【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られたものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】酸化珪素膜上の第１及び第２のシリサイド、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する結晶性珪素膜と、チャネル形成領域上のゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに接して設けられた第１の金属配線と、第２のシリサイドに接して設けられた第２の金属配線と、を有し、第１のシリサイドは、ソース領域の上面の一部及び側面に設けられ、第２のシリサイドは、ドレイン領域の上面の一部及び側面に設けられ、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１及び第２のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速された水素イオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成し、半導体層の表面にレーザー光を照射して半導体層の少なくとも表層部を溶融させる際に窒素、酸素、又は炭素の少なくともいずれか一を半導体層に固溶する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン領域の半導体膜と走査線の下にある半導体膜とが接続されていることに起因して生じる不具合をなくすことができる、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】基板１０側から、少なくとも、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１４ｇ、ゲート電極１５ｇの順で設けられたＴＦＴ２０を有するアクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板１において、ゲート電極１５ｇをその一部として含む走査線３１が所定の隙間Ｇを隔てて分断された導電性パターン３２と、その導電性パターン３２の下に設けられた半導体膜１３と、分断された導電性パターン３２を接続する配線膜３３とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】１回の不純物導入工程により、低濃度不純物導入領域および高濃度不純物導入領域を同時形成することができるとともに、ＬＤＤ長を確実に制御することのできる半導体装置の製造方法、該製造方法により得た半導体装置、および該半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造工程において、厚さが異なる第１マスク部分７１と第２マスク部分７２を備えたレジストマスク７０を介して半導体層１ｊに不純物イオンを導入する。その結果、厚さが厚い第１マスク部分７１と重なる部分に低濃度不純物導入領域（低濃度ソース領域１ｕおよび低濃度ドレイン領域１ｖ）が形成されると同時に、厚さが薄い第２マスク部分７２と重なる領域に高濃度不純物導入領域（高濃度ソース領域１ｔおよび高濃度ドレイン領域１ｗ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置などに用いる薄膜トランジスタとその製造方法および電気光学装置とその製造方法ならびに電子機器に係り、上記トランジスタのリーク電流を充分に低減できると共に、充分なオン電流を確保できるようにする。
【解決手段】半導体層３と、前記半導体層３に絶縁膜４を介して設けられたゲート電極５とを備えた薄膜トランジスタ１であって、前記半導体層３は、前記ゲート電極５と重なる領域において、チャネル領域３０と、前記チャネル領域３０よりも不純物濃度の大きい高濃度不純物領域３１ａ、３５を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の制御が可能で、スイッチング特性が良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極層と、半導体層と、第１のゲート電極層と半導体層との間に設けられた第１のゲート絶縁層と、半導体層とオーミック接触する層を介して半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極層と、第１のゲート電極層の一部と重畳して第１のゲート絶縁層と半導体層により覆われた導電層と、少なくとも半導体層のバックチャネル部を覆って設けられた第２のゲート絶縁層と、半導体層のバックチャネル部と重畳する、第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極層と、を有する薄膜トランジスタを提供する。または、導電層は、第１のゲート電極層の一部と重畳して半導体層の下に存在し、且つ前記半導体層よりも移動度の高い半導体により形成されていてもよい。第２のゲート電極層は、所謂バックゲートとして機能する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造においてソース・ドレイン領域やＬＤＤ構造を自己整合的に形成できる構造の表示装置、及びそのような表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板ＧＡの上側に積層されたゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に積層されて、ゲート電極ＧＴとともに薄膜トランジスタＴＦＴを構成する半導体膜Ｓと、半導体膜Ｓの上側に形成されるソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと半導体膜の間に積層される絶縁膜ＧＩ３と、絶縁膜ＧＩ３に穿設されて、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴを半導体膜Ｓに接続するためのコンタクトホールを含み、半導体膜Ｓには、少なくともコンタクトホールの下方に位置してソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴと接続する接続領域に不純物が打込まれる、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の提供。
【解決手段】基板上に形成されるゲートラインと、ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを保護する保護膜と、薄膜トランジスタと接続された画素電極と、画素電極と電界を形成する共通電極と、保護膜に形成された溝と、を備え、画素電極及び共通電極のうち少なくともいずれか１つは、画素領域で互いに離間するように形成し、溝は、離間して形成された電極間の保護膜に形成する。 （もっと読む）

【課題】層間載せ換え部の断線の恐れを軽減させた表示装置を提供すること
【解決手段】表示装置は、第１の電極膜が形成される第１の導電層と、第１の導電層上に設けられる第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ第２の電極膜が形成される第２の導電層と、第２の導電層上に設けられる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通して前記第１の電極膜に至る１または複数の第１の孔と、前記第２の絶縁層を貫通して前記第２の電極膜に至る１または複数の第２の孔とを含む。前記第１の孔と前記第２の孔はあわせて少なくとも３つ以上であり、前記第１の孔及び前記第２の孔の前記少なくとも３つを接続する前記第２の絶縁層上の領域に導電膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】製造工数の低減を図った表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体層に少なくともチャネル領域とソース・ドレイン領域を備える薄膜トランジスタが基板に形成されている表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記半導体層の形成領域と重なる領域にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上の前記チャネル領域の形成領域と重なる領域に開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を被い前記開口によって段差を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重ねられ、前記絶縁膜の開口によって段差を有する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層をも被って表面が平坦な保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を通して、エネルギー調整された不純物打ち込みによって、前記半導体層に少なくともソース・ドレイン領域を形成する工程を経て形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の内部に発生する応力を原因とする不具合の発生を極力防止することによって、良好な動作を続行し得る電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ（３０）を構成する半導体層（１ａ）と、走査線及びデータ線と、走査線の上層側に積層され且つ半導体層を上側から覆う上側遮光膜（４００）と、半導体層に電気的に接続された画素電極（９ａ）と、二つの電極及びこれに挟持される誘電体膜からなる蓄積容量とを備えており、上側遮光膜は前記二つの電極の一方に共通電位を供給する容量配線としての機能を有するとともに走査線又はデータ線の延びる方向に沿って断続的に配置された島状部からなる（スリット４００Ｓ参照。）。 （もっと読む）

【課題】隔壁上からの成膜によって分断され、微細化パターニングされた半導体層を備えながら、半導体層に影響されずに画素電極を形成できることで画質の向上が図られた表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒとこれに接続された透明画素電極２３とを基板３上に配列形成してなる表示装置において、薄膜トランジスタのソース／ドレイン１３ｓｄが形成された基板３上に、絶縁性の隔壁層１５が設けられ、隔壁層には薄膜トランジスタのチャネル部に対応する位置に第１開口１５ａが設けられると共に、透明画素電極の形成領域に対応する位置に第２開口１５ｂが設けられている。第１開口底部には薄膜トランジスタの活性層を構成するチャネル部半導体層１７ｃｈを設け、第２開口底部の半導体層１７は除去する。隔壁層および半導体層１７が形成された基板上を覆う絶縁膜２１上に、第２開口に重ねて透明画素電極２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 簡便に形成可能であり、リーク電流の発生を抑制できる薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ２２は、ソース領域及びドレイン領域の一方である第１領域と、他方である第２領域と、を有した半導体層２５と、ゲート絶縁層２７と、ゲート絶縁層上に形成され、第１領域から外れて位置し、第２領域に重ねられた開口部３０ａを有した環状のゲート電極３０と、層間絶縁膜３１と、半導体層の第１領域に接続された第１電極と、半導体層の第２領域に接続された第２電極と、を備えている。 （もっと読む）