【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】高解像度のイメージングセンサにおいても、十分な光電流を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜ダイオード２００Ａは、第１および第２半導体領域２３３、２３４を有する第１半導体層２３０と、第１半導体層２３０上に形成された第２および第３半導体層２３６、２３８と、第１および第２コンタクトホール２４１、２４２とを有する。第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】特性が向上された微結晶シリコン薄膜トランジスタと、それを備える表示装置、及び、それらの製造方法の提供。
【解決手段】微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。微結晶シリコン半導体膜層における酸素濃度に対する水素濃度の比は１．５倍以上が望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を単純化することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜１４４を間に置いて交差された画素領域を定義するデータライン１０４と、この画素領域でゲート絶縁膜１４４を貫通する画素ホールに透明導電膜で形成された画素電極１１８及び、ゲート電極とソース電極とドレイン電極及びソース電極とドレイン電極の間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタを含み、この半導体層は、データライン１０４と、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳され、ドレイン電極は上記半導体層から画素電極１１８の内側に突出され画素電極１１８と接続される。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。
【解決手段】ＴＦＴの少なくとも一端において、ソース領域やドレイン領域となる高濃度領域と、チャネル領域との間に、順に、高濃度領域の不純物濃度が低濃度の第１低濃度領域と、第１低濃度領域の不純物濃度よりさらに低濃度の第２低濃度領域とを、設ける。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮダイオードの特性とデータ保持用のＴＦＴの特性とを両立させることが可能な液晶表示装置の動作方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１の動作方法は、ＰＩＮダイオード４の真性半導体層が、遮光膜１０にＨＩＧＨ電圧が印加されているときにイントリンシックになるように、所定の濃度の不純物がチャネルドープされており、薄膜トランジスタ６に印加する電圧と同じ極性の電圧を、薄膜トランジスタ６と同じタイミングにおいて遮光膜１０に印加するように電圧を切り替える電圧切り替え工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。不純物導入工程においては、不純物は、チャネル幅方向においてチャネル部の端部に位置する第１領域、及びチャネル長方向において第１領域よりも幅が狭いチャネル部の第２領域にそれぞれ導入される。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記アレイ基板の製造方法は、ゲートラインとゲート電極を含むパターンを形成するステップと、活性層と、データラインと、ソース電極と、ドレイン電極とを含むパターンを形成するするとともに、上記パターン以外の領域のゲート絶縁層を除去するステップと、露光・現像により、感光樹脂層に第１ビアホールと、第２ビアホールと、第３ビアホールとを含むパターンを形成するステップと、第３ビアホールを介してドレイン電極に接続する画素電極と、第１接続電極と、第２接続電極とを含むパターンを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰しているこのような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないので前記被照射体に対して均一なアニールを行うことを提供する。
【解決手段】複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割し、分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替える手段と、複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成する手段とを有し、重ね合わせ線状に形成する手段により重ね合わされた線状のレーザー光の長尺方向において、減衰領域を除いたエネルギー密度の平均値は±１０％以内であり、重ね合わされた線状のレーザ光は、分割された
レーザ光の切断面を長尺方向の両端部とし、かつ分割されたレーザ光同士は重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気によ
る不良の発生を抑制する。
【解決手段】 本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接し
て、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成され
ていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の
周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パ
ターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピ
ッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマトリ
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、作製プロセスの簡略化のため使用するマスク枚数が減らされてきた。この様な従来のプロセスでは、ゲート信号線が液晶部（配向膜を含む）に直接接触するような構造をとることになり、ゲート信号電圧の影響による液晶部の劣化が問題となっていた。そこで、ゲート信号電圧の液晶部への影響を抑えることを課題とする。
【解決手段】ゲート信号線を絶縁膜で覆い、液晶部に直接触れないようにした。
その画素部の構成を図１に示す。上記絶縁膜を有する表示装置は、ゲート信号線とその上の絶縁膜を同時にパターニング形成することで、用いるマスクの枚数を増やすことなく作製することができる。
また、対向基板上にＢＭ層を作製する代わりにゲート信号線周辺をＢＭで覆い、このＢＭを上記絶縁層として用いることもできる。この際も使用マスクの枚数の増加はない。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減した表示装置を提供すること。
【解決手段】１つのダミー画素Ｐｄに対して、複数のダミーコンタクトホールＤｃが形成されており、１つはダミー画素遮光膜９ｄの角部に配置され、２つは走査線８３の幹線に沿って角部のダミーコンタクトホールと連続して配置されている。換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における第１遮光膜としての走査線８３に沿って形成されており、走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を下げる役割を荷っている。つまり、後続の層間絶縁膜の形成工程において熱衝撃が加わった場合、ダミーコンタクトホールＤｃが形成されたダミー画素領域における走査線８３部分が、衝撃吸収部分として機能することになる。よって、有効画素領域における画素欠けや、輝度ムラなどの表示不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの膜中に発生する欠陥を低減させると共に、基板面内における欠陥発生位置のバラつきを低減させることが可能な薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】
ドレイン領域及びソース領域が形成される半導体層と、前記半導体層の下層に形成され前記半導体層への不純物の混入を防止するシリコン酸化膜層と、前記シリコン酸化膜層の下層に形成され前記半導体層への不純物の混入を前記シリコン酸化膜層と共に防止するシリコン窒化膜層とを備える薄膜トランジスタであって、前記シリコン酸化膜層は、前記シリコン窒化膜層の上層に形成される第１のシリコン酸化膜界面層と、前記第１のシリコン酸化膜の上層に形成されるシリコン酸化膜バルク層と、前記シリコン酸化膜バルク層の上層に形成される第２のシリコン酸化膜界面層とから形成され、前記第１のシリコン酸化膜界面層がシリコン酸窒化膜からなり、前記第２のシリコン酸化膜界面層が酸素欠損シリコン酸化膜からなる薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記合金膜は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）が前記透明基板と接触している表示装置である。 （もっと読む）