【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物を非イオン性不純物に中性化することにより、画像表示領域内でのイオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することのできる液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０の周辺領域１０ｂには、液晶層５０に接する第１電極８１および第２電極８２が設けられ、第１電極８１および第２電極８２には異なる電位が印加されている。第１電極８１は、第１導電層８１１の上層に第１電荷注入層８１２が積層された構造になっており、第２電極８２は、第２導電層８２１の上層に第２電荷注入層８２２が積層された構造になっている。従って、イオン性不純物は、第１電極８１あるいは第２電極８２との間で電荷の授受を行い、非イオン性不純物となる。 （もっと読む）

【課題】少ない回数のレーザ光の照射で、確実に配線の不良部分を正確に修正することができる配線の修正装置を提供する。
【解決手段】基板２上の処理を要する被処理配線２９にレーザ光Ｌｔを出射することで処理を行う配線の修正装置Ｒｓであって、レーザ光Ｌｔの光軸と交差する方向のエネルギ分布を中心部が高く、辺縁部が低くなるように、レーザ光の透過率を調整する絞り部材５を備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を増やすことなく、酸化物半導体の半導体層を用いたＴＦＴの特性の低下を抑制することにある。
【解決手段】マトリクス状の複数の画素電極Ｐと、各画素電極Ｐに接続されたＴＦＴ５と、互いに平行に延びる複数のソース線１５ａとを備え、ＴＦＴ５が、絶縁基板１０上のゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うゲート絶縁膜１２ａと、ゲート絶縁膜１２ａ上でゲート電極１１ａに重なる酸化物半導体層１３ａと、酸化物半導体層１３ａに接続されたソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂとを備え、ソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂと酸化物半導体層１３ａとの間には、酸化物半導体層１３ａを覆う保護絶縁膜１４ａが設けられ、各ソース線１５ａは、金属材料により形成され、ソース電極１７ａ及びドレイン電極１７ｂは、各画素電極Ｐと同一材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像表示領域内でのイオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、第１期間と第２期間とにおいて、素子基板１０側の画素電極９ａと対向基板２０側の共通電極２１との極性を反転させ、かかる反転駆動に対応させて、素子基板１０側の第１電極８１および第２電極８２を駆動する。その際、対向基板２０側の第３電極８３に対する第１電極８１の極性は、共通電極２１に対する画素電極９ａの極性とは反対であり、対向基板２０側の第３電極８３に対する第２電極８２の極性は、共通電極２１に対する画素電極９ａの極性と同一である。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 画像を表示するアクティブエリアにおいて、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板を備えた第２基板と、前記絶縁基板上において前記アクティブエリアに配置された偏光板を含む光学素子と、前記光学素子上において前記アクティブエリアに配置された導電層と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記光学素子から露出した前記導電層と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 タッチセンシング機能と外部電界に対するシールド機能とを兼ね備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、静電容量タッチセンシング用配線と、を備えた第１基板と、絶縁基板の前記第１基板と対向する内面とは反対側の外面において前記アクティブエリアの外側に形成された導電膜と、を備えた第２基板と、前記絶縁基板の外面側に配置された偏光板を含む光学素子と、前記アクティブエリアに配置されるとともに前記導電膜に接触し前記絶縁基板の外面と前記光学素子とを接着する導電性接着剤と、前記第２基板の端部よりも外方に延在した前記第１基板の延在部に形成された接地電位のパッドと、前記導電膜と前記パッドとを電気的に接続する接続部材と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第１基板、第１基板と対向して具備された第２基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第２基板に具備され、第１方向へ延長された複数の電極パターンと、第２基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第１方向と異なる第２方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第１方向へ延長されたゲートラインと、第２方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