｂは光源９からの光を透過させて表示に用いる部分である。また、反射部１６ｂは外光を反射して表示に用いる部分である。
【００２７】
トランジスタ１２ｂは、例えば３端子を有する薄膜トランジスタである。このトランジスタ１２ｂは、そのゲート電極を走査線Ｇｎに接続し、そのソース電極を信号線Ｓｍに接続し、さらに、そのドレイン電極を透過部１３ｂ、反射部１６ｂ及び補助容量１４ｂに接続することにより設けられている。
【００２８】
透過部１３ｂは、トランジスタ１２ｂに接続された画素電極２の一部であって光が透過する透過電極１５ｂ、その透過電極１５ｂに対向する共通電極４、及び、透過電極１５ｂと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。透過電極１５ｂは、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性材料により形成されている。
【００２９】
反射部１６ｂは、トランジスタ１２ｂに接続された画素電極２の一部であって光を反射する反射電極１７ｂ、その反射電極１７ｂに対向する共通電極４、及び、反射電極１７ｂと共通電極４との間に設けられた表示層７等から構成されている。反射電極１７ｂは、アルミニウム（Ａｌ）等の光反射可能な導電性材料により形成されている。なお、半透過領域Ｒｂにおける１つの画素電極２は、透過電極１５ｂと反射電極１７ｂとにより構成されている。
【００３０】
補助容量１４ｂは、トランジスタ１２ｂと補助容量線Ｃｎとの間に接続されている。この補助容量１４ｂは、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂに印加された電圧を保持するための容量である。なお、補助容量１４ｂとしては、例えばコンデンサ（キャパシタ）を用いる。
【００３１】
ここで、共通電極４と反射電極１７ｂとの間の距離（セルギャップ）は、例えば反射電極１７ｂに対向させて段差部等を設けることにより、共通電極４と透過電極１５ａ、１５ｂとの間の距離に比べ短く設定されている。これにより、反射部１６ｂの表示層７の厚さは透過部１３ａ、１３ｂの表示層７の厚さより薄くなる。したがって、反射部１６ｂの表示層７を往復して透過する外光の位相差（リタデーション）と、光源９から透過部１３ａ、１３ｂの表示層７を一方向に通過する光の位相差との差が小さくなるので、平面表示装置１の表示特性を向上させることができる。
【００３２】
このような平面表示装置１は、室内等の暗い場所において、透過画素１１ａ及び半透過画素１１ｂの透過部１３ａ、１３ｂにより光源９からの光を表示に使用する透過型の液晶表示装置として機能し、室外等の明るい場所において、半透過画素１１ｂの反射部１６ｂにより外光を反射させて表示に使用する反射型の液晶表示装置として機能し、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂに画像を表示する。このとき、平面表示装置１は、透過電極１５ａ、１５ｂ及び反射電極１７ｂと共通電極４との間への電圧印加により、透過部１３ａ、１３ｂ及び反射部１６ｂの表示層７の透過光量を変化させる。
【００３３】
次に、共通電極４に印加する共通電圧Ｖｃｏｍの設定について説明する。なお、走査線Ｇｎには、振幅がΔＶであるゲート電圧が駆動回路により供給される。
【００３４】
図４に示すように、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡは、ＣｌｏａｄＡ＝ＣｌｃＡ＋ＣｓＡ＋ＣｇＡ＋ＣｄＡ（ＣｌｃＡ：透過部１３ａの容量、ＣｓＡ：補助容量１４ａ、ＣｇＡ：透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量、ＣｄＡ：透過電極１５ａと信号線Ｓｍとの間の寄生容量）となる。
【００３５】
図６に示すように、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢは、ＣｌｏａｄＢ＝ＣｌｃＢ＋ＣｓＢ＋ＣｇＢ＋ＣｄＢ（ＣｌｃＢ：透過部１３ｂの容量＋反射部１６ｂの容量、ＣｓＢ：補助容量１４ｂ、ＣｇＢ：透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量、ＣｄＢ：透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと信号線Ｓｍとの間の寄生容量）となる。ここで、透過部１３ｂの容量をＣｌｃＢ１とし、反射部１６ｂの容量をＣｌｃＢ２とすると、ＣｌｃＢ＝ＣｌｃＢ１＋ＣｌｃＢ２となる。
【００３６】
ここで、透過画素１１ａでのゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡは、ΔＶｇＡ＝ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ×ΔＶ（ΔＶ：ゲート電圧の振幅）となる。また、半透過画素１１ｂでのゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢは、ΔＶｇＢ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ×ΔＶ（ΔＶ：ゲート電圧の振幅）となる。このゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡ、ΔＶｇＢの分だけ共通電圧Ｖｃｏｍは変動する。
【００３７】
そこで、透過画素１１ａの透過部１３ａ及び半透過画素１１ｂの透過部１３ｂの両方に共通する最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値を設定するためには、ゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡとゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢとを同じにする必要がある（ΔＶｇＡ＝ΔＶｇＢ）。
【００３８】
このため、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素２ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素２ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ΔＶｇＡ＝ΔＶｇＢの関係式が成り立つように、すなわちＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されている。
【００３９】
このとき、各部の様々な設計値等が変更される。例えば、寄生容量ＣｇＡ及び寄生容量ＣｇＢは、ゲート電極及びソース電極の面積や配置、走査線Ｇｎの線幅、使用する材料等を変更することにより設定される。なお、寄生容量ＣｇＡ及び寄生容量ＣｇＢは、トランジスタ１２ａ、１２ｂのアレイ構造上、主にゲート電極とソース電極の重なり部分によって形成される。
【００４０】
