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Fターム[2H092JB69]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | アクティブ基板の能動素子以外の構造 (19,547) | 容量素子 (3,806) | 容量素子の接続 (1,973) | 容量素子用配線を設けたもの (1,655)

Fターム[2H092JB69]に分類される特許

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【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、溝260を中空に封止するにあたって、第1封止膜27を形成する前、溝260内に犠牲膜24を形成しておき、第1封止膜27を形成した後、第1封止膜27の貫通部275を介して犠牲膜を除去する。そして、第1封止膜27上に第2封止膜28を形成し、第1封止膜27の貫通部275を第2封止膜28で塞ぐ。このため、第1封止膜27を溝260の開口部265を塞ぐように形成することができるとともに、第1封止膜27が溝260の奥まで形成されることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1波長範囲の光を透過する第1カラーフィルタCF1と、第1波長範囲よりも長波長の第2波長範囲の光を透過する第2カラーフィルタCF2と、前記第2カラーフィルタの上に配置された第1スイッチング素子SW1と、前記第2カラーフィルタの上に配置された第2スイッチング素子SW2と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続され、前記第1カラーフィルタの上方に位置する第1画素電極PE1と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続され、前記第2カラーフィルタの上方に位置する第2画素電極PE2と、を備えたアレイ基板を具備することを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第1基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第2基板としての対向基板20が、第1透光性導電層23aと、第1透光性導電層23aの複数の画素電極と対向する第1領域E1に配置された第2透光性導電層23cと、第1透光性導電層23aと第2透光性導電層23cとの間に配置された第1絶縁膜23bと、を有し、対向基板20の第1領域E1を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第1透光性導電層23a、第1絶縁膜23b、第2透光性導電層23cの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板20とを接着するシール材40が設けられる対向基板20の第2領域E2には、第1透光性導電層23aが配置されている。 (もっと読む)


【課題】反射部を構成する溝の構造を改良して、入射した光をより効率よく画素電極に向かわせることのできる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20の基板本体20w(透光性基板)には、隣り合う画素電極9aの間(画素間領域10f)に向けて開口する第1溝260が形成されている。また、基板本体20wの一方面20sおよび第1溝260の側面261、262には透光膜25が形成されており、かかる透光膜25によって、第1溝260と平面視で重なる領域には、第1溝260より深くて第1溝260より幅が狭い第2溝265が形成されている。このため、第2溝265の側面266、267を反射面として利用し、画素間領域10fに向かおうとする光を画素電極9aに向かわせる。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】一対の基板10,20間に、負の誘電異方性を有する液晶を含む液晶層50と、マトリックス状に配置された複数の画素電極15を含む画素領域と、素子基板10上において平面的に画素電極15間に長軸が素子基板10の基板面10aに対して垂直となるように配列された液晶性モノマーが重合されて配置された配向制御部500と、を備える。 (もっと読む)


【課題】プラグ用の特殊な金属を用いなくても、電気光学装置に他の目的で形成されている膜を利用して、画素電極の導通部分を、大きな面積を占有せず、かつ、画素電極の表面に大きな凹凸を発生させずに形成することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、画素電極9aの下層側に設けられた絶縁膜44(第1絶縁膜)には柱状凸部440が形成されており、かかる柱状凸部440の先端面には、第2電極層7a(導電層)の導通部7tが重なっている。第2電極層7aと画素電極9aとの間には層間絶縁膜45(第2絶縁膜)が設けられているが、かかる層間絶縁膜45の表面450では導通部7tが露出している。このため、層間絶縁膜45に画素電極9aを積層すると、画素電極9aは導通部7tと導通する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の上に配置されるとともに第1上面及び前記第1上面から前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第1コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第2コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第2コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】基板上における所定の形成層のパターニング可能領域を最大限確保することができ、かつ精度の良い装置が製造可能な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】TFT基板のゲート配線形成工程は以下のステップ(a) ,(b) を実行することによって行う。ステップ(a) :2つのレチクルを順次用いて、所定のレジスト上の露光領域RA1及びRA2を露光した後、現像することによりゲート配線用レジストパターン11を得る。この際、露光領域RA1及びRA2の重複領域DA1にゲート配線用レジストパターン11の一部に凹部7a〜7cからなる位置補正用パターン7を併せて形成する。ステップ(b) :ステップ(a) で得たゲート配線用レジストパターン11を用いて下地の配線用材料をパターニングしてゲート配線及び容量配線を得る。 (もっと読む)


【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板10と、画素に配置された透光性の画素電極15と、素子基板10と画素電極15との間に設けられ、誘電体層16bを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量16と、蓄積容量16と画素電極15との間に設けられた第3層間絶縁膜14と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極15、一対の透光性電極としての第1電極16aおよび第2電極16c、ならびに第3層間絶縁膜14のそれぞれの膜厚が設定されている。 (もっと読む)


