【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン半導体層のエッジ部において補助容量線との間に仮に短絡が生じても画素電極電位への影響を抑制できるアレイ基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層26に、ｎ型不純物イオン(ｐ型不純物イオン)を全面にドーピングし画素電極37と電気的に接続するドーピング領域43と、補助容量線23に対向する位置のエッジ部をなしｎ型不純物イオン(ｐ型不純物イオン)をドーピングしない非ドーピング領域44を形成する。補助容量線23の電位を画素電極37の電位より低く(高く)設定する。ポリシリコン半導体層26のエッジ部にて補助容量線23との間に短絡が生じても、画素電極37と同電位のドーピング領域43に対して補助容量線23および非ドーピング領域44の電位が低い(高い)ため、画素電極37側と補助容量線23側の間で通電せず、画素電極37の電位への影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ等の半導体装置の特性を向上させ、信頼性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）基板１０上に選択的にゲート電極２０を形成する工程と、（ｂ）ゲート電極２０を被覆してゲート絶縁膜３０を形成する工程と、（ｃ）ゲート絶縁膜３０を介してゲート電極２０上に、ゲート絶縁膜３０上の非晶質シリコン膜４０と、非晶質シリコン膜４０上の微結晶シリコン膜４１とを有するチャネル層４２を形成する工程と、（ｄ）チャネル層４２上に、ソース領域７３、ドレイン領域７４を離間して形成する工程とを備え、工程（ｃ）は、非晶質シリコン膜４０に、ソース領域７３、ドレイン領域７４と同一導電型の不純物であるリンを添加する工程である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を低減させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板上に薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上面に、平面的に観て前記ゲート電極からはみ出すことなく、前記ゲート電極に重畳して形成された島状の半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記半導体層は、結晶性半導体層と非晶質半導体層の順次積層体からなり、前記電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体からなっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光漏洩電流の防止、不良薄膜トランジスタの修理の容易化、外光による周辺領域の光漏れとカラーフィルタの間の光漏れの防止、及び安定したパターン形成工程。
【解決手段】基板、基板上に位置し、薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層、薄膜トランジスタ層上に位置する複数のカラーフィルタ230、薄膜トランジスタ層上に位置し、薄膜トランジスタと重畳する部分を有する第１着色部材220、第１着色部材上に位置し、第１着色部材とは異なる光学密度を有する第２着色部材240を含む薄膜トランジスタ表示板。第２着色部材は、複数のカラーフィルタのうちの少なくとも一つと重畳する第１部分を含み、第１着色部材は前記第１部分と重畳する第２部分を含む。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及びアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板１は、チャネル層１９と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート配線と、ゲート電極２３と、層間絶縁膜２５と、非晶質シリコン層２７ａと、データ配線と、を備えている。データ配線は、非晶質シリコン層２７ａに積層され、金属で形成され、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタをインクジェット方法で形成しながらも、遮光部材と間隔保持部材とを共に形成することによって、製造工程、製造時間および製造費用を著しく減少させることのできる薄膜トランジスタ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板は、基板と、基板上に形成され、絶縁されて交差するゲート線およびデータ線と、ゲート線およびデータ線と接続される薄膜トランジスタと、基板上に形成される遮光部材と、基板上に形成される複数のカラーフィルタと、複数のカラーフィルタのうちの一部のカラーフィルタ上に配置される間隔保持部材とを有し、カラーフィルタのうち一部はインクジェット方式で形成され、間隔保持部材は遮光部材と同一の物質で同時に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。また、トップゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜１９には、コンタクトホール２５〜２８が形成されている。また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタの特性を改善した表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に設けられ、前記ゲート電極の上方に多結晶シリコンを含む半導体膜が形成される半導体層と、前記半導体層の上に設けられる第２の絶縁層と、を含み、前記半導体膜は、前記ゲート電極と平面的に重なるチャネル領域を有し、前記チャネル領域において、前記半導体膜の前記第２の絶縁層に接する部分は前記半導体膜の前記第１の絶縁層に接する部分より不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 （もっと読む）