ここで、通常、主表示領域である透過領域Ｒａは、副表示領域である半透過領域Ｒｂより大きいので、透過領域Ｒａのフリッカを主として抑える必要がある。このため、図７に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図７中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定される。このように共通電圧Ｖｃｏｍが、透過画素１１ａに最適な電圧値Ｖ１に設定された場合でも、半透過領域Ｒｂの透過部１３ｂ（図７中の点線Ｂ１）のフリッカ率及び反射部１６ｂ（図７中の点線Ｂ２）のフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａのフリッカを十分に抑えるとともに、半透過領域Ｒｂのフリッカを抑えることが可能になる。
【００４１】
以上説明したように、第１の実施の形態によれば、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定することによって、ゲート突き抜け電圧ΔＶｇＡとゲート突き抜け電圧ΔＶｇＢが同じになるので、透過画素１１ａの透過部１３ａのフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定した場合でも、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂのフリッカ率及び反射部１６ｂのフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのどちらの領域でもフリッカを十分に抑えることが可能になるので、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図８を参照して説明する。
【００４３】
本発明の第２の実施の形態は、基本的に第１の実施の形態と同様である。第２の実施の形態では、第１の実施の形態との相違点について説明する。なお、第１の実施の形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００４４】
半透過画素１１ｂにおいては、透過部１３ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値と反射部１６ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値とが異なる。反射部１６ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値は、一般的に透過部１３ｂの最適な共通電圧Ｖｃｏｍの電圧値より２００ｍＶ程度高くなる。
【００４５】
第２の実施の形態では、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されている。
【００４６】
これにより、図８に示すように、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図８中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ２を、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂ（図８中の点線Ｂ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖａと反射部１６ｂ（図８中の点線Ｂ２）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖｂとの間に設定することが可能になる。
【００４７】
なお、ＣｌｃＡはＣｌｃＢより小さいので、ＣｌｏａｄＡ＜ＣｌｏａｄＢの関係式は成立している。このため、寄生容量ＣｇＡと寄生容量ＣｇＢとをＣｇＡ＜ＣｇＢの関係式が成り立つように設定することにより、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成立される。
【００４８】
ここで、通常、主表示領域である透過領域Ｒａは、副表示領域である半透過領域Ｒｂより大きいので、透過領域Ｒａのフリッカを主として抑える必要がある。このため、図８に示すように、共通電圧Ｖｃｏｍは、透過画素１１ａの透過部１３ａ（図８中の実線Ａ１）のフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ２に設定される。このように共通電圧Ｖｃｏｍが、透過画素１１ａに最適な電圧値Ｖ２に設定された場合でも、半透過領域Ｒｂの透過部１３ｂ（図８中の点線Ｂ１）のフリッカ率及び反射部１６ｂ（図８中の点線Ｂ２）のフリッカ率は確実に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａのフリッカを十分に抑えるとともに、半透過領域Ｒｂのフリッカを抑えることが可能になる。
【００４９】
以上説明したように、第２の実施の形態によれば、透過電極１５ａと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＡと、透過画素１１ａの全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂと走査線Ｇｎとの間の寄生容量ＣｇＢと、半透過画素１１ｂの全寄生容量ＣｌｏａｄＢとを、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式及び（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定することによって、透過画素１１ａの透過部１３ａのフリッカ率が最小になる最適な電圧値Ｖ１に設定した場合でも、半透過画素１１ｂの透過部１３ｂのフリッカ率及び反射部１６ｂのフリッカ率は十分に小さくなる。これにより、透過領域Ｒａ及び半透過領域Ｒｂのどちらの領域でもフリッカを十分に抑えることが可能になるので、フリッカが少ない良好な表示を得ることができる。
【００５０】
（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００５１】
例えば、前述の実施の形態においては、表示層７として液晶材料により形成された液晶層を用いているが、これに限るものではなく、例えば発光体により形成された発光層を用いて、平面表示装置１を有機ＥＬディスプレイとして形成するようにしてもよい。
【００５２】
また、前述の実施の形態においては、第２表示領域として半透過領域Ｒｂを設けているが、これに限るものではなく、例えば半透過領域Ｒｂにかえて全反射領域を設けるようにしてもよい。すなわち、半透過領域Ｒｂの画素電極２を透過電極１５ｂ及び反射電極１７ｂにより構成しているが、これに限るものではなく、例えば、半透過領域Ｒｂの画素電極２を反射電極１７ｂだけで構成するようにしてもよい。この場合には、画素電極２が反射電極１７ｂを全体に有していることから、第２表示領域は全反射領域となるので、半透過領域Ｒｂを用いる場合に比べより消費電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る平面表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す平面表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図３】図１及び図２に示す平面表示装置の透過領域の概略構成を拡大して示す平面図である。
【図４】図３に示す透過領域の概略構成を示す回路図である。
【図５】図１及び図２に示す平面表示装置の半透過領域の概略構成を拡大して示す平面図である。