【課題】3次元表示及び2次元表示を併存させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】両眼視差を作り出す遮光パネルがマトリクス状に配設された複数の光学フィルタ領域を有する。当該遮光パネルにおいては、当該複数の光学フィルタ領域毎に表示パネルが放出する光を透過させるか否かを選択することが可能である。よって、当該表示装置においては、部分的に両眼視差が作り出される領域を設けることが可能である。したがって、当該表示装置においては、3次元表示及び2次元表示を併存させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に第1幅を有し第1方向に交差する第2方向に沿って延出した主画素電極と、第1方向に第1幅よりも大きい第2幅をおいて向かい合う第1エッジ及び第2エッジを有し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極と、前記主画素電極を挟んだ両側で第2方向に沿って延出し前記第1エッジ及び前記第2エッジの少なくとも一方と向かい合う位置で途切れた第1主共通電極と、第1方向に沿って延出し前記第1主共通電極と電気的に接続された第1副共通電極と、を備えた第1基板と、前記第1主共通電極に対向し第2方向に沿って延出するとともに前記第1主共通電極と電気的に接続された第2主共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】2D映像と3D映像を選択的に実現することができる映像表示装置を提供する。
【解決手段】映像表示装置は複数のピクセル(PIX)を含み2Dモードと3Dモードで動作する表示パネルと表示パネルからの光を第1及び第2偏光の光で分割するパターンドリターダと、オフレベルで第1直流制御電圧を発生しオフレベルより高く完全オンレベルより低い不完全オンレベルで第2直流制御電圧を発生し、駆動モードによって第1及び第2直流制御電圧を選択的に出力する制御電圧発生部を備え、ピクセルそれぞれはミラータイプで垂直配置された上部及び下部表示部(UDIS、LDIS)を備え、上部表示部は隣合う上部メイン表示部(UMP)と上部補助表示部(USP)を含み、下部表示部は隣合う下部メイン表示部(LMP)と下部補助表示部(LSP)を含み、上部メイン表示部と下部メイン表示部の間には上部補助表示部と下部補助表示部が隣合って配置される。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1色画素に配置された第1スイッチング素子と、第2色画素に配置された第2スイッチング素子と、第3色画素に配置された第3スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子、及び、前記第3スイッチング素子に対向する遮光層と、第1色画素に配置されるとともに前記第1スイッチング素子と対向する位置で前記遮光層に積層された第1カラーフィルタと、第3色画素に配置されるとともに前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子と対向する位置で前記遮光層に積層された第3カラーフィルタと、第2色画素に配置されるとともに前記第1スイッチング素子と対向する位置で前記第1カラーフィルタに重なり且つ前記第2スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子と対向する位置で前記第3カラーフィルタに重なる第2カラーフィルタと、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿った長さが第1方向に交差する第2方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第2方向に沿って延出した主画素電極及び第1方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第1基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び前記副画素電極を挟んだ両側で前記副画素電極と略平行に延出し前記主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記主画素電極と前記主共通電極との第1方向に沿った水平電極間距離は、前記主画素電極と前記主共通電極との第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第1絶縁基板と、第1絶縁基板上に実質的に第1方向に互いに平行に配置されたゲート配線及びストレージ配線と、ゲート及びストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第2方向に配置されたデータ配線と、ゲートとデータ配線とによって定義された画素領域上に形成された第1画素電極と、第1画素電極に隣接する第2画素電極と、を含み、ストレージ配線は、実質的に第1方向に配置された水平部と、水平部から実質的に第2方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部と、を含み、垂直部は、第1画素電極及び第2画素電極とオーバーラップし、第1画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は、第2画素電極及び垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス基板の特性の向上、及び、白黒表示間のコントラストが向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、行方向に隣接する2つの画素電極の両方と重畳して配置された列方向に伸びるソース配線と、ソース配線と交差して配置された行方向に伸びる保持容量配線とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記画素電極、ソース配線及び保持容量配線は、絶縁膜を介してそれぞれ異なる層に形成されており、上記ソース配線は、行方向に隣接する2つの画素電極下にそれぞれ屈曲点を有し、かつ、行方向に隣接する2つの画素電極の間隙を横切る横断部を有し、上記保持容量配線は、行方向に隣接する2つの画素電極の間隙と重畳して配置された列方向に伸びる延伸部を有し、上記ソース配線は、実質的に保持容量配線との交差点でのみ保持容量配線と重畳しているアクティブマトリクス基板。 (もっと読む)


【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 直線的に延出した画素電極を備えた第1基板と、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第1基板と対向する内面に配置されたシールド電極と、前記画素電極を挟んだ両側で前記画素電極と略平行に延出した共通電極と、前記シールド電極と前記共通電極との間に配置された誘電体層と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極203a〜203bの一部を凸部204に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える(図1(c))。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 (もっと読む)


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