【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜を熱酸化膜からなる第１の酸化シリコン上に有し、第１の酸化シリコンを第２の酸化シリコン上に有し、第２の酸化シリコンを表面上に有する単結晶シリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の側面に熱酸化により第３の酸化シリコン膜を形成し、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れたコンタクト特性及び優れた素子特性を持った薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて不純物を含むソース領域ドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた不純物を含む多結晶半導体層、及び前記多結晶半導体層に接続する高融点金属層を含む配線層を具備し、前記多結晶半導体層と配線層の高融点金属層との間には、高融点金属と半導体との化合物からなる薄層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とベース基板の貼り合わせを低温で行う場合であっても、半導体基板とベース基板との接合強度を十分に向上させることを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、半導体基板上に塩素原子を含有する酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜に対してバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止し、高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、複数の画素電極と同一膜からなる導電部（６１０）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に設けられると共に、この絶縁膜に開口された開口部（８１０）から少なくとも一部が露出する端子（１０２ｃ）とを備える。更に、この端子にソースが電気的に接続されると共に導電部にドレインが電気的に接続された第１トランジスタ（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照
射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基
板を提供する。
【解決手段】液晶表示装置用トランジスタ基板は、基板２上に形成されている多結晶シ
リコン膜でなるアクティブ層４と、アクティブ層４上に形成されるゲート絶縁膜６と、ゲ
ート絶縁膜６上に形成されるゲート電極を構成する金属層８と、金属層８上に形成され、
ゲート電極の損傷を防止する絶縁膜１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ（３０）とを備える。薄膜トランジスタの半導体層（１ａ）は、チャネル領域（１ａ´）を中央にソース領域（１ｄ）及びドレイン領域（１ｅ）間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極（３１ａ）は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部（３２ａ）を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域（１ｃ）との第１距離（α）よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離（β）の方が、短くなる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

本発明は、上面と下面とを有する基板（Ｓ）上のパターン形成方法において、不透明材料の第一の層（Ｅ１）を基板（Ｓ）の上面に堆積させる工程、感光層（Ｒ）を、前記の感光層（Ｒ）の一部が第一の層（Ｅ１）の少なくとも一部を被覆するように堆積させる工程、前記の感光層（Ｒ）を光ビーム（Ｌ）で露光する工程、前記の光ビーム（Ｌ）は基板（Ｓ）の下面に傾斜角（Φ）の入射角で当たり、露光領域の感光層（Ｒ）を除去する工程、不透明材料の第二の層（Ｅ２）を、前記の第二の層の一部が感光層（Ｒ）の残っている領域を被覆するように堆積させる工程、および感光層（Ｒ）の少なくとも一部の残っている領域を除去する工程を含む方法に関する。本発明の方法の他の態様によれば、感光層（Ｒ）の露光領域を除去した後、異方性プラズマエッチングを基板（Ｓ）の上面の上から適用し、そしてその後、第二の層（Ｅ２）を堆積させる。本発明の方法は、薄膜電界効果型トランジスタのソース電極およびドレイン電極の形成に適用される。本発明はさらには、かかる方法によって製造された電子素子に関する。
（もっと読む）

【課題】走査線の配線抵抗等を低減して、高速動作可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】画素電極１０８と当該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ１００とを含む画素と、画像表示領域の列方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のソース領域２０４を列方向に互いに接続する複数本のデータ線１０４と、画像表示領域の行方向に互いに平行に延在され、薄膜トランジスタ１００のゲート電極２０８を行方向に互いに接続する複数本の走査線１０２と、を含む電気光学装置であって、ゲート電極２０８が非金属材料で形成され、上記走査線１０２は、ゲート電極２０８上に絶縁膜を介して積層された金属材料の薄膜をパターニングして形成されており、各々のゲート電極２０８とは絶縁膜を局所的に除去して形成された第１のコンタクトホール５０１を介して電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】ショートや剥がれなどの他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、遮光効果を向上させ、高品位な表示を可能とする電気光学装置、及び、そのような電気光学装置を備えた電子機器、並びに、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの下方に下地絶縁膜を介して設けられる下側遮光膜と、薄膜トランジスタの上方に第１層間絶縁膜を介して設けられる上側遮光膜と、画素の開口領域において、第１層間絶縁膜に、端部が下側遮光膜の端部と平面的な位置関係で重なるように形成された凹部と、を備え、上側遮光膜が凹部の側面に沿って形成される。 （もっと読む）