【課題】耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】８０４で示されるが共通の活性層であり、この活性層中にチャネル形成領域が形成される。８０１は共通のゲイト電極およびゲイト配線である。８０５は共通のソース電極およびソース配線である。８０６は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】二重セルギャップの形成に有利で、反射電極及び透明電極を同時に蒸着する従来の液晶表示装置の製造方法による問題点を改善した、新たな構造のトランジスタアレイ基板の構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、半透過型液晶表示装置で、既存の７〜８枚のマスク工程より単純な５枚のマスク工程によって、画素部の透過領域に位置し、ゲート電極と同一層に形成された透明電極を含む透過領域、及び凹凸が形成されている感光膜上に反射電極が形成された反射領域を形成することを特徴とする、半透過型トランジスタアレイ基板、その製造方法、及びこのトランジスタアレイ基板を利用した液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板サイズを最大限に活用した大画面表示の可能な電気光学装置を実現する。
【解決手段】 反射型電気光学装置の駆動部となるアクティブマトリクス基板に対して画素マトリクス回路とロジック回路とを形成するに際し、画素マトリクス回路内のデッドスペースを利用してロジック回路を配置する構成とする。これによりロジック回路の占有面積に制限されることなく画素マトリクス回路（画像表示領域）の占有面積を広げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で高画質の表示を得られ、また簡便な工程により製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置（電気光学装置）では、基板上に、第１電極１１１と素子絶縁膜１１２を含むＴＦＤ素子（非線形素子）１６と、第１配線１３と、該第１配線１３上に形成された層間絶縁膜１１５と、該層間絶縁膜１１５上に形成された第２配線１４とが設けられており、前記層間絶縁膜１１５に設けられた素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃ内に前記ＴＦＤ素子１６が設けられ、前記第２配線１４の一部が前記素子部貫通孔１１５ｃ内に延設されて第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２と当接し、当該素子部貫通孔１１５ｃ内で前記ＴＦＤ素子１６の第２電極を形成している。 （もっと読む）

【課題】 基板サイズを最大限に活用した大画面表示の可能な電気光学装置を実現する。
【解決手段】 反射型電気光学装置の駆動部となるアクティブマトリクス基板に対して画素マトリクス回路とロジック回路とを形成するに際し、画素マトリクス回路内のデッドスペースを利用してロジック回路を配置する構成とする。これによりロジック回路の占有面積に制限されることなく画素マトリクス回路（画像表示領域）の占有面積を広げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成して結晶化を助長する金属元素を導入させ、第１の加熱処理により非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜にし、マスク絶縁膜を除去し、パターニングすることにより島状の結晶性珪素膜を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより、島状の結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜として用いる熱酸化膜を島状の結晶性珪素膜の表面に形成し、熱酸化膜上にゲイト電極を形成し、一導電性を付与する不純物イオンを注入して島状の結晶性珪素膜にソース領域、ドレイン領域を形成し、ソース領域及び前記ドレイン領域上面に金属膜を形成し、ソース領域とドレイン領域をシリサイド化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】必要なマスクの数や工程数を更に減少させることで低コスト化や工程時間の更なる短縮を実現させる、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は：ゲート線、データ線、及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階；薄膜トランジスタの上に絶縁膜を形成する段階；絶縁膜の上に第１導電膜を形成し、ドレイン電極と電気的に接続する段階；第１導電膜の上に第２導電膜を形成する段階；第２導電膜の上に、厚さの異なる二つの部分を含む感光膜を形成する段階；感光膜をマスクとして利用し、第１エッチング液で第２導電膜をエッチングする段階；感光膜と第２導電膜とをマスクとして利用し、第２エッチング液で第１導電膜をエッチングする段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、シリコンから成る半導体層と画素電極とのコンタクトを良好にする。
【解決手段】ドレイン領域２１１のコンタクトホール２１７にスパッタ法により、５ｎｍの厚さのチタン膜２１９、１２０ｎｍ厚さのＩＴＯ膜２１９ｂを成膜し、パターニングして、画素電極２１９を形成する。水素雰囲気中で、３００℃の温度で加熱処理することにより、活性層２０３の欠陥が修復されると同時に、チタン膜２１９ａが酸化されて、透光性を有する酸化チタン膜２１９ｃになる。チタン膜２１９ａはシリコンよりも酸化ポテンシャルが低く、かつＩＴＯ膜２１９ｂの主成分である酸化インジウムよりも酸化ポテンシャルが高いため、シリコンが酸化されることなく、チタン膜２１９ａのみが酸化されて、酸化チタン膜２１９ｃになるので、画素電極２１９とシリコンのコンタクト抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アクティブ基板上に柱状スペーサを形成し、液晶表示装置の生産コストの低減を図る。
【解決手段】アクティブ基板を保護する機能を有するパシベーション絶縁層またはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層パターンの形成にあたり、ハーフトーン露光技術を併用して、パシベーション絶縁層上に局所的に感光性有機絶縁層パターンを形成する、感光性有機絶縁層よりなるパシベーション絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する、あるいはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する等の手段によりアクティブ基板上に柱状スペーサを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのリーク電流を許容範囲内に抑えた状態で、オン電流を増加させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１上に設けられた画素電極の駆動用の薄膜トランジスタ１０を備えた表示装置であって、薄膜トランジスタ１０を構成するゲート電極１９と薄膜半導体層１４とを覆う状態で設けられる層間絶縁膜２０と、接続孔２１を通じてソース・ドレイン領域１７に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる信号配線２２と、接続孔２１’を通じてソース・ドレイン領域１７’に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる引き出し電極２３とを備えており、引き出し電極２３は、薄膜トランジスタ１０のリーク電流の許容範囲内で、オン電流が増加するように、ソース・ドレイン領域１７’側からＬＤＤ領域１６’上の所定範囲を覆う状態で、層間絶縁膜２０上に配設されていることを特徴とする表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を向上し、視野角が広く、かつ、鮮明で明るい画像表示を実現することを目的とする。
【解決手段】第１の基板上に形成された信号配線と、画素電極と、共通電極と、を有し、画素電極と共通電極とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、第１の基板に対向する第２の基板は、画素部の各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層と、第２の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に形成された透光性導電膜と、を有し、各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層は、それぞれ、隣接する画素間において該隣接する画素のカラーフィルター層と重なる部分を有し、第１の基板上の信号配線は、第２の基板上のカラーフィルター層が重なる部分と重畳するように配置される液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成されたＴＦＴと容量素子に対して、高い耐電圧を確保するとともに、容量素子の静電容量を向上可能な薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０において、誘電体膜２ｃは、第１領域１ｃの外側領域には、第１領域２０１ｃよりも膜厚が厚い第２領域２０２ｃを備えているので、蓄積容量７０の耐電圧が高い。従って、蓄積容量７０では、高い耐電圧が得られるとともに、耐電圧を高くするために誘電体膜２ｃの膜厚を厚くしたことに起因する静電容量の低下を最小限に止めることができる。よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）