【図６】図５に示す半透過領域の概略構成を示す回路図である。
【図７】図１及び図２に示す平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【図９】先行技術に係る平面表示装置における共通電圧Ｖｃｏｍとフリッカ率との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１ 平面表示装置
２ 画素電極
３ 基板（アレイ基板）
４ 共通電極
７ 表示層
１２ａ、１２ｂ トランジスタ
１５ａ、１５ｂ 透過電極
１７ｂ 反射電極
Ｒａ 第１表示領域（透過領域）
Ｒｂ 第２表示領域（半透過領域）
Ｇｎ 走査線
Ｓｍ 信号線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、
前記第１表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、
前記第２表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極と前記共通電極との間に設けられた表示層と、
を備え、
前記透過電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、前記透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、前記画素電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、前記画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されていることを特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、
前記第１表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、
前記第２表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極と前記共通電極との間に設けられた表示層と、
を備え、
前記透過電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、前記透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、前記画素電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、前記画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されており、前記走査線に印加する電圧の振幅をΔＶとすると、（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されていることを特徴とする平面表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は前記反射電極を全体に有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の平面表示装置。
【請求項１】
基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、
前記第１表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、
前記第２表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極と前記共通電極との間に設けられた表示層と、
を備え、
前記透過電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、前記透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、前記画素電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、前記画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＝ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されていることを特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
基板上の第１表示領域及び第２表示領域に互いに交差させて設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、
前記第１表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光が透過する複数の透過電極と、
前記第２表示領域内の前記複数の走査線及び前記複数の信号線に交差点毎に複数のトランジスタを介してそれぞれ設けられ、光を反射する反射電極を少なくとも一部に有する複数の画素電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極に共通して対向する共通電極と、
前記複数の透過電極及び前記複数の画素電極と前記共通電極との間に設けられた表示層と、
を備え、
前記透過電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＡと、前記透過電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＡと、前記画素電極と前記走査線との間の寄生容量ＣｇＢと、前記画素電極に対する全寄生容量ＣｌｏａｄＢとは、ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ＜ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢの関係式が成り立つように設定されており、前記走査線に印加する電圧の振幅をΔＶとすると、（（ＣｇＢ／ＣｌｏａｄＢ）−（ＣｇＡ／ＣｌｏａｄＡ））×ΔＶ≦２００ｍＶの関係式が成り立つように設定されていることを特徴とする平面表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は前記反射電極を全体に有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の平面表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−７８８１３（Ｐ２００７−７８８１３Ａ）
【公開日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２６３７０８（Ｐ２００５−２６３７０８）
【出願日】平成１７年９月１２日（２００５．９．１２）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２９日（２００７．３．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１２日（２００５．９．１２）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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