【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】より良好な映像が得られる表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、複数の表示画素を有する表示部と、これら複数の表示画素の並び方向に対して傾斜した第１の方向にそれぞれ延伸すると共に光を透過および遮断する複数のバリア領域を有する液晶バリア部とを備える。液晶バリア部は、液晶層と、この液晶層を挟む第１および第２の電極層とを有し、第１の電極層は、バリア領域において第１の方向に沿ってスリットが形成された電極パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望
の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ及び２つの容量素子を各画素に
有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構成し、画素の
開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子の特性を利用して、画像の表示状態に
依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内
の保持容量の大きさを変化させる。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主画素電極及び第２主画素電極と、第１方向に沿ってそれぞれ延出する第１主共通電極、第２主共通電極、及び、第３主共通電極とを備え、前記第１主共通電極と前記第２主共通電極との間に前記第１主画素電極が対向するとともに前記第２主共通電極と前記第３主共通電極との間に前記第２主画素電極が対向し、第１方向に直交する第２方向に沿った前記第１主共通電極と前記第１主画素電極との間の第１電極間距離、前記第２主共通電極と前記第１主画素電極との間の第２電極間距離、前記第２主共通電極と前記第２主画素電極との間の第３電極間距離、及び、前記第３主共通電極と前記第２主画素電極との間の第４電極間距離のうち、１つ乃至３つの電極間距離は、他の電極間距離とは異なることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】３Ｄモアレの影響を最小限に抑えつつ、３Ｄクロストークの低減を図るとともに、立体表示品質を向上する。
【解決手段】サブ画素４Ｓの開口部の形状は平行四辺形であり、ＸＹ平面内の１８０度の回転に対して等価であり、かつ、サブ画素の中心点Ｏｒ、Ｏｌを通りＹ軸と平行な線分Ｒ−Ｒ’、線分Ｌ−Ｌ’対して非線対称な図形から構成される。表示単位４ＵにおいてＸ軸方向へ相互に隣接するサブ画素４Ｓは、表示単位４Ｕの中心点Ｏｕに対して互いに点対称の関係である。右眼用画素４Ｒの開口部と左眼用画素４Ｌの開口部は、夫々平行四辺形の対角線の交点を中心とする中心点Ｏｒ、Ｏｌを有しており、この中心点Ｏｒ、Ｏｌは線分Ｅ−Ｅ’に対してＹ軸方向に沿って互いに離れる方向へシフトして配置される。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）
粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間に配置され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した主画素電極と、前記第１ゲート配線及び前記第２ゲート配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第１方向に沿って延出した第１副共通電極と、を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側に配置され第２方向に沿って延出するとともに前記第１副共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第１の酸化絶縁膜と、当該第１の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第２の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第２の酸化絶縁膜上に位置するものである。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間に配置されるとともに前記第１ゲート配線から第１距離をおいて形成された非直線状の第１エッジ及び前記第２ゲート配線から前記第１距離よりも短い第２距離をおいて形成された第２エッジを含むコモン配線と、前記第１ゲート配線と前記第２ゲート配線との間に配置されるとともに前記コモン配線にコンタクトした第１電極と、前記第１電極の上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され前記第１電極と向かい合うとともに前記コモン配線の前記第１エッジの直上に延在し且つスリットが形成された第２電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】画素が高精細になっても所望の電気容量を有する保持容量を実現可能な電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、データ線６ａ及び走査線３ａと、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して設けられたトランジスター３０と、トランジスター３０に電気的に接続され、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとが誘電体層を介して対向配置される保持容量と、を備え、第１容量電極１６ａは、第１導電膜と第１導電膜の上面及び側面を覆う第２導電膜とを有し、第２容量電極１６ｂは、第１容量電極１６ａの上面及び側面において誘電体層を介して第１容量電極１６ａと対向して保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において各画素では、透光の誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に第１電極層７が設けられ、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に透光性の第２電極層８ａが設けられている。このため、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。また、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４が設けられている。このため、画素電極９ａを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第１電極層７と画素電極９ａの端部との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】Ｎｃｈトランジスター８２と、外部接続用端子２３（２３ｂ）に接続されたＶＳＳ電源配線７５と、ＶＳＳ電源配線７５と異なる配線層に設けられた第１中継配線８５ｂと、を備え、Ｎｃｈトランジスター８２のソース８８ｄが第１中継配線８５ｂを介してＶＳＳ電源配線７５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した第１ソース配線及び第２ソース配線と、前記第１ソース配線と前記第２ソース配線との間に位置し第１方向に沿って延出した主画素電極と、前記第１ソース配線及び前記第２ソース配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第１方向に沿って延出した第１主共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極と対向し第１方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、第１配線上に第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第２絶縁膜と、第２絶縁膜上に第２配線と、第１配線と接続するゲート電極と、第２配線及びゲート電極上に第３絶縁膜と、第３絶縁膜上に半導体膜と接続する第３の配線とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極の角部周辺のテクスチャ不良による表示不良を防止した液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、直交するゲートライン及びデータラインによって定義される画素領域と、画素領域に形成され、画素領域の一角に隣接する部分が傾斜して形成された画素電極と、光漏れを遮蔽する光遮蔽パターンであって、ゲートラインと並んで形成され、ストレージ電圧を供給するストレージラインと、ストレージラインから突出してデータラインと並び、画素電極の一側部と重なるように形成されたストレージ突出部とを含む光遮蔽パターンと、ストレージ突出部と次段のストレージラインとを電気的に接続し、かつ、画素電極と重複しないブリッジ電極とを含み、ブリッジ電極の端部の一辺は、画素電極の一側辺に平行にフリンジフィールドを形成し、ストレージ突出部の端部の一辺は画素電極と重複しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）