１方向に沿ってそれぞれ延出した複数の第１信号配線と、第１方向に交差する第２方向に沿ってそれぞれ延出した複数の第２信号配線と、隣接する前記第２信号配線の間に配置され第２方向に沿って延出した画素電極と、を備えた第１基板と、前記第２信号配線の各々と対向するとともに第２方向に沿って延出した主共通電極を含む共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、第１方向及び第２方向で規定される平面において、前記第１信号配線と前記第２信号配線または前記主共通電極とで囲まれた有効領域では、前記画素電極を含む電極部の第１面積が前記電極部以外の非電極部の第２面積よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及びＩＰＳ方式の液晶パネルの提供。
【解決手段】基板上に、互いに略直交するゲート配線１及びデータ配線３と、ゲート配線１に略平行な共通配線２とを備え、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍にＴＦＴ６を備え、ゲート配線１とデータ配線３とで囲まれる画素内に、画素電極４と対向電極５とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極４にはＴＦＴ６を介して共通配線２の共通電圧が供給され、対向電極５にはデータ配線３のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線３と対向電極５とが同電位となるためデータ配線３を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保して開口率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】上記液晶表示装置は、第１表示板と第２表示板との間に、液晶分子を有する液晶層を含み、上記第１表示板と上記第２表示板の中の少なくとも一つに形成された配向膜は、第１ポリシロキサンと該第１ポリシロキサン上に配置された第２ポリシロキサンを含む。上記第２ポリシロキサンのケイ素原子の第１部位は、上記液晶層の液晶分子と相互作用をする垂直官能基と結合し、さらに上記液晶層の液晶分子を上記第１又は第２表示板に対して傾くように配向する第１プレチルト官能基と結合する。上記第２ポリシロキサンの結合構造は、上記第１ポリシロキサンの結合構造と異なる。 （もっと読む）

【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した副画素電極と、前記副画素電極の一端側に接続され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第１主画素電極と、前記副画素電極の他端側に接続され第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出した第２主画素電極と、を備えた第１基板と、前記副画素電極を挟んだ両側にそれぞれ配置され第１方向に沿って延出した第１副共通電極及び第２副共通電極と、前記副画素電極の一端側で第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第１副共通電極と接続された第１主共通電極と、前記副画素電極の他端側で第２方向に沿って前記第２主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第２副共通電極と接続された第２主共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の側面視認性を向上させ、データ線の数を減らすことによって液晶表示装置の駆動部の費用が低減できる液晶表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による液晶表示装置は、基板と、基板上に配置される第１ゲート線及び第２ゲート線と、第１ゲート線及び第２ゲート線と交差されるデータ線と、第１ゲート線及びデータ線と接続され、第１副電極を含む第１副画素及び第２副画素電極を含む第２副画素電極をそれぞれ含む複数の画素と、第１ゲート線と接続され、第１副画素の第１副画素電極と接続される第１キャパシタの電圧を制御する第１スイッチング素子と、第２ゲート線と接続され、第１キャパシタの電圧を制御する第２スイッチング素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】３Ｄモアレの影響を最小限に抑えつつ、３Ｄクロストークの低減を図るとともに、立体表示品質を向上する。
【解決手段】サブ画素４Ｓの開口部の形状は平行四辺形であり、ＸＹ平面内の１８０度の回転に対して等価であり、かつ、サブ画素の中心点Ｏｒ、Ｏｌを通りＹ軸と平行な線分Ｒ−Ｒ’、線分Ｌ−Ｌ’対して非線対称な図形から構成される。表示単位４ＵにおいてＸ軸方向へ相互に隣接するサブ画素４Ｓは、表示単位４Ｕの中心点Ｏｕに対して互いに点対称の関係である。右眼用画素４Ｒの開口部と左眼用画素４Ｌの開口部は、夫々平行四辺形の対角線の交点を中心とする中心点Ｏｒ、Ｏｌを有しており、この中心点Ｏｒ、Ｏｌは線分Ｅ−Ｅ’に対してＹ軸方向に沿って互いに離れる方向へシフトして配置される。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）
粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）